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제1전극부를 준비하고, 상기 제1전극부 상에 돌출되도록 복수 개의 돌출부들을 형성하고, 상기 제1전극부 및 상기 돌출부들 상의 전부 또는 일부에 도전성을 갖는 복수 개의 입자들을 배치하여 제1마찰부를 준비하는 단계;상기 입자들로부터 이격되어 배치되되, 상기 제1마찰부와 상이한 마찰전기 시리즈(triboelectric series) 값을 가지는 제2마찰부를 준비하는 단계; 및외력에 의해서 상기 제1마찰부와 상기 제2마찰부의 접촉과 분리가 반복되어 생성되는 마찰전기를 수집하는 제어부를 상기 제1전극부 및 상기 제2마찰부에 각각 연결하는 단계를 포함하고,상기 복수 개의 입자들은,Mn+1XnT(n은 1, 2 또는 3임) 조성의 파우더를 준비하고 분산액에 분산시켜 제1용액을 준비하는 단계;상기 제1용액을 원심분리 하여 생성되는 침전층을 물에 분산시켜 제2용액을 준비하는 단계;상기 제2용액을 퍼징(purging) 가스로 퍼징하고, 분산기(sonicator)를 이용하여 상기 Mn+1XnT 입자를 분산시켜 제3용액을 준비하는 단계;상기 제3용액을 원심분리 후 얻어지는 상층액을 분리하여 제4용액을 준비하는 단계;상기 제4용액을 데미 워터(demi water)에 분산하고, 폴리에틸렌이민(PEI, polyethyleneimine)을 추가하여 제5용액을 준비하는 단계;상기 제5용액에 포함되어 있는 상기 Mn+1XnT 입자를 쪼개서 제6용액을 준비하는 단계; 및상기 제6용액을 준비하는 단계에서 쪼개지지 않은 상기 Mn+1XnT 입자를 제거한 제7용액을 준비하는 단계를 통해서 얻어지며,상기 M은 원소주기율표의 제3족, 제4족, 제5족 및 제6족 원소 중에서 선택되는 적어도 하나의 전이금속이고, 상기 X는 탄소(C), 질소(N) 또는 이들의 조합이고, 상기 T는 옥사이드(O), 히드록사이드(OH), 플루오라이드(F), 클로라이드(Cl), 브로마이드(Br), 아이오다이드(I) 또는 이들의 조합이며,상기 돌출부들은,나노로드들(nano rods)로 형성되며,상기 입자들은,상기 나노로드들 상에 배치되더라도 상기 나노로드들의 나노 구조가 훼손되지 않고 그대로 유지되면서 상기 제1전극의 표면적이 넓어지도록, 상기 나노로드들의 사이사이와 상기 나노로드들 상에 퀀텀 닷(quantum dot)으로 형성되며,상기 제1용액을 준비하는 단계에서는,멀티 스택(multi stack) 구조로 형성되어 있는 상기 Mn+1XnT를 분산시키고, 상기 Mn+1XnT 사이의 거리를 넓히기 위해서 상기 Mn+1XnT를 디메틸술폭시드(DMSO, dimethylsulfoxide)에 분산시켜 교반하며,상기 제3용액을 준비하는 단계에서는,질소 가스로 퍼징하며,상기 제6용액을 준비하는 단계에서는,상기 제5용액에 포함되어 있는 상기 Mn+1XnT 입자를 더 잘 쪼개기 위해서, 상기 제5용액을 수열합성(hydrothermal) 하며,상기 제7용액을 준비하는 단계에서는,상기 수열합성 과정에서 잘게 쪼개지지 않은 벌크 사이즈의 Mn+1XnT 입자를 걸러내기 위해서, 상기 제6용액을 멤브레인을 이용하여 걸러내는,마찰전기 생성 장치 제조방법
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