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준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2022015130
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시 예는 반도체 시료에 상기 반도체 시료의 밴드갭 이상의 에너지를 갖는 여기광을 조사하는 여기광원; 100GHz 내지 1THz의 광을 생성하는 광원; 상기 광을 가우시안 빔으로 변조하는 제1 안테나; 상기 가우시안 빔을 상기 반도체 시료에서 상기 여기광이 조사된 영역으로 제공하는 미러부; 상기 미러부를 통과한 가우시안 빔이 통과하며 상기 가우시안 빔의 왜곡을 감소시키는 제2 안테나; 및 상기 제2 안테나를 통과한 상기 가우시안 빔의 강도를 검출하는 검출부;를 포함하는 준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치를 개시한다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01.01) G01N 27/12 (2006.01.01) G02B 26/08 (2006.01.01)
CPC H01L 22/30(2013.01) H01L 22/20(2013.01) G01N 27/129(2013.01) G02B 26/08(2013.01)
출원번호/일자 1020170169292 (2017.12.11)
출원인 울산과학기술원
등록번호/일자 10-2062701-0000 (2019.12.30)
공개번호/일자 10-2018-0093787 (2018.08.22) 문서열기
공고번호/일자 (20200106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170019598   |   2017.02.13
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최은미 울산광역시 울주군
2 최문석 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-1230701-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.01.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2019.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0019408-32
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0029327-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0210096-93
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0479221-43
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-0479222-99
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0461402-92
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0877940-87
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0877939-30
11 등록결정서
Decision to grant
2019.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0931929-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 시료에 상기 반도체 시료의 밴드갭 이상의 에너지를 갖는 여기광을 조사하는 여기광원;100GHz 내지 1THz의 광을 생성하는 광원;상기 광을 가우시안 빔으로 변조하는 제1 안테나;상기 가우시안 빔을 상기 반도체 시료에서 상기 여기광이 조사된 영역으로 제공하고 반도체 시료를 투과한 가우시안 빔을 반사하는 미러부; 상기 반사된 가우시안 빔의 경로상에 배치되어 상기 반사된 가우시안 빔의 왜곡을 감소시키는 제2 안테나; 및상기 제2 안테나를 통과한 상기 가우시안 빔의 강도를 검출하는 검출부;를 포함하고,상기 검출된 가우시안 빔의 강도를 수신하는 관리부;를 더 포함하고,상기 관리부는 상기 검출된 가우시안 빔의 강도에 대한 검출 파형에 매핑 측정 및 복수 유전 함수를 통해 상기 반도체 시료의 결함도와 캐리어의 수명을 산출하고,상기 복수 유전 함수는 식 1 및 식 2에 의해 산출되는 준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 미러부는,상기 가우시안 빔을 상기 반도체 시료로 집광하는 제1 미러; 및상기 반도체 시료를 기준으로 상기 제1 미러에 대칭하게 배치되는 제2 미러를 포함하는 준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치
3 3
제2항에 있어서,상기 제2 미러는 상기 반도체 시료를 투과한 상기 가우시안 빔을 상기 제2 안테나로 반사하는 준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 여기광의 조사 시 상기 가우시안 빔은 상기 반도체 시료에서 반사되는 준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 안테나와 상기 제2 안테나는 동일한 형상인 준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 광원의 주파수가 커질수록 상기 반도체 시료에서 상기 가우시안 빔이 집광되는 면적이 감소하는 준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 광의 강도는 상기 여기광이 상기 반도체 시료에 조사되지 않는 상태에서 측정되는 준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치
9 9
제1항에 있어서,상기 반도체 시료는 상기 여기광에 의해 여기되고, 상기 광의 강도는 상기 여기된 반도체 시료의 광 전도성 감쇠 비율에 따르는 준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치
10 10
여기광을 반도체 시료에 가하고, 광원에서 100GHz 내지 1THz의 광을 생성하는 단계;상기 광을 가우시안 빔으로 변조하는 단계;상기 가우시안 빔을 상기 반도체 시료에서 상기 여기광이 조사된 영역으로 제공하는 단계;상기 반도체 시료를 통과한 상기 가우시안 빔의 강도를 검출하는 단계; 및상기 검출된 가우시안 빔의 강도에 대한 검출 파형에 매핑 측정 및 복수 유전 함수를 통해 상기 반도체 시료의 결함도와 캐리어의 수명을 산출하는 단계를 더 포함하고,상기 복수 유전 함수는 식 1 및 식 2에 의해 산출되는를 포함하는 준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 울산과학기술원 핵융합연구개발사업 KSTAR 가열 및 안정성을 위한 고출력 밀리미터파 빔 입사 제어 시스템 개발