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테트라에틸암모늄 테트라셀레노텅스테이트((NEt4)2WSe4)를 N,N'-디메틸프로필렌우레아(DMPU)에 용해하여 전구체 용액을 제조하는 단계;둥근 플라스크 내부에 기판을 삽입하고, 질소 분위기를 형성시키는 단계;상기 전구체 용액을 상기 둥근 플라스크에 주사한 후, 가열하여 반응시키는 단계; 및상기 반응이 완료된 기판을 상기 둥근 플라스크에서 꺼내어 세척하는 단계;를 포함하는, 1T' 상 텅스텐 디셀레나이드 합성방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 용액의 농도는, 1 g/L 내지 10 g/L 인 것인,1T' 상 텅스텐 디셀레나이드 합성방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 용액을 제조하는 단계는, 테트라에틸암모늄 테트라셀레노텅스테이트((NEt4)2WSe4)를 N,N'-디메틸프로필렌우레아(DMPU) 용매에 첨가한 후, 초음파 분산기를 사용하여 30 분 내지 1 시간 동안 용해하는 것인,1T' 상 텅스텐 디셀레나이드 합성방법
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제1항에 있어서,상기 기판은,석영(Quartz) 기판, 사파이어(α-Al2O3)기판, 인듐주석산화물(ITO) 기판, 실리콘(Si) 기판 및 이산화규소와 실리콘의 적층 기판(SiO2/Si)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,1T' 상 텅스텐 디셀레나이드 합성방법
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제1항에 있어서,상기 가열하여 반응시키는 단계는, 200 ℃ 내지 300 ℃의 온도까지 가열한 후, 20 시간 내지 30 시간 동안 반응시키는 것인,1T' 상 텅스텐 디셀레나이드 합성방법
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제1항에 있어서,상기 세척하는 단계는, 상기 반응이 완료된 기판을 N,N'-디메틸프로필렌우레아 용액 및 에탄올 용액 중 하나 이상의 용액을 사용하여 세척하는 것인, 1T' 상 텅스텐 디셀레나이드 합성방법
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제1항에 있어서,상기 세척하는 단계는,상기 반응이 완료된 기판을 N,N'-디메틸프로필렌우레아 용액으로 세척한 후, 에탄올 용액으로 세척하는 것인,1T' 상 텅스텐 디셀레나이드 합성방법
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제1항에 있어서,상기 반응 시, 상기 기판 상에 텅스텐 디셀레나이드가 직접 성장되는 것인,1T' 상 텅스텐 디셀레나이드 합성방법
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제8항에 있어서,상기 성장된 텅스텐 디셀레나이드는, 1T' 상 텅스텐 디셀레나이드를 60% 이상의 상비율로 포함하는 것인,1T' 상 텅스텐 디셀레나이드 합성방법
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제1항의 합성방법에 의해 합성된, 텅스텐 디셀레나이드
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