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제1도전층;상기 제1도전층 상에 위치하며, 우물층과 장벽층이 교번하여 적층된 다중 양자우물층; 및상기 다중 양자우물층 상에 위치하며, 상호 평행한 복수개의 스트라이프들 형상의 안테나층;을 구비하는, 광대역 파장판 소자
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제1항에 있어서,상기 안테나층은 상기 복수개의 스트라이프들의 일단들이 서로 연결되고 상기 복수개의 스트라이프들의 타단들이 서로 연결된 형상을 갖는, 광대역 파장판 소자
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제2항에 있어서,상기 안테나층은 일체(一體)인, 광대역 파장판 소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다중 양자우물층은 상기 안테나층에 대응하는 형상으로 패터닝된, 광대역 파장판 소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1도전층과 상기 안테나층 사이에 전위차를 인가할 수 있는 전원을 더 구비하는, 광대역 파장판 소자
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제5항에 있어서,상기 전원은 상기 제1도전층과 상기 안테나층 사이에 인가되는 전위차를 조절할 수 있는 조절부를 더 구비하는, 광대역 파장판 소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1도전층과 상기 다중 양자우물층 사이에 개재되는 제2도전층을 더 구비하는, 광대역 파장판 소자
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8
제7항에 있어서,상기 제2도전층과 상기 다중 양자우물층 사이의 접합력은 상기 제1도전층과 상기 다중 양자우물층 사이의 접합력보다 높은, 광대역 파장판 소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1도전층의 상기 다중 양자우물층 방향의 반대 방향에 위치하며, 입사광에 대한 상기 안테나층의 복수개의 스트라이프들의 방향을 조절할 수 있는, 액츄에이터를 더 구비하는, 광대역 파장판 소자
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10
기판 상에 우물층과 장벽층이 교번하여 적층된 다중 양자우물층을 형성하는 단계;다중 양자우물층 상부에 제1도전층을 형성하는 단계;기판을 제거하는 단계;다중 양자우물층의 제1도전층 방향의 반대방향의 면 상에 임시도전층을 형성하는 단계;임시도전층 상에 희생층을 형성하는 단계;희생층에 상호 평행한 복수개의 개구들을 형성하는 단계;희생층의 복수개의 개구들을 통해 노출된 임시도전층의 부분을 제거하여, 상호 평행한 복수개의 스트라이프들 형상의 안테나층을 형성하는 단계; 및희생층을 제거하는 단계;를 포함하는, 광대역 파장판 소자 제조방법
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제10항에 있어서,기판으로 인듐 포스파이드(InP) 또는 갈륨 아세나이드(GaAs) 웨이퍼를 이용하는, 광대역 파장판 소자 제조방법
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제10항에 있어서,희생층으로 실리콘나이트라이드를 이용하는, 광대역 파장판 소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 안테나층을 형성하는 단계는, 희생층의 복수개의 개구들을 통해 노출된 임시도전층의 부분 및 희생층의 복수개의 개구들에 대응하는 다중 양자우물층의 부분을 동시에 제거하는 단계인, 광대역 파장판 소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제1도전층을 형성하는 단계는, 다중 양자우물층 상에 제2도전층을 형성하고 제2도전층 상에 제1도전층을 형성하는 단계인, 광대역 파장판 소자 제조방법
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제14항에 있어서,제2도전층과 다중 양자우물층 사이의 접합력은 제1도전층과 다중 양자우물층 사이의 접합력보다 높은, 광대역 파장판 소자 제조방법
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