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전기방사법을 이용하여 기판 상에 고분자 물질을 방사하여, 상기 기판 상에 고분자 파이버를 형성하는 단계;상기 고분자 파이버를 전처리하는 단계;상기 전처리된 고분자 파이버 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 고분자 파이버를 제거하여 나노 파이버를 포함하는 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 기판 상에 고분자 파이버를 형성하는 단계는, 상기 기판에 음(-)의 전압을 인가하여 수행하고,상기 고분자 파이버를 전처리하는 단계는,상기 고분자 파이버를 열처리하는 단계; 및상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계; 를 포함하고, 상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계는, 150 nm 내지 370 nm의 파장을 가지는 자외선을 10 초 내지 5 분 동안 조사하고,상기 투명 전극은, 25 cm2 이상의 대면적인 것이고, 투과도가 80 %이상이고, 면저항이 20 Ω/cm2 내지 500 Ω/cm2 이하인 것인,대면적 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 음(-)의 전압은 -1 KV 내지 -10 KV의 범위의 직류전압 또는 교류전압인 것인, 대면적 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 파이버를 열처리하는 단계는, 유리 전이(glass transition) 온도에서 30 분 내지 3 시간 동안 수행하는 것인, 대면적 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계는, 상기 자외선을 1 kw 내지 25 kw의 강도로 조사하는 것인, 대면적 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 파이버의 직경은 100 nm 내지 1 ㎛인 것인, 대면적 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 물질은, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐알콜(PVA), 폴리메틸메스아크릴레이트(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리아크릴, 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 폴리메틸아크릴레이트(PMA), 폴리비닐아세테이트 (PVAc), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리퍼퓨릴알콜(PPFA), 폴리스티렌, 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리프로필렌옥사이드(PPO), 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐플루오라이드 및 폴리아마이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 대면적 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은, 프리 스탠딩(free standing) 기판인 것인, 대면적 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속층은, 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt), 금(Au), 코발트(Co), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네늄(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 카드뮴(Cd), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os) 및 이리듐(Ir)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 대면적 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속층의 두께는 50 nm 내지 1 ㎛인 것인, 대면적 투명 전극의 제조방법
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제1항에 따른 대면적 투명 전극의 제조방법으로 제조되고,중공 구조의 나노 파이버가 메쉬 형상 또는 웹 형상을 가지도록 배열되고,상기 투명 전극은, 25 cm2 이상의 대면적인 것이고, 투과도가 80 %이상이고, 면저항이 20 Ω/cm2 내지 500 Ω/cm2인 것인,대면적 투명 전극
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