| 1 |
1
고주파 주파수를 수신하여 저주파 주파수로 변환하는 제1 주파수 변환부; 및상기 저주파 주파수에 대응하는 자기장이 도미넌트한 전자기장을 생성하고, 금속의 표면으로 상기 전자기장을 전파하는 송신부를 포함하고,상기 금속의 표면은 돌출부 및 함몰부를 포함하는 자성체이고,상기 전자기장에 대응하는 표면 전자기파 층이 상기 금속의 표면 주변으로 형성되며,상기 표면 전자기파 층과 상기 금속 표면 사이에서 상기 돌출부 및 상기 함몰부를 따라 전반사가 일어나, 상기 금속의 표면을 타고 흐르는 표면파가 형성되고,상기 송신부는,전도성 물질로 이루어진 박막 구조이며, 내부에 적어도 하나 이상의 홀을 형성하고 있는 제1 레이어;유전체 물질로 이루어진 박막 구조이며, 상기 제1 레이어에 접하여 위치하는 제2 레이어;박막 구조로 이루어진 접지체이며, 상기 제2 레이어의 상기 제1 레이어가 인접한 면의 반대 측 면에 접하여 위치하는 제3 레이어; 및상기 제1 레이어에서 상기 제2 레이어에 접하지 않은 면에 추가되는 유전층을 포함하며,상기 제1 레이어와 상기 제2 레이어는 상기 제3 레이어에 상기 표면 전자기파를 형성시킴으로써, 상기 금속 표면에 자기장이 주된 표면 전자기파를 형성하는무선 전력 전송 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 송신부는 상기 송신부와 병렬로 연결되는 모노폴 안테나를 더 포함하는 무선 전력 전송 장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 레이어, 상기 제2 레이어 및 상기 제3 레이어는 동일한 길이, 너비 및 두께로 형성되는 무선 전력 전송 장치
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 고주파 주파수를 수신하여 상기 제1 주파수 변환부로 전송하는 제1 고주파 안테나를 더 포함하는 무선 전력 전송 장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 송신부와 이격되고, 상기 금속의 상기 표면을 통해 전파되는 상기 전자기장을 수신하여 상기 전자기장에 대응하는 저주파 주파수를 생성하는 수신부를 더 포함하는 무선 전력 전송 장치
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 저주파 주파수를 상기 고주파 주파수로 변환하는 제2 주파수 변환부를 더 포함하는 무선 전력 전송 장치
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 제2 주파수 변환부로부터 상기 고주파 주파수를 수신하여 전파하는 제2 고주파 안테나를 더 포함하는 무선 전력 전송 장치
|
| 8 |
8
금속의 표면으로부터 전파되는 자기장이 도미넌트한 전자기장을 수신하여, 상기 전자기장에 대응하는 저주파 주파수를 생성하는 수신부; 및상기 저주파 주파수를 고주파 주파수로 변환하는 제2 주파수 변환부를 포함하고,상기 금속의 표면은 돌출부 및 함몰부를 포함하는 자성체이고,상기 전자기장에 대응하는 표면 전자기파 층이 상기 금속의 표면 주변으로 형성되며,상기 표면 전자기파 층과 상기 금속 표면 사이에서 상기 돌출부 및 상기 함몰부를 따라 전반사가 일어나, 상기 금속의 표면을 타고 흐르는 표면파가 형성되고,상기 수신부는,전도성 물질로 이루어진 박막 구조이며, 내부에 적어도 하나 이상의 홀을 형성하고 있는 제1 레이어;유전체 물질로 이루어진 박막 구조이며, 상기 제1 레이어에 접하여 위치하는 제2 레이어;박막 구조로 이루어진 접지체이며, 상기 제2 레이어의 상기 제1 레이어가 인접한 면의 반대 측 면에 접하여 위치하는 제3 레이어; 및상기 제1 레이어에서 상기 제2 레이어에 접하지 않은 면에 추가되는 유전층을 포함하며,송신부의 제1 레이어와 제2 레이어가 제3 레이어에 상기 표면 전자기파를 형성시킴으로써, 상기 금속 표면에 형성된 자기장이 주된 표면 전자기파를 수신하는무선 전력 전송 장치
