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기판;상기 기판 상에 코팅되며, 열원에 의한 온도 구배가 이루어지고 일정한 자화 방향을 갖는 자성절연체를 포함하는 자성절연막; 및상기 자성절연막 상에 증착되는 전극을 포함하고,상기 자성절연막의 두께는 5 내지 30 nm의 범위 이내이고,상기 전극은 서로 반대 부호의 스핀홀각을 가지는 두 개의 전극이 교대로 직렬 배치되고,상기 서로 반대 부호의 스핀홀각을 가지는 두 개의 전극은 각각 백금(Pt), 금(Au), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W), 로듐(Rh), 이리듐(Ir) 및 비스무트 셀레나이드(BixSe1-x(단, 0003c#x003c#1))로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 금속과 크롬(Cr), 나이오븀(Nb), 바나듐(V), 몰리브덴(Mo) 및 탄탈럼(Ta)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 금속이고,가시광선 영역(380 내지 770 nm)에서 투과도가 40 내지 95 %의 범위 이내인 것을 특징으로 하는, 투명 스핀열전소자
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제1항에 있어서,상기 자성절연막에 열원에 의한 온도 구배가 이루어지면, 상기 자성절연막에서 상기 전극을 향하여 흐르는 스핀류(Spin Current)가 생성되고, 상기 전극에서 역스핀 홀 효과(Inverse Spin Hall Effect)에 의하여 상기 자화 방향과 수직인 방향으로 전류가 발생되는 것을 특징으로 하는, 투명 스핀열전소자
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제1항에 있어서,상기 기판은 규소(Silicon; Si), 산화 규소(Oxidized Silicon; SiO2), 쿼츠(Quartz), 알루미나, 사파이어 및 가돌리늄 갈륨 가닛(Gadolinium Gallium Garnet; GGG)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 투명 스핀열전소자
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제1항에 있어서, 상기 자성절연체는 이트륨 철 가닛(Yttrium Iron Garnet; Y3F5O12; YIG)인 것을 특징으로 하는, 투명 스핀열전소자
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제1항에 있어서,상기 자성절연막은 상기 기판 상에 스핀 코팅(Sping Coating)되어 형성되는 것을 특징으로 하는, 투명 스핀열전소자
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제1항에 있어서,상기 전극의 두께는 0
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 열원에 의한 온도 구배가 이루어지고 일정한 자화 방향을 갖는 자성절연체를 코팅하여 자성절연막을 생성하는 단계; 및상기 자성절연막 상에 전극을 증착하는 단계를 포함하고,상기 자성절연막의 두께는 5 내지 30 nm의 범위 이내이고,상기 전극은 서로 반대 부호의 스핀홀각을 가지는 두 개의 전극이 교대로 직렬 배치되고,상기 서로 반대 부호의 스핀홀각을 가지는 두 개의 전극은 각각 백금(Pt), 금(Au), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W), 로듐(Rh), 이리듐(Ir) 및 비스무트 셀레나이드(BixSe1-x(단, 0003c#x003c#1))로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 금속과 크롬(Cr), 나이오븀(Nb), 바나듐(V), 몰리브덴(Mo) 및 탄탈럼(Ta)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 금속이고,가시광선 영역(380 내지 770 nm)에서 투과도가 40 내지 95 %의 범위 이내인 것을 특징으로 하는, 투명 스핀열전소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 기판은 규소(Silicon; Si), 산화 규소(Oxidized Silicon; SiO2), 쿼츠(Quartz), 알루미나, 사파이어 및 가돌리늄 갈륨 가닛(Gadolinium Gallium Garnet; GGG) 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 투명 스핀열전소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 자성절연체는 이트륨 철 가닛(Yttrium Iron Garnet; Y3F5O12; YIG)인 것을 특징으로 하는, 투명 스핀열전소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 자성절연막을 생성하는 단계는 스핀 코팅(Spin Coating)에 의하여 상기 자성절연체가 코팅되는 것을 특징으로 하는, 투명 스핀열전소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 자성절연막을 생성하는 단계에서 상기 코팅은 1 내지 6 회 반복되는 것을 특징으로 하는, 투명 스핀열전소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 전극의 두께는 0
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