| 1 |
1
하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 결정 입자; 및포르메이트 음이온을 포함하고, 상기 포르메이트 음이온이 0 초과 4 몰% 미만으로 포함된, 개질(modified) 페로브스카이트 화합물:003c#화학식 1003e#AMX3A는 포름아미디늄 양이온(HC(NH2)2)+)이고, M은 2가 금속 양이온이고, 상기 X는 할라이드(halide)이다
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 포르메이트 음이온이 상기 페로브스카이트 결정 입자의 격자 결함에 위치된, 개질 페로브스카이트 화합물
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 격자 결함은 상기 페로브스카이트 결정 입자 중 X 원소 자리(site)에 제공된, 개질 페로브스카이트 화합물
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 격자 결함은 상기 페로브스카이트 결정 입자의 표면에 존재하는, 개질 페로브스카이트 화합물
|
| 5 |
5
제2항에 있어서,상기 격자 결함은 상기 페로브스카이트 결정 입자의 원소 M과 배위 결합을 형성하는 자리(site)인, 개질 페로브스카이트 화합물
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 M은 Pb2+, Sn2+, Pd2+, Cu2+, Ge2+, Sr2+, Cd2+, Ca2+, Ni2+, Mn2+, Fe2+, Co2+, Sn2+, Yb2+ 또는 Eu2+인, 개질 페로브스카이트 화합물
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 X는 F-, Cl-, Br- 및 I- 중 선택된 하나 이상인, 개질 페로브스카이트 화합물
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 개질 페로브스카이트 화합물의 표면 거칠기(surface roughness)은 45 nm 내지 65 nm인, 개질 페로브스카이트 화합물
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 개질 페로브스카이트 화합물은 30℃, 상대 습도 100% 조건에서의 2D-GIXRD 측정에서 α-상(α-phase)으로 존재하는, 개질 페로브스카이트 화합물
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 개질 페로브스카이트 화합물은 30℃, 상대 습도 100% 조건에서의 2D-GIXRD 측정에서 δ-상(δ-phase)이 존재하지 않는, 개질 페로브스카이트 화합물
|
| 11 |
11
(A) 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 결정 입자를 포함하는 혼합 용액을 제공하는 단계; 및(B) 상기 페로브스카이트 결정 입자와 포르메이트 음이온을 접촉시키는 단계;를 포함하는, 개질 페로브스카이트 화합물의 제조 방법:003c#화학식 1003e#AMX3A는 포름아미디늄 양이온(HC(NH2)2)+)이고, M은 2가 금속 양이온이고, 상기 X는 할라이드(halide)이다
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 단계 (A)는,A 원소-함유하는 할로겐화물 및 M 원소-함유 할로겐화물을 유기 용매 중에서 혼합하여 혼합 용액을 제공하는 단계를 포함하는, 개질 페로브스카이트 화합물의 제조 방법
|
| 13 |
13
제11항에 있어서,상기 단계 (B)는,상기 혼합 용액에 상기 포르메이트 음이온을 첨가하는 단계를 포함하는, 개질 페로브스카이트 화합물의 제조 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 포르메이트 음이온은 포름산 및 포름아미딘 아세트산을 포함하는 용액으로부터 제공된, 개질 페로브스카이트 화합물의 제조 방법
|
| 15 |
15
제11항에 있어서,상기 페로브스카이트 결정 입자 총 몰수 대비 상기 포르메이트 음이온의 총 몰수는 0
|
| 16 |
16
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 개질 페로브스카이트 화합물을 포함하는, 필름
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 필름은 광활성 필름인, 필름
|
| 18 |
18
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 개질 페로브스카이트 화합물 및 유기 용매를 포함하는 전구체 용액을 기재 상에 도포하여 광활성층을 형성하는 단계를 포함하는, 필름의 제조 방법
|
| 19 |
19
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 개질 페로브스카이트 화합물을 포함하는, 광전 소자
|
| 20 |
20
제19항에 있어서, 상기 광전 소자는 태양 전지인, 광전 소자
|
