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복수의 제1 핑거부를 포함하는 제1 전극;복수의 제2 핑거부를 포함하는 제2 전극;상기 제1 전극 및 제2 전극 상에 배치되고, 셸락-유래 탄소 필름을 포함하는, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극
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2
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이거나;상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드인, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극
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제1항에 있어서,상기 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극은 모놀로식으로 구성된, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극
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4
제1항에 있어서,상기 복수의 제1 핑거부 및 상기 복수의 제2 핑거부는 동일 평면 상에서 서로 교번하여 배치된, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극
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5
제1항에 있어서,상기 셸락-유래 탄소 필름이 상기 복수의 제1 핑거부 및 상기 복수의 제2 핑거부 상에 노출되도록 패터닝된, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극
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6
제1항에 있어서,상기 셸락-유래 탄소 필름의 두께는 0 nm 초과 및 20 nm 이하인, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극
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7
제1항에 있어서,상기 셸락-유래 탄소 필름의 산소-함유 작용기의 함량은 셸락-유래 탄소 필름의 총 100 wt% 대비 0 wt% 초과 및 50 wt% 이하인, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극
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8
제1항에 있어서,상기 셸락-유래 탄소 필름의 라만 스펙트럼 중 G 밴드의 강도 대비 D 밴드의 강도(ID/IG)는 0
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9
제1항에 있어서,상기 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극의 크기는 서브-마이크로미터 크기인, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극
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10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극을 포함하는, 장치
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제10항에 있어서,상기 장치는 습도 센서인, 장치
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탄소-함유 맞물림 전극을 제공하는 단계; 및상기 탄소-함유 맞물림 전극 상에 셸락-유래 코팅층을 제공하는 단계; 를 포함하는, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극의 제조 방법
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13
제12항에 있어서,상기 탄소-함유 맞물림 전극은, 기재 상에 감광제를 코팅하고 열처리하여 얻은, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극의 제조 방법
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14
제13항에 있어서,상기 감광제는 제1 감광제 및 제2 감광제를 포함하고, 상기 제1 감광제 및 제2 감광제는 서로 상이한, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극의 제조 방법
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15
제13항에 있어서,상기 열처리는 제1 열처리 단계 및 제2 열처리 단계를 포함하고,상기 제1 열처리 단계의 온도는 상기 제2 열처리 단계의 열처리 온도보다 낮은, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극의 제조 방법
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16
제15항에 있어서,상기 제1 열처리 단계는 300 ℃ 내지 800 ℃에서 수행되는, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 제2 열처리 단계는 900 ℃ 내지 1100 ℃에서 수행되는, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 셸락-유래 코팅층은, 알코올계 용매에 용해시킨 셸락 전구체 용액을 스핀 코팅한 후 열처리하여 얻은, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 열처리는 500 ℃ 내지 700 ℃에서 수행되는, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극 상에 셸락-유래 코팅층이 노출되도록 UV를 이용하여 식각하는 단계;를 더 포함하는, 셸락 유래 탄소-함유 맞물림 전극의 제조 방법
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