| 1 |
1
베이스 기판;상기 베이스 기판 상에 형성되고 상기 베이스 기판과 단차있게 형성되는 광 흡수체; 및상기 베이스 기판 상면의 적어도 일 영역과 상기 광 흡수체 상면의 적어도 일 영역을 연결하도록 형성되는 BiTe계 물질을 포함하는 열전부;를 포함하고,상기 열전부는 열전 잉크가 건조되어 형성된 구조체인 것인,광 열전 소자용 구조체
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 광 흡수체는, 하나 이상의 유전체 층과 하나 이상의 금속 층이 교대로 형성된 적층형인 것인, 광 열전 소자용 구조체
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 광 흡수체는, 다층 박막 구조를 형성하는 것인, 광 열전 소자용 구조체
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 상기 유전체 층은, 불화마그네슘(MgF2), 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 티타니아(TiO2), 탄탈륨 옥사이드(Ta2O5), BiTiO3, 하프늄옥사이드(HfO2), 실리콘옥사이드(SiO2) 실리콘나이트라이드(Si3N5), CaZr, Nd2O3, SrTiO3, CeO2 및 PbTiO3 로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이고, 상기 금속 층은, 티타늄(Ti), 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 구리(Cu), 납(Pd), 니켈(Ni), 코발트(Co), 납(Pb), 철(Fe), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 광 열전 소자용 구조체
|
| 5 |
5
제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 유전체 층의 두께는 80 nm 내지 120 nm 이고, 상기 하나 이상의 금속 층의 두께는 5 nm 내지 20 nm 인 것인, 광 열전 소자용 구조체
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은, 폴리이미드(PI), 폴리우레탄(PU), 폴리아미드(PA), 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 폴리메틸메타클릴레이트(PMMA), 폴리스티렌(PS), 폴리염화비닐(PVC), 폴리아크릴로나이트릴(PAN), 나일론, 폴리에스테르(PET), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리아미드이미드(PAI), 폴리에테르술폰(PES), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리에틸렌(PE) 로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 광 열전 소자용 구조체
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 광 흡수체의 폭은 1
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 열전부는 상기 베이스 기판의 복수 개의 영역과 상기 광 흡수체의 복수 개의 영역 사이를 서로 연결하는 지그재그 형태인 것인,광 열전 소자용 구조체
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 베이스 기판의 광 흡수체가 형성되지 않은 영역 상에 형성된 광 차단부; 를 더 포함하는,광 열전 소자용 구조체
|
| 11 |
11
제1항 내지 제8항, 제10항 중 어느 한 항에 따르는 광 열전 소자용 구조체; 및상기 광 열전 소자용 구조체에 연결 형성되는 하나 이상의 금속 전극 층;을 포함하는,광 열전 소자
|
| 12 |
12
베이스 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 기판의 일부에 상기 베이스 기판과 단차있게 형성되는 광 흡수체를 형성하는 단계;상기 광 흡수체 상면의 적어도 일 영역과 상기 광 흡수체가 형성되지 않은 베이스 기판 상면의 적어도 일 영역에 걸쳐 상기 두 영역을 연결하도록 열전 잉크를 프린팅하여 열전부를 형성하는 단계;상기 프린팅된 열전 잉크를 건조하는 단계; 및상기 열전부를 소결하는 단계;를 포함하는,광 열전 소자용 구조체의 제조방법
|
| 13 |
13
제12항에 있어서, 상기 열전부를 소결하는 단계; 후에 코팅층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 광 열전 소자용 구조체의 제조방법
|
| 14 |
14
제12항에 있어서,상기 베이스 기판을 준비하는 단계 이후에,상기 베이스 기판을 오존 처리하는 단계;를 더 포함하는,광 열전 소자용 구조체의 제조방법
|
| 15 |
15
제12항에 있어서, 상기 광 흡수체를 형성하는 단계 이전에,상기 베이스 기판의 일부 영역을 마스킹하는 단계;를 더 포함하는,광 열전 소자용 구조체의 제조방법
|
| 16 |
16
제12항에 있어서,상기 광 흡수체를 형성하는 단계는, 하나 이상의 유전체 층과 하나 이상의 금속 박막 층을 교대로 전자 빔 증착하여 다층 박막 구조를 형성하는 것인,광 열전 소자용 구조체의 제조방법
|
| 17 |
17
제12항에 있어서,상기 소결하는 단계는, 300 ℃ 내지 500℃ 에서 수행되는 것인,광 열전 소자용 구조체의 제조방법
|
| 18 |
18
제12항에 있어서,상기 광 흡수체를 형성하는 단계 이후에,상기 광 흡수체가 형성되지 않은 베이스 기판의 영역 상에, 광 차단부를 형성하는 단계;를 더 포함하는,광 열전 소자용 구조체의 제조방법
|
