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Ⅲ족원소, Ⅴ족원소, 다양한 산화 수를 가질 수 있는 활성금속을 포함하고, Al, Ga, Ti, Mg, Na, Li 및 Cu로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 추가원소가 도핑된 시드를 가지며, 상기 양자점은 발광파장이 500nm 내지 650nm이고, 반치폭은 50nm 이하인 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
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제1항에 있어서, 상기 활성금속은 상기 Ⅲ족원소 및 상기 Ⅴ족원소와 합금 결합된 것인 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
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제1항에 있어서, 상기 활성금속은 하기 화학식 1로 나타내는 화합물에서 유래된 것인 III-V족계 양자점
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제1항에 있어서, 상기 III족원소의 몰 비와 상기 활성금속의 몰 비가 1 : 3 내지 1 : 30인 시드를 가지는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
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제1항에 있어서, 상기 시드의 외면에 적어도 1개 이상의 쉘을 포함하는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
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제5항에 있어서, 상기 쉘은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, PbS, PbSe, PbSeS, PbTe, GaAs, GaP, InP, InGaP, InZnP, InAs, CuS, InN, GaN, InGaN, AlP, AlAs, InAs, GaAs, GaSb, InSb, AlSb, HgS, HgTe, HgCdTe, ZnCdS, ZnCdSe, CdSeTe, CuInSe2, CuInS2, AgInS2 및 SnTe로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상인 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
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제5항에 있어서, 상기 쉘은 Ⅵ족원소를 포함하고, 상기 쉘의 Ⅵ족원소와 상기 시드의 Ⅲ족원소의 몰 비는 3 : 1 내지 20 : 1로 이루어지는 것인 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
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Ⅲ족원소, Ⅴ족원소, 다양한 산화 수를 가질 수 있는 활성금속을 포함하고, Al, Ga, Ti, Mg, Na, Li 및 Cu로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 추가원소가 포함된 시드를 가지는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점으로서, 상기 활성금속의 원료물질은 하기 화학식 1으로 나타내는 화합물을 포함하는 활성 나노클러스터 용액인 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
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활성금속-카르복실레이트를 열분해하여 얻어지는 활성금속산화물-카르복실레이트를 포함하는 활성 나노 클러스터를 형성하는 전구체단계; 및상기 전구체단계에서 제조된 전구체용액에 Ⅲ족원소 전구체, Ⅴ족원소 전구체 및 Al, Ga, Ti, Mg, Na, Li 및 Cu로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 추가원소를 포함한 용액을 주입하여 활성금속과 Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소가 합금되고, 상기 추가원소가 포함된 시드를 형성하는 시드형성단계;를 포함하는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 활성금속산화물-카르복실레이트는 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 열분해는 200℃ 내지 500℃에서 이루어지는 것인 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 시드형성단계는 상기 활성 나노클러스터 용액과 Ⅲ족원소 전구체용액 및 용매를 혼합하여 교반하는 제2-1단계, 상기 제2-1단계의 용액을 감압하면서 100℃내지 150℃까지 5분 내지 20분간 승온시켜 반응시키는 제2-2단계, 및 불활성 분위기에서 상기 제2-2단계의 용액을 200℃내지 400℃까지 승온시키고, Ⅴ족원소 전구체와 추가원소 전구체를 포함하는 용액을 주입하는 제2-3단계를 포함하는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점의 제조방법
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