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태양전지 및 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022015212
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제1면 및 상기 제1면의 반대측의 제2면을 포함하는 결정질 실리콘 기판; 상기 제1면 상에 위치하고, 상기 결정질 실리콘 기판과 P-N 접합을 이루는 제1층; 상기 제1층 상에 위치하는 제1 광학 필름; 상기 제2면 상에 위치하는 제2층; 및 상기 제2층 상에 위치하는 제2 광학 필름을 포함하는, 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0232 (2014.01.01) H01L 31/036 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/02327(2013.01) H01L 31/036(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020210067798 (2021.05.26)
출원인 울산과학기술원
등록번호/일자 10-2363401-0000 (2022.02.10)
공개번호/일자 10-2021-0065908 (2021.06.04) 문서열기
공고번호/일자 (20220215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2019-0069563 (2019.06.12)
관련 출원번호 1020190069563
심사청구여부/일자 Y (2021.05.26)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서관용 울산광역시 울주군
2 황인찬 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2021.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2021-0608320-17
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0611086-34
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2021-1141835-66
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1141836-12
5 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2022.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2022-0055997-14
6 등록결정서
Decision to grant
2022.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0101200-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1면 및 상기 제1면의 반대측의 제2면을 포함하는 결정질 실리콘 기판;상기 제1면 상에 위치하고, 상기 결정질 실리콘 기판과 P-N 접합을 이루는 제1층;상기 제1층 상에 위치하는 제1 반사방지막;상기 제1 반사방지막 상에 직접 접하도록 위치하는 제1 광학 필름; 상기 제2면 상에 위치하는 제2층; 상기 제2층 상에 위치하는 제2 반사방지막; 및상기 제2 반사방지막 상에 직접 접하도록 위치하는 제2 광학 필름;을 포함하고, 상기 결정질 실리콘 기판의 두께가 100㎛ 이하이고,상기 제1 광학 필름 및 상기 제2 광학 필름은 서로 독립적으로 폴리디메틸실록산(PDMS), 에틸렌바이닐아세테이트(EVA), 광경화 폴리머 (UV Curing Epoxy) 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 제1광학 필름 및 상기 제2 광학 필름 각각은 다각형의 구조체를 포함하는, 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 광학 필름 및 상기 제2 광학 필름은 굴절률이 3 미만인, 태양전지
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 제2 광학 필름 상에 광반사층을 포함하는, 태양전지
6 6
제5항에 있어서,상기 광반사층은 금속을 포함하는, 태양전지
7 7
제1항에 있어서,상기 결정질 실리콘 기판은 제1 도전형을 가지고,상기 제1층은 제2 도전형과 반대인 제2 도전형을 가지는 불순물이 도핑된 에미터층이고,상기 제2층은 상기 제1 도전형을 가지는 불순물이 도핑된 후면 전계층인, 태양전지
8 8
제1항에 있어서,상기 제1층 및 제2층 중 어느 하나는 전자 수송 물질을 포함하는 전자 수송층이고, 상기 제1층 및 제2층 중 다른 하나는 정공 수송 물질을 포함하는 정공 수송층인, 태양전지
9 9
제8항에 있어서,상기 결정질 실리콘 반도체 기판은 N-타입 반도체 기판이고,상기 제1층은 상기 정공 수송층이고, 상기 제2층은 전자 수송층인, 태양전지
10 10
제1항에 있어서,상기 제1층 상에 위치하고, 상기 제1층과 접속된 제1도전층을 포함하고,상기 제2층 상에 위치하고, 상기 제2층과 접속된 제2도전층을 포함하는, 태양전지
11 11
제10항에 있어서,상기 제1도전층 및 제2도전층은 투광성 도전층인, 태양전지
12 12
결정질 실리콘 기판의 제1면과 상기 제1면의 반대측의 제2면에 각각 제1층과 제2층을 제공하는 단계; 상기 제1층 및 제2층 상에 제1 반사방지층 및 제2 반사방지층을 각각 제공하는 단계; 및상기 제1 반사방지층 및 상기 제2 반사방지층 상에 각각 제1 광학 필름 및 제2 광학 필름을 제공하는 단계;를 포함하고,상기 결정질 실리콘 기판의 두께가 100㎛ 이하이고,상기 제1 광학 필름 및 상기 제2 광학 필름은 열경화성 수지를 포함하고,상기 제1 광학 필름 및 상기 제2 광학 필름은 서로 독립적으로 폴리디메틸실록산(PDMS), 에틸렌바이닐아세테이트(EVA), 광경화 폴리머 (UV Curing Epoxy) 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 제1광학 필름 및 상기 제2 광학 필름 각각은 다각형의 구조체를 포함하고, 상기 제1층은 상기 결정질 실리콘 기판과 P-N 접합을 형성하는, 태양전지의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 제2 광학 필름 상에 광반사층을 제공하는 단계를 더 포함하는, 태양전지의 제조방법
14 14
제12항에 있어서,상기 결정질 실리콘 기판은 제1 도전형을 가지고,상기 제1층은 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 가지는 불순물을 상기 결정질 실리콘 기판에 도핑하여 형성하고, 상기 제2층은 상기 제1 도전형을 가지는 불순물을 상기 결정질 실리콘 기판에 도핑하여 형성하는, 태양전지의 제조 방법
15 15
제12항에 있어서,상기 결정질 실리콘 기판은 N-타입 반도체 기판이고, 상기 제1층은 상기 제1면 상에 정공 수송 물질을 증착하여 형성하고, 상기 제2층은 상기 제2면 상에 전자 수송 물질을 증착하여 형성하는, 태양전지의 제조 방법
16 16
제12항에 있어서,상기 제1 광학 필름 및 제2 광학 필름을 제공하는 단계 이전에,상기 제1층 상에 상기 제1층과 접속하도록 제1 도전층을 제공하고, 상기 제2층 상에 상기 제2층과 접속하도록 제2 도전층을 제공하는 단계를 더 포함하는, 태양전지의 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 각각 마이크로그리드 패턴을 갖도록 제1층 및 제2층에 제공되는, 태양전지의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR20200142379 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 울산과학기술원 개인기초연구(과기정통부)(R&D) 원자층 증착 기반의 산화막 형성을 통한 비도핑 결정질 실리콘 접합 형성 연구 및 이를 활용한 차세대 태양전지 응용 연구