1 |
1
P형 반도체 층; 상기 P형 반도체 층의 일 면에 배치되는 제1 전극; 상기 P형 반도체 층의 반대 면에 배치되는 제2 전극; 상기 제1 전극에 대하여 상기 P형 반도체 층의 반대 편에 배치되는 유전체 층; 상기 유전체 층에 대하여 상기 제1 전극의 반대 편에, 상기 유전체 층과 이격되도록 배치되며, 상기 유전체 층에 단속적으로 접촉하는 제3 전극;을 포함하고,상기 제2 전극에 고온을 형성하고, 상기 제1 전극에 저온을 형성하는 열전발전소자
|
2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 유전체 층은 상기 제3 전극과의 접촉에 의해 음전하로 대전되며, 상기 제3 전극은 상기 유전체와의 접촉에 의해 양전하로 대전되는, 열전발전소자
|
3 |
3
청구항 2에 있어서, 상기 유전체에 대전된 음전하는 상기 제1 전극에 전계 효과를 주어, 상기 제1 전극의 상기 유전체가 배치된 편에는 양전하가 유도되고, 상기 제1 전극의 상기 P형 반도체 층이 배치된 편에는 음전하가 유도되는, 열전발전소자
|
4 |
4
청구항 2에 있어서, 상기 유전체에 대전된 음전하는 상기 P형 반도체 층에 전계 효과를 주어, 상기 P형 반도체 층에 정공을 유도하는, 열전발전소자
|
5 |
5
삭제
|
6 |
6
청구항 2에 있어서, 상기 제3 전극이 상기 유전체와 접촉될 때 상기 제2 전극과 상기 제1 전극 사이의 전위차가, 상기 제3 전극이 상기 유전체와 이격될 때 상기 제2 전극과 상기 제1 전극 사이의 전위차보다 큰, 열전발전소자
|
7 |
7
청구항 2에 있어서, 상기 제3 전극과 상기 유전체가 접촉될 때 상기 P형 반도체 층에 유도되는 정공이, 상기 제3 전극과 상기 유전체가 이격될 때 상기 P형 반도체 층에 유도되는 정공보다 더 많은, 열전발전소자
|
8 |
8
N형 반도체 층; 상기 N형 반도체 층의 일 면에 배치되는 제1 전극; 상기 N형 반도체 층의 반대 면에 배치되는 제2 전극; 상기 제1 전극에 대하여 상기 N형 반도체 층의 반대 편에 배치되는 유전체 층; 상기 유전체 층에 대하여 상기 제1 전극의 반대 편에, 상기 유전체 층과 이격되도록 배치되며, 상기 유전체 층에 단속적으로 접촉하는 제3 전극;을 포함하고,상기 제2 전극에 고온을 형성하고 상기 제1 전극에 저온을 형성하는 열전발전소자
|
9 |
9
청구항 8에 있어서, 상기 유전체 층은 상기 제3 전극과의 접촉에 의해 양전하로 대전되며, 상기 제3 전극은 상기 유전체와의 접촉에 의해 음전하로 대전되는, 열전발전소자
|
10 |
10
청구항 9에 있어서, 상기 유전체에 대전된 양전하는 상기 제1 전극에 전계 효과를 주어, 상기 제1 전극의 상기 유전체가 배치된 편에는 음전하가 유도되고, 상기 제1 전극의 상기 N형 반도체 층이 배치된 편에는 양전하가 유도되는, 열전발전소자
|
11 |
11
청구항 9에 있어서, 상기 유전체에 대전된 양전하는 상기 N형 반도체 층에 전계 효과를 주어, 상기 N형 반도체 층에 전자를 유도하는, 열전발전소자
|
12 |
12
삭제
|
13 |
13
청구항 9에 있어서, 상기 제3 전극과 상기 유전체가 접촉될 때 상기 N형 반도체 층에 유도되는 전자가, 상기 제3 전극과 상기 유전체가 이격될 때 상기 N형 반도체 층에 유도되는 전자보다 더 많은, 열전발전소자
|
14 |
14
서로 이격되어 배치된 P형 반도체와 N형 반도체; 상기 P형 반도체의 상부와 상기 N형 반도체의 상부를 연결하는 상부전극;상기 N형 반도체의 하부에 배치되는 제1 하부전극;상기 제1 하부전극의 하부에 배치되는 양전하 대전체; 상기 P형 반도체의 하부에 배치되는 제2 하부전극; 상기 제2 하부전극의 하부에 배치되는 음전하 대전체;상기 양전하 대전체의 하부에 이격되어 배치되며 상기 양전하 대전체와 접촉했을 때 음전하로 대전되는 제3 전극; 상기 음전하 대전체의 하부에 이격되어 배치되며 상기 음전하 대전체와 접촉했을 때 양전하로 대전되는 제4 전극;을 포함하는, 열전발전 모듈
|
15 |
15
청구항 14에 있어서, 상기 제3 전극은 외력에 따라 단속적으로 상기 양전하 대전체와 접촉하고, 상기 양전하 대전체는 상기 제1 하부전극 및 상기 N형 반도체에 전계 효과를 주는, 열전발전 모듈
|
16 |
16
청구항 15에 있어서, 상기 전계 효과로 인해 상기 N형 반도체에 전자가 유도되는, 열전발전 모듈
|
17 |
17
청구항 14에 있어서, 상기 제4 전극은 외력에 따라 단속적으로 상기 음전하 대전체와 접촉하고, 상기 음전하 대전체는 상기 제2 하부전극 및 상기 P형 반도체에 전계 효과를 주는, 열전발전 모듈
|
18 |
18
청구항 17에 있어서, 상기 전계 효과로 인해 상기 P형 반도체에 정공이 유도되는, 열전발전 모듈
|