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하기 화학식 1 또는 화학식 2로서 표시되는, 일차원 구조체:[화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1 및 2에서, 상기 A1, A2, A3 및 A4는 각각 독립적으로 H, B 및 N으로 구성된 그룹 중에서 선택된 것이고, 상기 n은 5 내지 1,000,000의 정수이다
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제 1 항에 있어서, 상기 일차원 구조체는 전기 전도성을 갖는 것인, 일차원 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 일차원 구조체는 단원자의 두께를 갖는 것인, 일차원 구조체
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전류가 인가되었을 때 하기 화학식 1 또는 2로서 표시되고, 전류가 차단되었을 때는 하기 화학식 4 또는 5로서 표시되며, 상기 화학식 1은 상기 화학식 4와 대응되고, 상기 화학식 2는 상기 화학식 5와 대응되는 것인, 일차원 전극: [화학식 1][화학식 2][화학식 4][화학식 5]상기 화학식 1, 2, 4 및 5 에서, 상기 A1, A2, A3 및 A4는 각각 독립적으로 H, B 및 N으로 구성되는 그룹 중에서 선택된 것이고, 상기 n은 5 내지 1,000,000의 정수이다
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제 4 항에 있어서, 상기 일차원 전극은 단원자의 두께를 갖는 것인, 일차원 전극
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구리 기판 상에 제 1 열처리를 하는 단계; 상기 제 1 열처리가 된 상기 구리 기판 상에 질소 공급원 및 붕소 공급원을 공급하면서 제 2 열처리를 하여 상기 구리 기판 상에 질화 붕소를 형성하는 단계; 및 상기 질화 붕소에 전자를 주입하는 단계;를 포함하며, 하기 화학식 1 또는 화학식 2로서 표시되는 일차원 구조체를 포함하는 질화붕소를 제조하는, 질화 붕소의 제조 방법:[화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1 및 2에서, 상기 A1, A2, A3 및 A4는 각각 독립적으로 H, B 및 N으로 구성된 그룹 중에서 선택된 것이고, 상기 n은 5 내지 1,000,000의 정수이다
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제 6 항에 있어서, 상기 질소 공급원은 암모니아, 질소 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 질화 붕소의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 붕소 공급원은 BH3, BF3, BCl3, B2H6, (CH3CH2)3B, (CH3)3B 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 질화 붕소의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 질소와 붕소 공급원은 암모니아보레인(H3NBH3), 보라진(B3H6N3), (BH)3(NH)3 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 질화 붕소의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제 1 열처리는 800℃ 내지 1,500℃의 온도 하에서 이루어지는 것인, 질화 붕소의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제 2 열처리는 50℃ 내지 200℃의 온도 하에서 이루어지는 것인, 질화 붕소의 제조 방법
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하기 화학식 1 또는 화학식 2로서 표시되는, 일차원 구조체를 포함하는, 소자:[화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1 및 2에서, 상기 A1, A2, A3 및 A4는 각각 독립적으로 H, B 및 N으로 구성되는 그룹 중에서 선택된 것이고, 상기 n은 5 내지 1,000,000의 정수이다
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전류가 인가되었을 때 하기 화학식 1 또는 2로서 표시되고, 전류가 차단되었을 때는 하기 화학식 4 또는 5로서 표시되며, 상기 화학식 1은 상기 화학식 4와 대응되고, 상기 화학식 2는 상기 화학식 5와 대응되는 것인 일차원 전극을 포함하는, 소자:[화학식 1][화학식 2][화학식 4][화학식 5]상기 화학식 1, 2, 4 및 5 에서, 상기 A1, A2, A3 및 A4는 각각 독립적으로 H, B 및 N으로 구성되는 그룹 중에서 선택된 것이고, 상기 n은 5 내지 1,000,000의 정수이다
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