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기판;상기 기판 상에서 상기 기판의 상면에 평행한 방향으로 연장하는 핀 구조체;상기 핀 구조체의 상부에 제공되는 소스 영역 및 드레인 영역;상기 핀 구조체의 하부에 제공되는 정전류 형성층;상기 핀 구조체의 상기 상부의 양 측면들 및 상면 상에 제공되는 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 제공되는 게이트 전극;을 포함하되,상기 게이트 전극은 상기 핀 구조체 상에서 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이에 제공되고, 상기 정전류 형성층은 상기 드레인 영역과 상기 기판 사이에 정전류를 형성하고, 상기 정전류는 상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압으로부터 독립적이고,상기 기판 및 상기 정전류 형성층은 제1 도전형을 갖고,상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지며,상기 드레인 영역 및 상기 정전류 형성층 사이에 전기장이 형성되고,상기 전기장의 세기는 106 V/cm 이상인 트랜지스터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 정전류 형성층은 상기 소스 영역의 하부와 상기 드레인 영역의 하부에 전기적으로 연결되는 트랜지스터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 정전류 형성층은 상기 소스 영역의 바닥면 및 상기 드레인 영역의 바닥면에 직접 접하는 트랜지스터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 정전류 형성층의 도핑 농도는 3 X 1018 cm-3 이상인 트랜지스터 소자
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엔모스(NMOS) 트랜지스터 소자; 및피모스(PMOS) 트랜지스터 소자;를 포함하되, 상기 엔모스 트랜지스터 소자 및 피모스 트랜지스터 소자의 각각은: 기판;상기 기판 상에서 상기 기판의 상면에 평행한 방향으로 연장하는 핀 구조체;상기 핀 구조체의 상부에 제공되는 소스 영역 및 드레인 영역;상기 핀 구조체 하부에 제공되는 정전류 형성층;을 포함하고, 상기 정전류 형성층은 상기 소스 영역의 하부 및 상기 드레인 영역의 하부에 직접 접하며, 상기 드레인 영역과 상기 기판 사이에 정전류를 형성하고,상기 엔모스 트랜지스터 소자의 상기 드레인 영역 및 상기 피모스 트랜지스터 소자의 상기 드레인 영역은 서로 동일한 전압을 갖고,상기 엔모스 트랜지스터 소자 및 상기 피모스 트랜지스터 소자의 각각에서, 상기 기판 및 상기 정전류 형성층은 서로 동일한 도전형을 갖고, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 기판 및 상기 정전류 형성층의 도전형과 다른 도전형을 가지며, 상기 드레인 영역 및 상기 정전류 형성층 사이에 106 V/cm 이상의 세기를 갖는 전기장이 형성되는 삼진 인버터 장치
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제 7 항에 있어서,상기 엔모스 트랜지스터 소자 및 상기 피모스 트랜지스터 소자의 각각은:상기 핀 구조체의 상기 상부의 양 측면들 및 상면 상에 제공되는 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 제공되는 게이트 전극;을 포함하되,상기 정전류는 상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압으로부터 독립적인 삼진 인버터 장치
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제 7 항에 있어서,상기 엔모스 트랜지스터 소자의 상기 드레인 영역과 상기 피모스 트랜지스터 소자의 상기 드레인 영역은:상기 엔모스 트랜지스터 소자가 상기 정전류보다 우세한 채널 전류를 갖고 상기 피모스 트랜지스터 소자가 채널 전류보다 우세한 상기 정전류를 가진 때, 제1 전압을 갖고, 상기 엔모스 트랜지스터 소자가 상기 채널 전류보다 우세한 상기 정전류를 갖고 상기 피모스 트랜지스터 소자가 상기 정전류보다 우세한 상기 채널 전류를 가진 때, 제2 전압을 가지며,상기 엔모스 트랜지스터 소자 및 상기 피모스 트랜지스터 소자의 각각이 상기 채널 전류보다 우세한 상기 정전류를 가진 때, 제3 전압을 갖되,상기 제2 전압은 상기 제1 전압보다 크고, 상기 제3 전압은 상기 제1 전압과 상기 제2 전압 사이의 값을 갖는 삼진 인버터 장치
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제 7 항에 있어서,상기 정전류 형성층의 도핑 농도는 상기 기판의 도핑 농도보다 높은 삼진 인버터 장치
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제 7 항에 있어서,상기 엔모스 트랜지스터 소자 및 상기 피모스 트랜지스터 소자의 각각에서, 상기 정전류 형성층의 도핑 농도는 3 X 1018 cm-3 이상인 삼진 인버터 장치
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기판 상에 제1 방향으로 연장하는 핀 구조체를 형성하는 것;상기 핀 구조체의 하부에 정전류 형성층을 형성하는 것;상기 기판 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 게이트 전극을 형성하는 것;상기 게이트 전극과 상기 핀 구조체 사이에 게이트 절연막을 형성하는 것; 및상기 핀 구조체의 상부에 상기 제1 방향을 따라 서로 이격된 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 것;을 포함하고,상기 정전류 형성층은 상기 기판과 동일한 도전형을 갖고,상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 정전류 형성층 및 상기 기판의 도전형과 다른 도전형을 가지며,상기 드레인 영역 및 상기 정전류 형성층 사이에 106 V/cm 이상의 세기를 갖는 전기장이 형성되고,상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역을 상기 게이트 전극을 사이에 두고 서로 이격되는 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 정전류 형성층을 형성하는 것은:상기 핀 구조체의 하부의 양 측면들 상에 한 쌍의 불순물 필름들을 각각 형성하는 것; 및상기 한 쌍의 불순물 필름들을 열처리하는 것;을 포함하는 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 한 쌍의 불순물 필름들은 BSG(Boron Silicate Glass) 필름 또는 PSG(Phosphorus silicate glass) 필름을 포함하는 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 정전류 형성층을 형성하는 것은:이온 주입 공정을 이용하여, 상기 핀 구조체의 하부에 불순물을 주입하는 것을 포함하는 트랜지스터 소자의 제조 방법
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