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 수신부는 상기 수신부와 병렬로 연결되는 모노폴 안테나를 더 포함하는 무선 전력 전송 장치
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 제1 레이어, 상기 제2 레이어 및 상기 제3 레이어는 동일한 길이, 너비 및 두께로 형성되는 무선 전력 전송 장치
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,상기 제2 주파수 변환부로부터 상기 고주파 주파수를 수신하여 전파하는 제2 고주파 안테나를 더 포함하는 무선 전력 전송 장치
|
| 12 |
12
고주파 주파수를 수신하여 저주파 주파수로 변환하는 단계; 및전도성 물질로 이루어진 박막 구조이며, 내부에 적어도 하나 이상의 홀을 형성하고 있는 제1 레이어, 유전체 물질로 이루어진 박막 구조이며, 상기 제1 레이어에 접하여 위치하는 제2 레이어, 박막 구조로 이루어진 접지체이며, 상기 제2 레이어의 상기 제1 레이어가 인접한 면의 반대 측 면에 접하여 위치하는 제3 레이어, 및 상기 제1 레이어에서 상기 제2 레이어에 접하지 않은 면에 추가되는 유전층을 포함하는 송신부를 통해 상기 저주파 주파수에 대응하는 자기장이 도미넌트한 전자기장을 생성하고, 금속의 표면으로 상기 전자기장을 전파하는 단계를 포함하고,상기 금속의 표면은 돌출부 및 함몰부를 포함하는 자성체이고,상기 송신부에 의해 전파된 상기 전자기장에 대응하는 표면 전자기파 층이 상기 금속의 표면 주변으로 형성되며,상기 표면 전자기파 층과 상기 금속 표면 사이에서 상기 돌출부 및 상기 함몰부를 따라 전반사가 일어나, 상기 금속의 표면을 타고 흐르는 표면파가 형성되고,상기 제1 레이어와 상기 제2 레이어는 상기 제3 레이어에 상기 표면 전자기파를 형성시킴으로써, 상기 금속 표면에 자기장이 주된 표면 전자기파를 형성하는무선 전력 전송 방법
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 금속의 상기 표면을 통해 전파되는 상기 전자기장을 수신하여, 상기 전자기장에 대응하는 상기 저주파 주파수를 생성하는 단계를 더 포함하는 무선 전력 전송 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 저주파 주파수를 상기 고주파 주파수로 변환하는 단계를 더 포함하는 무선 전력 전송 방법
|
| 15 |
15
제 14항에 있어서,변환되는 상기 고주파 주파수를 전파하는 단계를 더 포함하는 무선 전력 전송 방법
|
| 16 |
16
전도성 물질로 이루어진 박막 구조이며, 내부에 적어도 하나 이상의 홀을 형성하고 있는 제1 레이어, 유전체 물질로 이루어진 박막 구조이며, 상기 제1 레이어에 접하여 위치하는 제2 레이어, 박막 구조로 이루어진 접지체이며, 상기 제2 레이어의 상기 제1 레이어가 인접한 면의 반대 측 면에 접하여 위치하는 제3 레이어, 및 상기 제1 레이어에서 상기 제2 레이어에 접하지 않은 면에 추가되는 유전층을 포함하는 수신부를 통해 금속의 표면으로부터 전파되는 자기장이 도미넌트한 전자기장을 수신하여, 상기 전자기장에 대응하는 저주파 주파수를 생성하는 단계; 및상기 저주파 주파수를 고주파 주파수로 변환하는 단계를 포함하고,상기 금속의 표면은 돌출부 및 함몰부를 포함하는 자성체이고,송신부에 의해 전파된 상기 전자기장에 대응하는 표면 전자기파 층이 상기 금속의 표면 주변으로 형성되며,상기 표면 전자기파 층과 상기 금속 표면 사이에서 상기 돌출부 및 상기 함몰부를 따라 전반사가 일어나, 상기 금속의 표면을 타고 흐르는 표면파가 형성되고,상기 송신부의 제1 레이어와 제2 레이어가 제3 레이어에 상기 표면 전자기파를 형성시킴으로써, 상기 금속 표면에 형성된 자기장이 주된 표면 전자기파를 수신하는무선 전력 전송 방법
|
