| 1 |
1
다공성 탄소계 입자; 및 상기 다공성 탄소계 입자 표면 및 내부 기공에 위치하는 실리콘 코팅층;을 포함하고, 상기 다공성 탄소계 입자는 BET 법에 의한 기공 부피가 0
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 다공성 탄소계 입자는, BET 법에 의한 표면적이 0
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 다공성 탄소계 입자는, BET 법에 의한 기공 크기가 10 내지 20 ㎚인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 다공성 탄소계 입자는, 수은 침투법에 의한 기공 부피가 0
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 다공성 탄소계 입자는, 평균 입경이 21
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 다공성 탄소계 입자는, D90 입경이 31
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 다공성 탄소계 입자는, D50 입경이 19
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 다공성 탄소계 입자는, D10 입경이 12
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 실리콘 코팅층은 결정질, 준 결정질, 비정질, 또는 이들의 조합인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 실리콘 코팅층이 상기 다공성 탄소계 입자 표면 및 상기 탄소계 입자 내부 기공에 위치하는 형태는, 필름(film) 형태, 아일랜드(island) 형태, 또는 이들이 혼재된 형태인, 리튬 이차 전지용 음극 활물질
|
| 12 |
12
제1항에 있어서, 상기 음극 활물질 전체 100 중량%에 대해, 상기 실리콘 코팅층은 2 내지 25 중량% 포함되고, 상기 다공성 탄소계 입자는 잔부로 포함되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
|
| 13 |
13
제1항에 있어서, 상기 다공성 탄소계 입자는, 그라파이트, 비정질 탄소 또는 이들의 조합으로 이루어진 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 전체 음극 활물질은, BET 법에 의한 기공 크기가 10 내지 20 ㎚인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
|
| 15 |
15
제1항에 있어서,상기 전체 음극 활물질은, 수은 침투법에 의한 기공 부피가 0
|
| 16 |
16
제1항에 있어서,상기 전체 음극 활물질은, 평균 입경이 21 내지 30 ㎛인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
|
| 17 |
17
제1항에 있어서,상기 전체 음극 활물질은, D90 입경이 31
|
| 18 |
18
제1항에 있어서,상기 전체 음극 활물질은, D50 입경이 19 내지 28 ㎛인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
|
| 19 |
19
제1항에 있어서,상기 전체 음극 활물질은, D10 입경이 12 내지 17 ㎛인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
|
| 20 |
20
제1항에 있어서,상기 다공성 탄소계 입자 표면의 실리콘 코팅층 상에 위치하는, 탄소계 코팅층;이 더 포함된 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
|
| 21 |
21
내부 기공이 포함된 탄소계 입자를 에칭(etching) 하여, 상기 탄소계 입자의 내부 기공을 확장시키는 단계; 및상기 내부 기공이 확장된 탄소계 입자의 표면 및 내부 기공에, 실리콘 코팅층을 형성시키는 단계;를 포함하고, 상기 탄소계 입자의 내부 기공을 확장시키는 단계는 산소(O2)가 존재하는 분위기에서 열처리하여 수행하는 것인, 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
|
| 22 |
22
삭제
|
| 23 |
23
제21항에 있어서, 상기 탄소계 입자의 내부 기공을 확장시키는 단계;는,산소를 포함하는 기체를 일정 유속으로 공급하여 수행하는 것이고, 상기 산소를 포함하는 기체의 유속은, 0
|
| 24 |
24
제21항에 있어서, 상기 탄소계 입자의 내부 기공을 확장시키는 단계;는,400 내지 1200 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
|
| 25 |
25
제21항에 있어서, 상기 탄소계 입자의 내부 기공을 확장시키는 단계;는,30 분 내지 4 시간 동안 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
|
| 26 |
26
제21항에 있어서, 상기 실리콘 코팅층을 형성시키는 단계;는,화학적 기상 증착법을 이용하여 수행되는 것인, 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
|
| 27 |
27
제21항에 있어서, 상기 내부 기공이 확장된 탄소계 입자의 표면 및 내부 기공에 실리콘 나노 입자가 증착되어, 필름(film) 형태 및 아일랜드(island) 형태가 혼재된 형태의 실리콘 코팅층이 형성되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
|
| 28 |
28
제27항에 있어서, 상기 실리콘 나노 입자는 결정질, 준 결정질, 비정질, 또는 이들의 조합인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
|
| 29 |
29
제21항에 있어서, 상기 내부 기공이 포함된 탄소계 입자 표면의 실리콘 코팅층 상에, 탄소계 코팅층을 형성하는 단계;를 더 포함하는,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
|
| 30 |
30
제29항에 있어서, 상기 탄소계 코팅층을 형성시키는 단계;는, 물리적인 밀링 방법, 졸겔법, 또는 화학 기상 증착법을 이용하여 수행되는 것인, 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
|
| 31 |
31
양극;음극; 및 전해질;을 포함하고,상기 음극은, 제1항, 제2항, 및 제4항 내지 제20항 중 어느 한 항의 음극 활물질을 포함하는 것인,리튬 이차 전지
|
