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Ⅲ­Ⅴ계 양자점 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022015349
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 개시된 기술은 Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소를 포함하는 시드; 및 상기 시드의 외면에 형성되는 Ⅲ족원소, Ⅴ족원소를 포함하는 성장층; 을 포함하는 밴드갭 제어층을 가지고, 상기 밴드갭 제어층을 구성하는 상기 시드 또는 성장층 중 적어도 하나에 다양한 산화수를 가질 수 있는 활성금속을 포함하는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점 및 이를 제조하는 방법을 제공한다.
Int. CL C09K 11/08 (2006.01.01) C09K 11/77 (2006.01.01) C09K 11/56 (2006.01.01) C09K 11/70 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C09K 11/08(2013.01) C09K 11/773(2013.01) C09K 11/565(2013.01) C09K 11/70(2013.01) B82Y 20/00(2013.01) B82Y 40/00(2013.01)
출원번호/일자 1020200042060 (2020.04.07)
출원인 덕산네오룩스 주식회사, 울산과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0120531 (2020.10.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190042757   |   2019.04.11
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 덕산네오룩스 주식회사 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 방은별 울산광역시 북구
2 김도언 울산광역시 울주군
3 박윤희 울산광역시 중구
4 박종남 서울특별시 강남구
5 김강용 부산광역시 동래구
6 최용훈 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 태웅 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *동***호(양재동,양재역환승주차장)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-0359546-19
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-0368344-04
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-0499651-44
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소를 포함하는 시드; 및 상기 시드의 외면에 형성되는 Ⅲ족원소, Ⅴ족원소를 포함하는 성장층; 을 포함하는 밴드갭 제어층을 가지고, 상기 밴드갭 제어층을 구성하는 상기 시드 또는 성장층 중 적어도 하나에 다양한 산화수를 가질 수 있는 활성금속을 포함하는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
2 2
제 1항에 있어서, 상기 활성금속은 Zn, Mn, Cu, Fe, Ni, Co, Cr, Ti, Zr, Nb, Mo, Ru 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
3 3
제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 제어층에서의 활성금속과 Ⅲ족원소의 몰 비가 1 : 0
4 4
제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 제어층에서의 활성금속과 Ⅲ족원소의 몰 비가 1 : 0
5 5
제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 제어층에서의 활성금속과 Ⅴ족원소의 몰 비가 1 : 1 내지 1 : 1
6 6
제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 제어층에 포함되는 성장층의 두께는 0
7 7
제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 제어층에 포함되는 성장층에는 Al, Ga, Ti, Mg, Na, Li 및 Cu로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 추가원소가 더 포함되는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
8 8
제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 제어층에 포함되는 성장층의 외면에 적어도 1개 이상의 쉘을 포함하는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
9 9
제 8항에 있어서, 상기 쉘은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, PbS, PbSe, PbSeS, PbTe, GaAs, GaP, InP, InGaP, InZnP, InAs, CuS, InN, GaN, InGaN, AlP, AlAs, InAs, GaSb, InSb, AlSb, HgS, HgTe, HgCdTe, ZnCdS, ZnCdSe, CdSeTe, CuInSe2, CuInS2, AgInS2 및 SnTe로 구성되는 군에서 적어도 하나가 선택되는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점
10 10
활성금속산화물-카르복실레이트를 포함하는 용액에 Ⅲ족원소 전구체 및 Ⅴ족원소 전구체 용액을 주입하여 활성금속과 Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소가 합금된 시드를 형성하는 시드형성단계; 및 상기 시드형성단계 후 Ⅲ족원소-활성금속-Ⅴ족원소 복합용액 성장층을 형성시키는 성장층형성단계;를 포함하는 밴드갭 제어층을 가지는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점의 제조방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 활성금속산화물-카르복실레이트는 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 밴드갭 제어층을 가지는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2020209579 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 울산과학기술원 (유형1-1)중견연구(연평균연구비 1억원 이내) 발광소자 맞춤형 차세대 InxGa1-xN 양자점 개발