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(a) 실리콘 기판의 상면에 절연층을 증착하는 단계, (b) 상기 (a) 단계에 의해 증착된 절연층 상에 네거티브 포토레지스트를 코팅하는 단계, (c) 상기 (b) 단계에 의해 코팅된 네거티브 포토레지스트에 자외선을 노광하는 단계, (d) 상기 (c) 단계에서 노광된 네거티브 포토레지스트 상에 추가적으로 포토레지스트를 코팅하는 단계, (e) 상기 (d) 단계에서 코팅된 네거티브 포토레지스트에 자외선을 노광하는 단계, (f) 상기 (c)와 (e) 단계에서 노광된 네거티브 포토레지스트를 현상하는 처리를 수행하여 복수의 3차원 마이크로 구조를 포함하는 계층 구조의 포토레지스트 폴리머 구조체를 형성하는 단계, (g) 상기 (f)단계에 의해 형성된 상기 폴리머 구조체에 산소 플라즈마 식각 장비를 이용하여 다공성 구조를 형성하는 단계, (h) 다공성 폴리머 구조체를 열분해 하여 다공성 3D 탄소 구조체로 변환하는 단계,(i) 상기 변환된 다공성 탄소 전극에 절연층을 증착하는 단계, (j) 상기 (i) 단계에서 형성된 절연층 상에 포지티브 포토레지스트를 코팅하는 단계, (k) 상기 (j) 단계에서 코팅된 포토레지스트에 자외선 노광을 하는 단계, (l) 상기 (k) 단계에서 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계, (m) 상기 (l) 단계에서 노출된 절연층을 식각하여 제거하는 단계, (n) 포지티브 포토레지스트를 제거하는 단계, 그리고 (o) 상기 패터닝된 다공성 탄소 전극에 나뭇가지 형태의 비스무트 나노 입자를 도포하는 단계를 포함하며,상기 (j)단계에서, 상기 절연층 패터닝은 폴리머, SiO2 및 Al2O3 중에서 어느 하나에 의하여 패터닝을 처리하고,상기 (o)단계에서, 파동 전착 방식을 이용하여 상기 나뭇가지 형태의 비스무트 나노 입자를 도포하고,상기 (g)단계에서, 상기 폴리머 구조체는 상기 산소 플라즈마 폴리머 식각 공정 처리 시간이 기준시간 이상일 경우에 다공성 구조로 변환되며, 상기 기준시간은 200초인 중금속 센서 제조방법
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