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네오디뮴 자석을 염화물 용융염에 투입하여 네오디뮴을 선택적으로 이온화시키는 단계;상기 네오디뮴이 이온화된 용윰염을 액체 카드뮴 전극을 사용하여 전해정련하는 단계;상기 전해정련을 통해 형성된 네오디뮴-카드뮴 합금을 회수하는 단계; 및 상기 회수한 네오디뮴-카드뮴 합금을 분별 증류하여 네오디뮴을 회수하는 단계;를 포함하는,네오디뮴 회수 공정
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제1항에 있어서,상기 염화물 용융염은,LiCl-KCl, NaCl-KCl, CsCl-KCl, LiCl-NaCl-CaCl2-BaCl2, NaCl-KCl-BaCl2, CdCl2, CdF2, NdCl3, CeCl3 및 LaCl3으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,네오디뮴 회수 공정
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제1항에 있어서,상기 염화물 용융염은, CdCl2를 0
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제1항에 있어서,상기 네오디뮴을 선택적으로 이온화시키는 단계는,400 ℃ 내지 600 ℃의 온도에서 수행되는 것인,네오디뮴 회수 공정
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제1항에 있어서,상기 네오디뮴을 선택적으로 이온화시키는 단계; 이후에,상기 염화물 용융염 내 포함된 카드뮴 이온의 농도를 순환 전류법을 통해 측정하는 단계;를 더 포함하는,네오디뮴 회수 공정
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제1항에 있어서,상기 네오디뮴을 선택적으로 이온화시키는 단계; 이후에, 상기 염화물 용융염 내 포함된 철(Fe)을 회수하는 단계;를 더 포함하는,네오디뮴 회수 공정
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제1항에 있어서,상기 전해정련은,Cl2/Cl- 기준전극 대비 -2
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제1항에 있어서,상기 전해정련하는 단계는,400 ℃ 내지 600 ℃의 온도에서, 10 시간 내지 20 시간 동안 수행되는 것인,네오디뮴 회수 공정
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제1항에 있어서,상기 네오디뮴-카드뮴 합금은,Cd11Nd를 포함하는 것인,네오디뮴 회수 공정
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제1항에 있어서,상기 분별 증류는,1 Torr 내지 10 Torr의 압력 및 700 ℃ 내지 2,000 ℃의 온도에서 수행되는 것인,네오디뮴 회수 공정
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제1항에 있어서,상기 분별 증류를 통해 카드뮴을 증발시키고, 고체 상태의 네오디뮴을 회수하는 것인,네오디뮴 회수 공정
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제1항에 있어서,회수된 네오디뮴의 순도는, 98 % 이상인 것인,네오디뮴 회수 공정
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네오디뮴 자석을 염화물 용융염에 투입하여 네오디뮴이 이온화된 용융염을 수득하는 이온화 장치;상기 네오디뮴이 이온화된 용융염을 전해정련하여 네오디뮴 합금을 수득하는 전해정련 장치; 및상기 네오디뮴 합금을 분별 증류하여 네오디뮴을 회수하는 분별 증류 장치;를 포함하는,네오디뮴 회수 장치
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제13항에 있어서,상기 전해정련 장치는,네오디뮴(Nd)이 이온화된 용융염을 수용하는 반응기;상기 반응기 내부 하단에 위치하는 액상 금속 전극 수용부;상기 액상 금속 전극과 연결된 작업 전극; 및상기 반응기 내부에 위치하고, 상기 액상 금속 전극 수용부와 접하지 않는 기준 전극;를 포함하는 것인,네오디뮴 회수 장치
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제14항에 있어서,상기 액상 금속 전극 수용부의 하단부에, 전해정련으로 형성된 네오디뮴 합금이 위치하여 상기 용융염에 포함된 네오디뮴 이온과의 반응이 억제되는 것인,네오디뮴 회수 장치
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