| 1 |
1
기판 상에 제1 방향으로 연장하는 핀 구조체를 형성하는 것;상기 핀 구조체 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 게이트 구조체를 형성하는 것; 및상기 핀 구조체에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 것;을 포함하고,상기 핀 구조체는, 상기 기판 상에 차례로 적층되는 정전류 형성 핀 및 채널층을 포함하고, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 채널 층에 형성되되, 상기 게이트 구조체를 사이에 두고 서로 이격되고,상기 정전류 형성 핀은 상기 드레인 영역과 상기 기판 사이에 정전류를 형성하되, 에피택시 성장(Epitaxial Growth) 공정에 의해 형성되며,상기 드레인 영역 및 상기 정전류 형성 핀 사이에 전기장이 형성되고,상기 전기장의 세기는 106 V/cm 이상인 트랜지스터 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 핀 구조체를 형성하는 것은:상기 기판 상에 예비 정전류 형성층을 형성하는 것; 및상기 예비 정전류 형성층을 패터닝하여 상기 정전류 형성 핀을 형성하는 것; 및상기 정전류 형성 핀 상에 상기 채널 층을 형성하는 것;을 포함하는 트랜지스터 제조 방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 예비 정전류 형성층 및 상기 채널 층은 에피택시 성장 공정에 의해 형성되는 트랜지스터 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 핀 구조체를 형성하는 것은:상기 기판 상에 예비 정전류 형성층을 형성하는 것; 상기 예비 정전류 형성층 상에 예비 채널 층을 형성하는 것; 및상기 예비 채널 층 및 상기 예비 정전류 형성층을 패터닝하는 것;을 포함하는 트랜지스터 제조 방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 예비 정전류 형성층 및 상기 예비 채널 층은 에피택시 성장 공정에 의해 형성되는 트랜지스터 제조 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 기판 및 상기 정전류 형성 핀은 제1 도전형을 갖고,상기 정전류 형성 핀의 도핑 농도는 3 X 1018 cm-3 이상인 트랜지스터 제조 방법
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 정전류 형성 핀의 측면들 상에 하부 절연막을 형성하는 것;을 더 포함하고, 상기 하부 절연막의 상면은 상기 정전류 형성 핀의 상면과 동일하거나 그보다 높은 위치에 배치되는 트랜지스터 제조 방법
|
| 9 |
9
기판에 서로 다른 제1 웰 영역 및 제2 웰 영역을 형성하는 것;상기 제1 웰 영역 및 상기 제2 웰 영역 상에 제1 방향으로 연장하는 제1 핀 구조체 및 제2 핀 구조체를 각각 형성하는 것;상기 제1 핀 구조체 및 상기 제2 핀 구조체 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 게이트 구조체를 형성하는 것; 및상기 제1 핀 구조체 및 상기 제2 핀 구조체의 각각에 상기 게이트 구조체를 사이에 두고 서로 이격되는 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 것;을 포함하되, 상기 제1 핀 구조체 및 상기 제2 핀 구조체는 제1 정전류 형성 핀 및 제2 정전류 형성 핀을 각각 포함하고, 상기 제1 정전류 형성 핀은 상기 제1 핀 구조체의 상기 드레인 영역과 상기 제1 웰 영역 사이에 정전류를 형성하되, 에피택시 성장(Epitaxial Growth) 공정에 의해 형성되고, 상기 제2 정전류 형성 핀은 상기 제2 핀 구조체의 상기 드레인 영역과 상기 제2 웰 영역 사이에 정전류를 형성하되, 에피택시 성장 공정에 의해 형성되며,상기 제1 핀 구조체의 상기 드레인 영역 및 상기 제1 정전류 형성 핀 사이에 106 V/cm 이상의 전기장이 형성되고,상기 제2 핀 구조체의 상기 드레인 영역 및 상기 제2 정전류 