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실리콘 박판, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지

  • 기술번호 : KST2022015303
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 박판, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지에 관한 것으로, 두께가 500nm 이하이고, 비표면적이 15 m2/g 이하인 실리콘(Si) 박판을 제공한다.
Int. CL C01B 33/02 (2006.01.01) C01B 32/05 (2017.01.01) C23C 16/24 (2006.01.01) C23C 14/18 (2006.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01) C23C 16/01 (2006.01.01) C23C 14/00 (2018.01.01)
CPC C01B 33/02(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C23C 16/24(2013.01) C23C 14/185(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 10/0525(2013.01) C01P 2006/12(2013.01) C23C 16/01(2013.01) C23C 14/0005(2013.01) C01P 2004/54(2013.01)
출원번호/일자 1020190094954 (2019.08.05)
출원인 울산과학기술원
등록번호/일자 10-2221607-0000 (2021.02.23)
공개번호/일자 10-2019-0093549 (2019.08.09) 문서열기
공고번호/일자 (20210302) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2017-0094414 (2017.07.25)
관련 출원번호 1020170094414
심사청구여부/일자 Y (2019.08.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박수진 울산광역시 울주군
2 복태수 울산광역시 울주군
3 류재건 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2019.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0800242-44
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0744514-12
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2019-1291597-64
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2020.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-0046016-70
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0167876-67
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0167877-13
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2020.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0350141-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
9 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-0760012-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.08.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0881061-22
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-0881060-87
13 등록결정서
Decision to grant		 2020.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0860649-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
두께가 50nm 초과 100nm 이하이고, 비표면적이 15 m2/g 이하이고, 단층인 실리콘(Si) 박판이되,상기 실리콘(Si) 박판 위에 탄소 코팅층을 포함하고,상기 실리콘(Si) 박판은 다결정질이고,라만 피크(raman peak)가 나타나는 라만 시프트(raman shift) 값이 506
2 2
제1항에 있어서,상기 실리콘 박판은,가로 및 세로가 각각 500nm 내지 5mm인 것인,실리콘(Si) 박판
3 3
제1항에 있어서,상기 실리콘(Si) 박판은,가로 길이/두께의 비율(aspect ratio)가 1 내지 500,000 인 것인,실리콘(Si) 박판
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 실리콘(Si) 박판은,100사이클 이후 전극판의 부피팽창이 80% 이하인 것인,실리콘(Si) 박판
6 6
제1항에 있어서,상기 실리콘(Si) 박판 위에 형성된 탄소 코팅층의 두께는, 1nm 내지 10nm 인 것인,실리콘(Si) 박판
7 7
제1항 내지 제3항, 제5항, 및 제6항 중에서 선택되는 어느 한 항에 의한 실리콘 박판을 포함하는 음극 활물질;을 포함하는 음극;양극; 및상기 음극 및 양극 사이에 위치하는 전해질;을 포함하는 리튬 이차 전지
지정국 정보가 없습니다
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1 KR102038494 KR 대한민국 FAMILY

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