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(a) 실리콘 웨이퍼 상면에 제1 절연층을 형성하는 단계, (b) 상기 (a)단계에 의해 형성된 제1 절연층에 제1 포토레지스트 Spin 코팅을 하는 단계,(c) 상기 (b)단계에 의해 코팅된 상면에 포토마스크와 UV 노출을 통해 공중 부유형 포토레지스트 와이어와 전극 기둥부를 형성하는 단계,(d) 상기 공중 부유형 포토레지스트 와이어와 전극 기둥부를 제외한 영역에 형성된 포토레지스트를 현상하는 단계, 그리고 (e) 상기 공중 부유형 포토레지스트 와이어와 전극 기둥부를 열분해하여 공중 부유형 탄소 와이어 및 탄소 전극으로 변형하는 단계를 포함하는 가스센서의 제조방법
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제1항에 있어서,(f) 상기 (e)단계에 의해 변형된 공중 부유형 탄소 와이어와 탄소 전극 상면에 제2 절연층을 형성하는 단계,(g) 상기 (f)단계에 의해 형성된 제2절연층 상면에 포토레지스트 Spin 코팅을 하는 단계,(h) 상기 (g)단계에 의해 코팅된 면을 포토리쏘그래피를 통해 탄소 전극 윗면과 제 2절연층이 접하는 영역상의 제2 절연층을 노출하는 단계, 그리고 (i) 상기 (h)단계에 의해 노출된 상기 제2 절연층을 식각하여 전극영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 가스센서의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (a)단계에서,상기 제1 절연층은 Wet oxidation를 이용하여 형성되는 가스센서의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계에서, 상기 제1 포토레지스트는 네거티브 포토레지스트를 이용하여 코팅되는 가스센서의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 (f)단계에서, 상기 제2 절연층은 ALD(Atomic layer deposition)를 이용하여 형성되는 가스센서의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 (g)단계에서, 상기 제2 포토레지스트는 파지티브 또는 네거티브 포토레지스터를 이용하여 코팅되는 가스센서의 제조 방법
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실리콘 웨이퍼 상면에 형성되는 복수의 탄소전극,상기 복수의 탄소전극 상부를 연결하는 공중 부유형 탄소와이어를 포함하는 가스센서
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제7항에 있어서,상기 공중 부유형 탄소와이어에 교류를 인가하여 가열하고, 상기 교류의 주파수에 따른 탄소 나노와이어의 저항을 측정하여 가스 기체의 종류 및 농도를 측정하는 가스센서
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