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핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 제조 방법 및 포텐셜 에너지 표면 제어 방법

  • 기술번호 : KST2022015446
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 제조 방법을 제공하고자 한다. 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 제조 방법은 핵산 단위체와 양이온 금속의 염을 3:1 내지 8:1의 몰비로 혼합한 용액을 형성하고, 상기 혼합 용액 내에서 상기 핵산 단위체와 상기 양이온이 정전기적 인력으로 결합하여 상기 핵산 단위체로 이루어진 핵산 복합체와 상기 핵산 복합체의 중심에 배치된 상기 양이온으로 이루어진 마크로사이클을 형성하고, 상기 마크로사이클이 복수개이고, 상기 복수개의 마크로사이클이 각각 π-π상호작용(interaction)으로 적층되어 이온 채널을 형성하는 것을 포함한다.
Int. CL H01M 10/0565 (2010.01.01) H01B 1/12 (2006.01.01) C07H 21/00 (2006.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01)
CPC H01M 10/0565(2013.01) H01B 1/122(2013.01) C07H 21/00(2013.01) H01M 10/052(2013.01) H01M 2300/0065(2013.01)
출원번호/일자 1020190119942 (2019.09.27)
출원인 울산과학기술원
등록번호/일자 10-2279178-0000 (2021.07.13)
공개번호/일자 10-2021-0037371 (2021.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20210719) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.09.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상영 울산광역시 울주군
2 조석규 울산광역시 울주군
3 양창덕 울산광역시 울주군
4 강소희 울산광역시 울주군
5 유자형 울산광역시 울주군
6 이승호 울산광역시 울주군
7 곽상규 울산광역시 울주군
8 이경민 울산광역시 울주군
9 고은민 울산광역시 울주군
10 이지은 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0992890-12
2 보정요구서
Request for Amendment		 2019.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0162758-96
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-1056436-21
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0017531-52
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0079361-50
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0367645-08
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2021-0367644-52
11 등록결정서
Decision to grant		 2021.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0496557-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
핵산 단위체와 양이온 금속의 염을 3:1 내지 8:1의 몰비로 혼합한 용액을 형성하고,상기 혼합 용액 내에서 상기 핵산 단위체와 상기 양이온이 정전기적 인력으로 결합하여 상기 핵산 단위체로 이루어진 핵산 복합체와 상기 핵산 복합체의 중심에 배치된 상기 양이온으로 이루어진 마크로사이클을 형성하고, 상기 마크로사이클이 복수개이고, 상기 복수개의 마크로사이클이 각각 π-π상호작용(interaction)으로 적층되어 이온 채널을 형성하는 것을 포함하는 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 제조방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 핵산 단위체와 상기 양이온 금속의 염을 혼합하기 전에 상기 핵산 단위체에서 상기 핵산 복합체의 중심 영역을 향하는 영역에 작용기를 치환하여, 상기 중심에 배치된 상기 양이온과 상기 이온 채널 사이의 인력을 제어하는 것을 포함하는 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 제조방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 핵산 단위체와 상기 양이온 금속의 염을 혼합하기 전에,상기 핵산 단위체에서 상기 핵산 복합체의 외곽 영역을 향하는 영역에 작용기를 치환하는 것을 포함하는 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 제조방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 이온 채널은 복수개이고, 상기 복수개의 이온 채널이 수직 배향 방법에 의해 수직으로 배향되는 것을 더 포함하는 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 제조방법
5 5
제4 항에 있어서, 상기 수직 배향 방법에 의해 수직으로 배향시 추출 용매를 기체 상태로 주입하는 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 제조방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 이온 전도도는 10-6 ~ 10-3 S/cm 인 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 제조방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 양이온 수송 계수는 0
8 8
제1 항에 있어서, 상기 핵산 단위체는 퓨린계 핵산, 치환된 퓨린계 핵산, 피리미딘계 핵산, 치환된 피리미딘계 핵산, 또는 이들의 파생 분자인 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 제조방법
9 9
제1 항에 있어서, 상기 핵산 단위체는 퓨린계 핵산, 치환된 퓨린계 핵산, 또는 이들의 파생 분자인 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 제조방법
10 10
제1 항에 있어서, 상기 양이온은 Li+, Na+, K+, Mg++, Zn++, 또는 Al+++인 핵산 기반 고체상 단이온 전도체의 제조방법
11 11
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12 12
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패밀리정보가 없습니다
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