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(a) 에폭시기를 함유하는 아크릴 단위, 및 (b) 폴리헤드랄 올리고머 실세스퀴옥산(POSS)기를 함유하는 아크릴 단위를 반복단위로서 갖는 공중합체를 포함하는 포토레지스트로서,상기 공중합체가 100,000~300,000 g/mol의 중량평균분자량 및 65~85℃의 유리전이온도를 갖고, 30℃부터 795℃까지 가열 시에, 초기 대비 5%의 중량이 손실되는 온도가 250~350℃이고, 최종 잔여 중량이 초기 대비 1~10%인, 포토레지스트
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제 1 항에 있어서, 상기 단위 (a)가 아래 화학식 1a로 표시되고,상기 단위 (b)가 아래 화학식 2a로 표시되는, 포토레지스트:상기 화학식 1a에서, X는 수소 또는 C1-6알킬이고, A는 C1-10알킬렌이며;상기 화학식 2a에서, Y는 수소 또는 C1-6알킬이고, B는 C1-10알킬렌이며, R은 각각 독립적으로 수소, C1-6알킬, C1-6알콕시, 또는 페닐이다
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제 2 항에 있어서, 상기 화학식 1a에서 X는 메틸이고, A는 메틸렌이며,상기 화학식 2a에서 Y는 수소이고, B는 프로필렌이며, R은 이소부틸인, 포토레지스트
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제 1 항에 있어서,상기 공중합체가, 상기 단위 (a) 및 단위 (b)의 총 몰을 기준으로, 상기 단위 (b)를 1~10 몰%로 갖는, 포토레지스트
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제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트가 네거티브형 포토레지스트인, 포토레지스트
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제 2 항에 있어서,상기 화학식 1a에서 X는 메틸이고, A는 메틸렌이며,상기 화학식 2a에서 Y는 수소이고, B는 프로필렌이고, R은 이소부틸이며, 상기 공중합체가 상기 단위 (a) 및 단위 (b)의 총 몰을 기준으로, 상기 단위 (b)를 2~5 몰%로 갖고, 100,000~200,000 g/mol의 중량평균분자량을 가지며,상기 공중합체가 65~75℃의 유리전이온도를 갖고, 30℃부터 795℃까지 가열 시에, 초기 대비 5%의 중량이 손실되는 온도가 280~330℃이고 최종 잔여 중량이 초기 대비 2~7%이고,상기 포토레지스트가 네거티브형 포토레지스트인, 포토레지스트
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에폭시기를 함유하는 아크릴 화합물, 및 POSS기를 함유하는 아크릴 화합물을 혼합하고 공중합 반응시켜 공중합체를 얻는 것을 포함하는 포토레지스트의 제조방법으로서,상기 공중합체가 100,000~300,000 g/mol의 중량평균분자량 및 65~85℃의 유리전이온도를 갖고, 30℃부터 795℃까지 가열 시에, 초기 대비 5%의 중량이 손실되는 온도가 250~350℃이고, 최종 잔여 중량이 초기 대비 1~10%인, 포토레지스트의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 에폭시기를 함유하는 아크릴 화합물이 글리시딜메타크릴레이트이고, 상기 POSS기를 함유하는 아크릴 화합물이 아크릴로이소부틸 POSS인, 포토레지스트의 제조방법
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제 1 항의 포토레지스트를 경화 및 패턴화하여 얻은 3D 나노구조체
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제 11 항에 있어서,상기 3D 나노구조체가 100~200㎛의 두께를 갖는, 3D 나노구조체
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(1) 에폭시기를 함유하는 아크릴 화합물, 및 POSS기를 함유하는 아크릴 화합물을 혼합하고 공중합하여 얻은 공중합체를 포함하는 포토레지스트를 제조하는 단계;(2) 상기 포토레지스트를 기재 상에 코팅하고 경화시켜 경화막을 얻는 단계; 및(3) 상기 경화막을 패턴화하는 단계를 포함하는, 3D 나노구조체의 제조방법으로서,상기 공중합체가 100,000~300,000 g/mol의 중량평균분자량 및 65~85℃의 유리전이온도를 갖고, 30℃부터 795℃까지 가열 시에, 초기 대비 5%의 중량이 손실되는 온도가 250~350℃이고, 최종 잔여 중량이 초기 대비 1~10%인, 3D 나노구조체의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 경화막이 상기 패턴화 이전 및 이후에 하기 수학식 1로 계산되는 수축률 20% 이하를 만족하는 두께를 갖는, 3D 나노구조체의 제조방법:[수학식 1]
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제 13 항에 있어서,상기 패턴화가 간섭 리소그래피(interference lithography)를 포함하는 방식으로 수행되는, 3D 나노구조체의 제조방법
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