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육방정계 결정구조를 가지며 육방정계 질화붕소(h-BN)와의 격자 부정합(lattice mismatch)이 15% 이하인 촉매 금속을 챔버 내에 배치하는 단계; 및질소 공급원 및 붕소 공급원을 상기 챔버 내에 공급하면서 800℃ 이하의 온도에서 상기 촉매 금속 위에 육방정계 질화붕소를 성장시키는 단계;를 포함하는 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 촉매 금속은 육방정계 결정구조를 갖는 코발트(Co), Co-Cr 합금, Co-N 합금, Co-Ir 합금, 아연(Zn), 루테늄(Ru), 테크네튬(Tc), 오스뮴(Os), 및 레늄(Re) 중에서 선택된 적어도 하나의 재료의 결정을 포함하는 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소 공급원과 붕소 공급원은 붕소와 질소의 화합물인 보라진(borazine), 1,3,5-Trimethylborazine, 2,4,6-Trimethylborazine, 아미노보레인(aminoborane), 2,4,6-trichloroborazine, B-tri(methylamino)borazine, 및 암모니아 보레인 중에서 선택된 적어도 하나의 재료를 포함하는 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소 공급원은 암모니아(NH3) 가스 및 질소(N2) 가스 중에서 선택된 적어도 하나의 재료를 포함하는 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 붕소 공급원은 BH3, BF3, BCl3, B2H6, (CH3CH2)3B, 및 (CH3)3B 중에서 선택된 적어도 하나의 재료를 포함하는 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소 공급원과 붕소 공급원은 고체상의 질화붕소 분말을 기화시켜 제공하는 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소를 성장시키기 전에, 상기 챔버 내에 배치된 촉매 금속의 표면에 있는 오염 물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 촉매 금속 위의 오염 물질을 제거하는 단계는 챔버 내에 수소 가스(H2)를 공급하고 챔버 내부의 온도를 1,000℃로 가열하는 단계를 포함하는 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 수소 가스를 100sccm의 유량으로 공급하면서 20분간 오염 물질 제거 단계를 수행하는 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소를 성장시키는 단계는 유도 결합 플라즈마 화학 기상 증착(inductively coupled plasma chemical vapor deposition) 방식으로 수행되는 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소를 성장시키는 단계는 350℃ 내지 800℃의 온도 범위 내에서 수행되는 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소를 성장시키는 단계는 수소(H2) 가스를 0 내지 100sccm의 유량으로 상기 챔버 내에 제공하고, 아르곤(Ar) 가스를 0 내지 100sccm의 유량으로 상기 챔버 내에 제공하고, 보라진(borazine)을 0
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제 1 항에 있어서,상기 촉매 금속과 상기 육방정계 질화붕소와의 격자 부정합이 10
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제 1 항에 있어서,상기 성장된 육방정계 질화붕소가 단결정 구조를 갖는 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 성장된 육방정계 질화붕소의 제곱평균제곱근 표면 거칠기가 2 nm 이하인 육방정계 질화붕소의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 성장된 육방정계 질화붕소의 제곱평균제곱근 표면 거칠기가 1
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제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법으로 제조된 것으로, 단결정 구조를 가지며 제곱평균제곱근 표면 거칠기가 2 nm 이하인 육방정계 질화붕소
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제 17 항에 따른 육방정계 질화붕소; 및상기 육방정계 질화붕소 위에 성장 또는 전사된 2차원 재료;를 포함하는 전기 소자
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제 18 항에 있어서,상기 2차원 재료는 그래핀, 전이금속 디칼코게나이드, 흑린, 또는 포스포린을 포함하는 전기 소자
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도핑된 반도체로 이루어진 소스 영역과 드레인 영역;상기 소스 영역 위에 배치된 것으로, 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법으로 제조된 제 1 육방정계 질화붕소;상기 드레인 영역 위에 배치된 것으로, 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법으로 제조된 제 2 육방정계 질화붕소;상기 제 1 육방정계 질화붕소 위에 배치된 소스 전극; 및상기 제 2 육방정계 질화붕소 위에 배치된 드레인 전극;을 포함하는 반도체 소자
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