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리튬 이차 전지용 음극 활물질, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지

  • 기술번호 : KST2022015409
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 리튬 이차 전지용 음극 활물질, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지에 관한 것으로, 내부 및/또는 표면에 기공을 포함하는 탄소계 입자; 및 상기 탄소계 입자의 기공 및/또는 기공이 없는 표면 상에 위치하는 실리콘계 물질을 포함하는 코팅층;을 포함하고, 전체 입자 중 1㎛ 미만의 입경을 갖는 미분의 함량이 1부피% 이하인 리튬 이차 전지용 음극 활물질, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지를 제공할 수 있다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/583 (2010.01.01) H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) C01B 32/05 (2017.01.01) C23C 16/32 (2006.01.01) C23C 16/44 (2006.01.01)
CPC H01M 4/364(2013.01) H01M 4/583(2013.01) H01M 4/587(2013.01) H01M 4/625(2013.01) H01M 10/052(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C23C 16/325(2013.01) C23C 16/4417(2013.01) H01M 4/366(2013.01) C01P 2004/80(2013.01) C01P 2006/11(2013.01) C01P 2006/16(2013.01) C01P 2006/40(2013.01)
출원번호/일자 1020190085729 (2019.07.16)
출원인 에스케이온 주식회사, 울산과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0009468 (2021.01.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.06.27)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이온 주식회사 대한민국 서울특별시 종로구
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지희 대전광역시 유성구
2 김준섭 대전광역시 유성구
3 김남형 울산광역시 울주군
4 이윤광 울산광역시 울주군
5 이태용 울산광역시 울주군
6 조재필 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0727520-96
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.12.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5260828-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.12.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5263004-74
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2022.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2022-0042496-47
7 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2022-5136918-26
8 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2022.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2022-0670682-41
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부 및/또는 표면에 기공을 포함하는 탄소계 입자; 및상기 탄소계 입자의 기공 및/또는 기공이 없는 표면 상에 위치하는 실리콘계 물질을 포함하는 코팅층;을 포함하고,전체 입자 중 1㎛ 미만의 입경을 갖는 미분의 함량이 1부피% 이하인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
2 2
제 1항에서,전체 입자 중 1㎛ 미만의 입경을 갖는 미분의 함량이 0
3 3
제 1항에서,하기 식 1을 만족하는 리튬 이차 전지용 음극 활물질
4 4
제 1항에서,상기 리튬 이차 전지용 음극 활물질은, 상기 탄소계 입자에 상기 코팅층을 형성하기 전 대비 상기 코팅층을 형성한 후의 Dv50의 증가율이 50% 이하인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
5 5
제 4항에서,상기 리튬 이차 전지용 음극 활물질은, 상기 탄소계 입자에 상기 코팅층을 형성하기 전 대비 상기 코팅층을 형성한 후의 Dv50의 증가율이 20% 이하인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
6 6
제 1항에서,탭밀도(tab density)가 0
7 7
제 1항에서,상기 탄소계 입자는 내부 및 표면에 기공을 포함하는 리튬 이차 전지용 음극 활물질
8 8
제 1항에서,상기 탄소계 입자의 기공의 평균 직경이 30nm 이상 900nm 이하인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
9 9
제 1항에서,상기 실리콘계 물질을 포함하는 코팅층은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)으로 형성된 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
10 10
제 1항에서,상기 실리콘계 물질을 포함하는 코팅층 상에 위치하는 탄소 코팅층을 더 포함하는 리튬 이차 전지용 음극 활물질
11 11
(a) 탄소계 물질 및 기공 형성용 세라믹 입자를 교반기에 투입하는 단계;(b) 상기 교반기에서 건식으로 교반하여 상기 탄소계 물질의 매트릭스 내 기공 형성용 세라믹 입자가 분산된 전구체를 제조하는 단계;(c) 상기 전구체를 소성하는 단계;(d) 상기 소성된 전구체에 기공 형성용 세라믹 입자 식각 용액을 혼합하여, 내부 및/또는 표면에 기공을 포함하는 다공성 탄소계 입자를 수득하는 단계; 및(e) 상기 다공성 탄소계 입자 상에 실리콘계 물질을 포함하는 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 전(全) 공정에서 분쇄를 수행하지 않는, 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
12 12
제 11항에서,상기 교반기는 블레이드 및 교반실린더 간에 간극이 존재하는 블레이드 믹서인 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
13 13
제 11항에서,상기 (e) 단계는, 불활성 분위기 하에서 화학기상증착을 통해 실리콘계 물질을 포함하는 코팅층을 형성하는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
14 14
제 11항에서,상기 기공 형성용 세라믹 입자의 평균 입경이 30nm 이상 900nm 이하인 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
15 15
제 11항에서,상기 (c) 단계의 소성온도는, 600℃ 이상 1000℃ 이하인 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
16 16
제 1항에서,상기 (e) 단계 이후, (f) 탄소계 물질을 혼합 및 교반한 뒤 소성하는 단계를 더 포함하는 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
17 17
제 1항의 음극 활물질을 포함하는 리튬 이차 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.