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Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소를 포함하는 시드; 및 상기 시드의 외면에 형성되는 Ⅲ족원소, Ⅴ족원소를 포함하는 성장층; 을 포함하는 밴드갭 제어층을 가지고, 상기 밴드갭 제어층을 구성하는 상기 시드 또는 성장층 중 적어도 하나에 다양한 산화수를 가질 수 있는 활성금속을 포함하는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
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제 1항에 있어서, 상기 활성금속은 Zn, Mn, Cu, Fe, Ni, Co, Cr, Ti, Zr, Nb, Mo, Ru 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
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제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 제어층에서의 활성금속과 Ⅲ족원소의 몰 비가 1 : 0
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제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 제어층에서의 활성금속과 Ⅲ족원소의 몰 비가 1 : 0
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제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 제어층에서의 활성금속과 Ⅴ족원소의 몰 비가 1 : 1 내지 1 : 1
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제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 제어층에 포함되는 성장층의 두께는 0
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7
제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 제어층에 포함되는 성장층에는 Al, Ga, Ti, Mg, Na, Li 및 Cu로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 추가원소가 더 포함되는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
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8
제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 제어층에 포함되는 성장층의 외면에 적어도 1개 이상의 쉘을 포함하는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
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제 8항에 있어서, 상기 쉘은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, PbS, PbSe, PbSeS, PbTe, GaAs, GaP, InP, InGaP, InZnP, InAs, CuS, InN, GaN, InGaN, AlP, AlAs, InAs, GaSb, InSb, AlSb, HgS, HgTe, HgCdTe, ZnCdS, ZnCdSe, CdSeTe, CuInSe2, CuInS2, AgInS2 및 SnTe로 구성되는 군에서 적어도 하나가 선택되는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
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10
활성금속산화물-카르복실레이트를 포함하는 용액에 Ⅲ족원소 전구체 및 Ⅴ족원소 전구체 용액을 주입하여 활성금속과 Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소가 합금된 시드를 형성하는 시드형성단계; 및 상기 시드형성단계 후 Ⅲ족원소-활성금속-Ⅴ족원소 복합용액 성장층을 형성시키는 성장층형성단계;를 포함하는 밴드갭 제어층을 가지는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 활성금속산화물-카르복실레이트는 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 밴드갭 제어층을 가지는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점의 제조방법
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