형성 핀 사이에 106 V/cm 이상의 전기장이 형성되는 삼진(Ternary) 인버터 제조 방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 제1 핀 구조체는 상기 제1 정전류 형성 핀 상에 형성되는 제1 채널 층을 더 포함하고, 상기 제2 핀 구조체는 상기 제2 정전류 형성 핀 상에 형성되는 제2 채널 층을 더 포함하며, 상기 제1 핀 구조체 및 상기 제2 핀 구조체를 형성하는 것은:상기 기판 상에 예비 정전류 형성층을 형성하는 것; 및상기 예비 정전류 형성층을 패터닝하여 상기 제1 정전류 형성 핀 및 상기 제2 정전류 형성 핀을 형성하는 것; 및상기 제1 정전류 형성 핀 및 상기 제2 정전류 형성 핀 상에 상기 제1 채널 층 및 상기 제2 채널 층을 각각 형성하는 것;을 포함하는 삼진 인버터 제조 방법
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 예비 정전류 형성층, 상기 제1 채널 층, 및 상기 제2 채널 층은 에피택시 성장 공정에 의해 형성되는 삼진 인버터 제조 방법
|
| 12 |
12
제 9 항에 있어서,상기 제1 핀 구조체는 상기 제1 정전류 형성 핀 상에 형성되는 제1 채널 층을 더 포함하고, 상기 제2 핀 구조체는 상기 제2 정전류 형성 핀 상에 형성되는 제2 채널 층을 더 포함하며, 상기 제1 핀 구조체 및 상기 제2 핀 구조체를 형성하는 것은:상기 기판 상에 예비 정전류 형성층을 형성하는 것; 상기 예비 정전류 형성층 상에 예비 채널 층을 형성하는 것; 및상기 예비 채널 층 및 상기 예비 정전류 형성층을 패터닝하는 것;을 포함하는 삼진 인버터 제조 방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 예비 정전류 형성층 및 상기 예비 채널 층은 에피택시 성장 공정에 의해 형성되는 삼진 인버터 제조 방법
|
| 14 |
14
제 9 항에 있어서,상기 제1 웰 영역 및 상기 제1 정전류 형성 핀은 제1 도전형을 갖고,상기 제2 웰 영역 및 상기 제2 정전류 형성 핀은 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 갖고,상기 제1 정전류 형성 핀 및 상기 제2 정전류 형성 핀의 각각의 도핑 농도는 3 X 1018 cm-3 이상인 삼진 인버터 제조 방법
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
제 9 항에 있어서,상기 제1 정전류 형성 핀의 측면들 및 상기 제2 정전류 형성 핀의 측면들 상에 하부 절연막을 형성하는 것;을 더 포함하고, 상기 하부 절연막의 상면은 상기 제1 정전류 형성 핀의 상면 및 상기 제2 정전류 형성 핀의 상면과 동일하거나 그보다 높은 위치에 배치되는 삼진 인버터 제조 방법
|
| 17 |
17
제 9 항에 있어서,상기 제1 핀 구조체의 상기 드레인 영역 및 상기 상기 제2 핀 구조체의 상기 드레인 영역은 서로 전기적으로 연결되어, 동일한 전압을 갖는 삼진 인버터 제조 방법
|
| 18 |
18
기판 상에 정전류 형성층을 형성하는 것;상기 정전류 형성층 상에 채널층을 형성하는 것; 상기 채널층 상에 게이트 전극을 형성하는 것; 및상기 채널층에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 것;을 포함하고,상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 게이트 전극을 사이에 두고 서로 이격되고,상기 정전류 형성층은 상기 드레인 영역과 상기 기판 사이에 정전류를 형성하되, 에피택시 성장(Epitaxial Growth) 공정에 의해 형성되며,상기 드레인 영역 및 상기 정전류 형성층 사이에 전기장이 형성되고,상기 전기장의 세기는 106 V/cm 이상인 트랜지스터 제조 방법
|
| 19 |
19
제 18 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 정전류 형성층은 동일한 도전형을 갖고, 상기 정전류 형성층의 도핑 농도는 3 X 1018 cm-3 이상인 트랜지스터 제조 방법
|
| 20 |
20
삭제
|
