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결정질 실리콘 반도체 기판;상기 결정질 실리콘 반도체 기판의 제1 면 상에 위치하고, 상기 결정질 실리콘 반도체 기판과 P-N접합을 이루는 제1 층;상기 제1 층 상의 반사방지막;상기 반사방지막 상에 위치하고, 상기 반사방지막을 관통하여 상기 제1 층과 접속된 제1 전극부;상기 제1 면과 반대면인 상기 결정질 실리콘 반도체 기판의 제2 면 상에 위치하는 제2 층; 및상기 제2 층 상에 위치하고, 상기 제2 층과 접속된 제2 전극부;를 포함하고,상기 결정질 실리콘 반도체 기판은, 상기 제1 면에서부터 상기 제2 면까지 상기 결정질 실리콘 반도체 기판을 관통하는 복수의 홀들을 포함하고,상기 복수의 홀들은 상기 제1 층, 상기 제2 층, 및 상기 제2 전극부를 관통하도록 연장되어, 적어도 가시광 영역의 모든 광들을 통과시키며,상기 제1 전극부는 마이크로 그리드 패턴으로 이루어지고, 상기 마이크로 그리드 패턴은 상기 복수의 홀들을 복수의 그룹으로 구획하며,상기 복수의 그룹에 각각 속하는 상기 복수의 홀들은 일정한 패턴을 형성하고 서로 일정간격 이격되고,상기 반사방지막은 상기 복수의 홀들의 내측면들 상에 형성된 태양전지
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제1항에 있어서,상기 마이크로 그리드 패턴에 의해 구획된 하나의 그룹에 속한 상기 복수의 홀들 중 인접한 두 개의 홀들 간의 최단 거리는 20㎛ 이상 200㎛ 이하인 태양전지
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제1항에 있어서,상기 복수의 홀들 각각의 크기는 10㎛ 이상 1㎜ 이하인 태양전지
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제1항에 있어서,상기 복수의 홀들의 전체 면적은 상기 결정질 실리콘 반도체 기판 면적의 20% 이상 50% 이하인 태양전지
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제1항에 있어서,상기 마이크로 그리드 패턴은 벌집 형태를 가지는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1 층과 상기 제2 층 중 어느 하나는 전이금속 산화물을 포함하고, 다른 하나는 알칼리 금속 화합물을 포함하는 태양전지
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삭제
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제1항에 있어서,상기 결정질 실리콘 반도체 기판은 제1 도전형을 가지고,상기 제1 층은 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 가지는 불순물이 도핑된 에미터층이고, 상기 제2 층은 상기 제1 도전형을 가지는 불순물이 도핑된 후면 전계층인 태양전지
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서로 반대면인 결정질 실리콘 반도체 기판의 제1 면과 제2 면에 각각 제1 층과 제2 층을 형성하는 단계;상기 제1 층, 상기 결정질 실리콘 반도체 기판, 및 상기 제2 층을 관통하는 복수의 홀들을 형성하는 단계;상기 제1 층 상에 반사방지막을 형성하는 단계; 및상기 제1 층 상에 상기 제1 층과 접속하는 제1 전극부와, 상기 제2 층 상에 상기 제2 층과 접속하는 제2 전극부를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 층은 상기 결정질 실리콘 반도체 기판과 P-N 접합을 형성하며,상기 제1 전극부는 마이크로 그리드 패턴으로 형성되고,상기 복수의 홀들은 복수의 그룹으로 나뉘며, 상기 복수의 그룹들 사이에 상기 마이크로 그리드 패턴이 형성되고, 상기 복수의 그룹에 각각 속하는 상기 복수의 홀들은 일정한 패턴을 형성하고,상기 반사방지막은 상기 복수의 홀들의 내측면들을 덮도록 형성되는 태양전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 복수의 홀들 전체 면적은 상기 결정질 실리콘 반도체 기판 면적의 20%이상 50%이하로 형성되는 태양전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 복수의 홀들은 외부광이 상기 복수의 홀들을 통과하도록 형성되는 태양전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 복수의 홀들 각각은 원기둥 형상을 가지며, 상기 복수의 홀들 각각의 지름은 10㎛ 내지 1㎜로 형성되는 태양전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 복수의 그룹에 각각 속하는 상기 복수의 홀들 중 인접한 두 개의 홀들 간의 최단 거리는 20㎛ 내지 200㎛로 형성되는 태양전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 전극부는 상기 반사방지막을 관통하여 상기 제1 층과 접속하는 태양전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 층과 상기 제2 층 중 어느 하나는 전이금속 산화물을 증착하여 형성하고, 다른 하나는 알칼리 금속 화합물을 증착하여 형성하는 태양전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 반사방지막을 형성하기 전에, 상기 제1 면과 상기 복수의 홀들의 내측면들을 덮는 보호막을 더 형성하는 태양전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 결정질 실리콘 반도체 기판은 제1 도전형을 가지고,상기 제1 층은 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 가지는 불순물을 상기 결정질 실리콘 반도체 기판에 도핑하여 형성하고, 상기 제2 층은 상기 제1 도전형을 가지는 불순물을 상기 결정질 실리콘 반도체 기판에 도핑하여 형성하는 태양전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 마이크로 그리드 패턴은 벌집 형태를 가지는 태양전지의 제조 방법
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