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제1 기판 상에 제1 전이금속을 포함하는 전이금속층을 형성하는 단계;상기 전이금속층을 패터닝하여 전이금속 패턴층을 형성하는 단계;제2 기판 상에 칼코젠 물질을 포함하는 칼코젠 물질층을 형성하는 단계;상기 칼코젠 물질층이 형성된 상기 제2 기판을 상기 전이금속 패턴층이 형성된 상기 제1 기판 상에 적층하여, 상기 전이금속 패턴층과 상기 칼코젠 물질층이 직접적으로 접촉하게 하는 단계;상기 칼코젠 물질층을 열처리하는 단계;상기 열처리에 의하여 상기 칼코젠 물질층으로부터 기화되어 추출된 상기 칼코젠 물질이 상기 전이금속 패턴층의 상기 제1 전이금속과 반응하여 전이금속-칼코젠 화합물을 형성하고, 이에 따라 전이금속-칼코젠 화합물 패턴 구조체를 형성하는 단계; 및상기 전이금속-칼코젠 화합물 패턴 구조체의 형성 후, 상기 칼코젠 물질층이 형성된 상기 제2 기판을 제거하는 단계를 포함하는,전이금속-칼코젠 화합물 패턴 구조체의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 제1 기판은 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiO2), 석영(quartz), 알루미늄 산화물(Al2O3), 및 그래핀(graphene) 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 결정성 및 비결정성에 무관하게 모든 종류의 기판을 포함하는, 전이금속-칼코젠 화합물 패턴 구조체의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 전이금속은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 텔루륨(Te), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 레늄(Re), 코발트(Co), 니켈(Ni), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 전이금속-칼코젠 화합물 패턴 구조체의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 칼코젠 물질층은 황(S), 셀레늄(Se), 및 텔루륨(Te) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 전이금속-칼코젠 화합물 패턴 구조체의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 칼코젠 물질층은 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 전이금속-칼코젠 화합물 패턴 구조체의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 열처리하는 단계는 450℃ 내지 550℃ 범위의 온도에서 수행되는, 전이금속-칼코젠 화합물 패턴 구조체의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 열처리하는 단계는 불활성 분위기에서 수행되는, 전이금속-칼코젠 화합물 패턴 구조체의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 전이금속-칼코젠 화합물은 WTe2, MoTe2, 및 WxMo1-xTe2 (여기에서, 0003c#x003c#1) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 전이금속-칼코젠 화합물 패턴 구조체의 제조 방법
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