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실리콘계 태양전지를 준비하는 단계;상기 실리콘계 태양전지의 전면에 피막층을 형성하는 단계;상기 피막층 상에, 포토리소그래피 공정으로 패턴층을 형성하는 단계;상기 패턴층이 형성된 피막층 상에, 식각 영역만 노출되도록 금속층을 형성하는 단계;상기 노출된 영역을 건식 식각법으로 식각하여, 공극을 형성하는 단계;상기 형성된 금속층을 제거하는 단계; 및상기 공극이 형성된 실리콘계 태양전지의 후면에 전극을 증착하는 단계;를 포함하고,상기 실리콘계 태양전지는, 단결정 실리콘 태양전지, 다결정 실리콘 태양전지 및 비정질 실리콘 태양전지 중 어느 하나인 것이고,상기 패턴층의 패턴은, 상기 태양전지의 전면전극 형태가 보존되도록 형성되는 것인,투명 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 피막층을 형성하는 단계는,실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥사이드 및 실리콘 카바이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 증착하여 형성하는 것인,투명 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 패턴층은,식각 영역이 양각을 이루도록 형성되는 것인,투명 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 패턴층의 패턴은, 격자무늬를 포함하는 것인,투명 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속층을 형성하는 단계는,금속을 도포한 후, 리프트 오프 공정에 의해 식각 영역 상의 금속이 제거되도록 하는 것인,투명 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 금속은, 크롬(Cr), 니켈(Ni) 및 스테인리스 스틸(SUS)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것인,투명 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 건식 식각법은,딥 반응성 이온 식각법(Deep Reactive Ion etching, DRIE), 스퍼터 식각법 또는 증기상 식각법인 것인,투명 태양전지의 제조방법
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공극을 포함하는 실리콘계 태양전지를 포함하고,제1항의 제조방법에 의해 제조된 것인,투명 태양전지
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제10항에 있어서,상기 투명 태양전지의 투과율은,50 % 내지 70 %인 것인,투명 태양전지
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제10항에 있어서,상기 투명 태양전지의 공극율은,50 % 내지 80 % 인 것인,투명 태양전지
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제10항에 있어서,상기 공극의 형상은,삼각형, 사각형, 원형, 타원형 및 다각형으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것인,투명 태양전지
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제10항에 있어서,상기 공극의 형상은 사각형이고,상기 사각형의 한 변의 길이는 50 ㎛ 내지 200 ㎛인 것인,투명 태양전지
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제10항에 있어서,상기 공극의 중심 간의 거리는,10 ㎛ 내지 1,000 ㎛ 인 것인,투명 태양전지
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제10항에 있어서,상기 투명 태양전지의 활성 영역은,100 mm2 내지 300 mm2 인 것인,투명 태양전지
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제10항에 있어서,중성 색상의 구현이 가능한 것인,투명 태양전지
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