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텔루라이드 기반 열전 박막 재료를 준비하는 단계;상기 텔루라이드 기반 열전 박막 재료를 용매에 용해시켜 열전 소재 용액을 제조하는 단계;상기 열전 소재 용액에 하이드라이드를 첨가하여 혼합 용액을 제조하는 단계; 및상기 혼합 용액을 이용하여 기판 상에 코팅하여 열전 박막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 혼합 용액을 제조하는 단계는, 철-백금 나노 입자를 2상 리간드 치환법을 통해 첨가하는 단계를 더 포함하는 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 혼합 용액을 제조하는 단계는, 과량 텔루륨 제거제를 첨가하는 것을 포함하는 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 과량 텔루륨 제거제는, 트리-n-옥틸포스핀(Tri-n-octylphosphine; TOP), 트리뷰틸포스핀(Tributylphosphine) 또는 이 둘인 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 용매는, 아민계 용매, 티올계 용매 또는 이 둘을 포함하는 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 용매는, 에틸렌디아민, 에탄디티올 또는 이 둘을 포함하는 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 용매는, 아민계 용매 및 티올계 용매의 혼합 용매이고,상기 혼합 용매 중, 상기 아민계 용매 : 상기 티올계 용매의 부피비는, 1 : 1 내지 1 : 30인 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 하이드라이드는, 리튬하이드라이드, 게르마늄 테트라하이드라이드, 트리사이클로헥실틴 하이드라이드, 실리콘 테트라하이드라이드, 타느륨 사이아노브로민하이드라이드, 리튬 보로하이드라이드, 리튬 알루미늄 하이드라이드 및 리튬 트리에틸보로하이드라이드를 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열전 박막을 형성하는 단계는, 어닐링을 포함하는 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 어닐링은, 220 ℃이상의 온도에서 수행되는 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 코팅은, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 바 코팅, 롤 코팅, 딥 코팅, 드롭 캐스팅 또는 스크린 코팅의 방법으로 수행되는 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 모든 단계는, 불활성 분위기로 진행되는 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재의 제조방법
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기판; 및상기 기판 상에 형성된 텔루라이드 기반 열전 박막;을 포함하고,제1항 내지 제9항, 제11항 및 제12항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재
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제13항에 있어서,상기 기판은, 유리, 실리콘 및 폴리이미드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재
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제13항에 있어서,423 K에서 열전 성능 계수(ZT)가 0
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제13항에 있어서,로트게링법(Lotgering's method)에 의해 측정된 배향 지수가 0
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제13항에 있어서,상기 텔루라이드 기반 열전 박막은, 안티모니 텔루라이드(Sb2Te3), 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 및 텔루르화 납(PbTe)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재
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제13항에 있어서,상기 텔루라이드 기반 열전 박막의 역률(Power factor)은, 300 K 내지 450 K에서 5 ㎼/㎝K² 이상인 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재
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제13항에 있어서,상기 텔루라이드 기반 열전 박막은, 텔루라이드 기반 물질에 배위 결합된 나노 입자를 포함하는 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재
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제19항에 있어서,상기 나노 입자는, 철-백금(FePt) 나노 입자인 것인,텔루라이드 기반 열전 박막 소재
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