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하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 가교제용 조성물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1은 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, 또는 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기이고,R2는 O, S, NH, CH2 또는 이고, R3은 O, S, NH 또는 CH2이고, R4는 수소, 할로겐, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기, 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, 및 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기 중 어느 하나이고,R5는 수소 또는 할로겐이고, R6은 CO, CH2, 또는 SO2이고,l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이고,n은 3 내지 12의 정수이다
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제 1 항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 가교제용 조성물:[화학식 1-1] [화학식 1-2][화학식 1-3][화학식 1-4][화학식 1-5][화학식 1-6]상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서,R2는 O, S, NH, CH2 또는 이고, R3은 O, S, NH 또는 CH2이고, R4는 수소, 할로겐, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기, 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, 및 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기 중 어느 하나이고,R5는 수소 또는 할로겐이고, R6은 CO, CH2, 또는 SO2이고,l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이다
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제 1 항에 있어서,상기 할로겐은 F 또는 Cl인 가교제용 조성물
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하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 가교제용 조성물:[화학식 2]상기 화학식 2에서,R1은 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, 또는 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기이고,R2는 O, S, NH, CH2 또는 이고, R3는 O, S, NH 또는 CH2이고, R4는 수소, 할로겐, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기, 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, 및 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기 중 어느 하나이고, R5는 수소 또는 할로겐이고,l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이고,n은 3 내지 12의 정수이다
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제 4 항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-6 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 가교제용 조성물:[화학식 2-1][화학식 2-2][화학식 2-3] [화학식 2-4][화학식 2-5][화학식 2-6]상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-6에서,R2는 O, S, NH, CH2 또는 이고, R3는 O, S, NH 또는 CH2이고, R4는 수소, 할로겐, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기, 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, 및 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기 중 어느 하나이고, R5는 수소 또는 할로겐이고,l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이다
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제 4 항에 있어서,상기 할로겐은 F 또는 Cl인 가교제용 조성물
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제 4 항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-8 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 가교제용 조성물:[화학식 3-1][화학식 3-2][화학식 3-3][화학식 3-4] [화학식 3-5][화학식 3-6][화학식 3-7][화학식 3-8]
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기판 상에 하기 화학식 1로 표시되는 가교제용 조성물을 도포하여 하부막을 형성하는 것; 및 상기 하부막을 패터닝하는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법:[화학식 1]R1은 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, 또는 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기이고,R2는 O, S, NH, CH2 또는 이고, R3은 O, S, NH 또는 CH2이고, R4는 수소, 할로겐, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기, 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, 및 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기 중 어느 하나이고,R5는 수소 또는 할로겐이고, R6은 CO, CH2, 또는 SO2이고,l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이고,n은 3 내지 12의 정수이다
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제 8 항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 전자 소자의 제조 방법:[화학식 1-1][화학식 1-2][화학식 1-3][화학식 1-4][화학식 1-5][화학식 1-6]상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서,R2는 O, S, NH, CH2 또는 이고, R3은 O, S, NH 또는 CH2이고, R4는 수소, 할로겐, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기, 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, 및 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기 중 어느 하나이고,R5는 수소 또는 할로겐이고, R6은 CO, CH2, 또는 SO2이고,l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이다
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제 8 항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은,하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 전자 소자의 제조 방법:[화학식 2]상기 화학식 2에서,R1은 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, 또는 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기이고,R2는 O, S, NH, CH2 또는 이고, R3는 O, S, NH 또는 CH2이고, R4는 수소, 할로겐, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기, 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, 및 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기 중 어느 하나이고, R5는 수소 또는 할로겐이고,l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이고,n은 3 내지 12의 정수이다
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제 10 항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-6 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 전자 소자의 제조 방법:[화학식 2-1][화학식 2-2][화학식 2-3][화학식 2-4][화학식 2-5][화학식 2-6]상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-6에서,R2는 O, S, NH, CH2 또는 이고, R3는 O, S, NH 또는 CH2이고, R4는 수소, 할로겐, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기, 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알킬기, 및 적어도 하나의 수소가 할로겐으로 치환된 C1 내지 C30의 직쇄형태 또는 분기형태의 알콕시기 중 어느 하나이고, R5는 수소 또는 할로겐이고,l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이다
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제 8 항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-8 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 전자 소자의 제조 방법:[화학식 3-1][화학식 3-2][화학식 3-3][화학식 3-4][화학식 3-5][화학식 3-6][화학식 3-7][화학식 3-8]
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제 8 항에 있어서,상기 하부막을 패터닝하는 것은, 상기 하부막 상에 포토마스크를 배치하는 것;상기 포토마스크 상에 빛을 조사하는 것; 및상기 하부막의 일부를 제거하는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 포토마스크 상에 빛을 조사하는 것은, 상기 하부막의 일부 상에 상기 빛을 직접 조사하는 것인 전자 소자의 제조 방법
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