| 1 |
1
전극 활물질 입자; 및 상기 전극 활물질 입자의 표면에 위치하는, 고체 전해질 코팅층;을 포함하고,상기 고체 전해질 코팅층은 고체 전해질을 포함하고,상기 고체 전해질은 하기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 결정질 화합물을 포함하는 것이고, 상기 고체 전해질은,2θ가 16
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 고체 전해질은,상기 화학식 2 내지 4에서 각각, 서로 독립적으로, x는 0
|
| 4 |
4
이온 전도성 첨가제, 전극 활물질 입자, 하기 화학식 1로 표시되는 결정질 황화물계 화합물, 및 용매로서 물(H2O)을 포함하는 제2 혼합물을 제조하는 단계; 및상기 제2 혼합물을 열처리하는 단계;를 포함하되,상기 제2 혼합물을 열처리하는 단계;에서, 상기 제2 혼합물 내 물이 제거되고, 상기 이온 전도성 첨가제 및 상기 결정질 황화물계 화합물이 상기 전극 활물질 입자의 표면에 코팅되는 것이고, 상기 제2 혼합물을 제조하는 단계에서 제2 혼합물 내의 이온 전도성 첨가제 : 결정질 황화물계 화합물의 질량비는 2:8 내지 4:6 이고,상기 제2 혼합물을 열처리하는 단계는 180℃ 이상, 및 320℃ 미만인 온도범위에서 수행되는 것이고, 상기 이온 전도성 첨가제는 하기 화학식 5 내지 7 중 어느 하나로 표시되는 것인,전극 활물질-고체 전해질 복합체의 제조 방법:[화학식 1]LiaMbScX1d[화학식 5]LiX2[화학식 6]LiaX3bOc[화학식 7]LiX4aHb 상기 화학식 1에서, M은 Sn이고, X1은 F, Cl, Br, I, Se, Te, 또는 O이고, 0003c#a≤6이고, 0003c#b≤6이고, 0003c#c≤6이고, 0≤d≤6이고, 상기 화학식 5에서, X2는 F, Cl, Br, 또는 I이고,상기 화학식 6에서, X3는 Mg, Ba, P, As, Sb, B, S, Se, 또는 Mg이고, 0003c#a≤6이고, 0003c#b≤6이고, 0003c#c≤6이고,상기 화학식 7에서, X4는 B, Mg, 또는 N이고, 0003c#a≤4이고, 0003c#b≤6임
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 제2 혼합물을 제조하는 단계;는,상기 이온 전도성 첨가제, 상기 전극 활물질 입자, 상기 결정질 황화물계 화합물, 및 상기 물을 동시에 혼합하는 단계;인,전극 활물질-고체 전해질 복합체의 제조 방법
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 제2 혼합물을 제조하는 단계;는,상기 이온 전도성 첨가제, 상기 결정질 황화물계 화합물 및 상기 물을 혼합한 후, 상기 전극 활물질 입자를 첨가하여 혼합하는 단계;인,전극 활물질-고체 전해질 복합체의 제조 방법
|
| 7 |
7
제4항에 있어서,상기 제2 혼합물을 제조하는 단계;에서,상기 물 1 mL 당, 상기 전극 활물질 입자 및 상기 결정질 황화물계 화합물 의 총량이 300 내지 600 mg이 되도록 혼합하는 것인,전극 활물질-고체 전해질 복합체의 제조 방법
|
| 8 |
8
제4항에 있어서,상기 제2 혼합물을 열처리하는 단계;는,180 내지 220 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것인,전극 활물질-고체 전해질 복합체의 제조 방법
|
| 9 |
9
제4항에 있어서,상기 제2 혼합물을 열처리하는 단계;는,6 내지 10 시간 동안 수행되는 것인,전극 활물질-고체 전해질 복합체의 제조 방법
|
| 10 |
10
제4항에 있어서,상기 제2 혼합물을 열처리하는 단계;는,0 내지 760 torr 범위의 압력에서 수행되는 것인,전극 활물질-고체 전해질 복합체의 제조 방법
|
| 11 |
11
양극 층;고체 전해질 층; 및음극 층;을 포함하되,상기 양극 층 및 상기 음극 층 중 하나 이상의 전극 층에, 제1항 또는 제3항의 복합체가 포함되는 것인,전고체 전지
|
