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(ⅰ) 비스무스바나데이트(BiVO4) 전극 및 (ⅱ) 상기 비스무스바나데이트 전극의 표면에 흡착된 그래핀 양자점을 포함하고,상기 그래핀 양자점은 바나듐 이온의 흡착에 의해 바나듐-기능화된 그래핀 비스무스바나데이트 전극
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제1항에 있어서,상기 바나듐-기능화된 그래핀 양자점을 함유하는 비스무스바나데이트에 대한 라만 분광분석 결과, 350 내지 400 cm-1 범위에서 형성되는 유효피크에 있어서, 상기 (ⅰ) 비스무트바나데이트의 피크 강도 (IA)와 상기 바나듐-기능화된 그래핀 양자점을 함유하는 비스무스바나데이트의 피크 강도(IB)의 강도비(IB/IA)는 1
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제1항 또는 제2항 따른 바나듐-기능화된 그래핀 양자점을 함유하는 비스무스바나데이트 전극을 포함하는 포토애노드
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제3항에 따른 포토애노드를 포함하는 물 분해용 광전기화학 전지
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(a) NaOH 용액 및 그래핀 양자점(GQD)의 혼합용액을 준비하는 단계, (b) 바나듐옥사이드(V2O5)를 함유하는 BiVO4 전극을 상기 혼합용액에 침지하는 단계를 포함하는, 바나듐-기능화된 그래핀 양자점을 함유하는 비스무스바나데이트 전극의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 NaOH 용액의 농도는 0
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제6항에 있어서,상기 탄소물질은 탄소섬유, 탄소나노튜브, 그래핀, 흑연, 비정질 탄소, 숯 및 탄소 기반으로 이루어진 물질 중에서 선택되는 1종 이상이고,상기 산은 황산, 질산, 아세트산, 염산, 폼산, 탄산 및 아이오딘산 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 바나듐-기능화된 그래핀 양자점을 함유하는 비스무스바나데이트 전극의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 바나듐옥사이드를 함유하는 BiVO4 전극은, BiOI(Bismuth iodide oxide) 나노시트가 형성된 투명기판을 바나듐 전구체 용액에 침치한 후 열처리하는 단계를 통하여 수득하는 것을 특징으로 하는, 바나듐-기능화된 그래핀 양자점을 함유하는 비스무스바나데이트 전극의 제조방법
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제8항에 있어서 ,상기 투명기판은 FTO , ZnO, ITO, AZO, GZO, IZO, 및 IGZO 중에서 선택되는 1종이고,상기 바나듐 전구체는 , 바나딜 아세틸아세토네이트(vanadyl acetylacetonate), 암모늄메타바나데이트(ammonium metavandate), 바나듐펜톡사이드(vanadium pentoxide) 및 바나듐트라이옥사이드(vanadium trioxide) 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 바나듐-기능화된 그래핀 양자점을 함유하는 비스무스바나데이트 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 열처리는 300 내지 600 ℃에서 30 분 내지 10 시간 동안 수행되는 것 을 특징으로 하는, 바나듐-기능화된 그래핀 양자점을 함유하는 비스무스바나데이트 전극의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 (b) 단계에서 침지 시간은 10 내지 200 분인 것을 특징으로 하는, 바나듐-기능화된 그래핀 양자점을 함유하는 비스무스바나데이트 전극의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 NaOH 용액의 농도는 0
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