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금속 물질을 포함하는 하부층;상기 하부층 상에 형성되고, 금속 물질 및 고분자 물질을 포함하는 중간층; 및상기 중간층 상에 형성되고, 고분자 물질 및 무기물을 포함하는 상부층;을 포함하고,상기 고분자 물질은, 전자 전도도를 갖지 않는 고분자 물질이고,상기 하부층, 상기 중간층 및 상기 상부층은, 다공성 구조를 포함하는 것이고,상기 하부층, 상기 중간층 및 상기 상부층 순으로, 전자 전도도가 점차 감소하는 것이고,상기 하부층, 상기 중간층 및 상기 상부층 순으로, 리튬 이온이 증착된 것인,리튬 금속 전지용 음극
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제1항에 있어서,상기 금속 물질은, 금속 나노와이어, 금속 나노 입자 및 금속 나노메쉬로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것인,리튬 금속 전지용 음극
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제1항에 있어서,상기 금속 물질은, 구리(Cu), 니켈(Ni), 아연(Zn), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것인,리튬 금속 전지용 음극
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제1항에 있어서,상기 고분자 물질은, 셀룰로오스(cellulose), 셀룰로오스(cellulose) 유도체, 폴리우레탄(polyuretan), 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트(celluloseacetate), 아세테이트 부틸레이트(acetate butylate), 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리메틸아크릴레이트(polymethyl acrylate, PMA), 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐아세테이트(polyvinylacetate, PVAc), 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone, PVP), 폴리비닐알콜(polymethyl alcohol, PVA), 폴리퍼퓨릴알콜(PPFA), 폴리스티렌(PS), 폴리스티렌 공중합체, 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리프로필렌옥사이드(PPO), 폴리에틸렌 옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐풀루오라이드, 폴리비닐리덴풀루오라이드 공중합체, 폴리아마이드 및 폴리이미드로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것인,리튬 금속 전지용 음극
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제1항에 있어서,상기 고분자 물질은, 고분자 나노 섬유를 포함하는 것인,리튬 금속 전지용 음극
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제1항에 있어서,상기 고분자 물질은, 하이드록시기, 아크릴레이트기, 에스터기, 에테르기 및 아민기로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 작용기가 도입된 것인,리튬 금속 전지용 음극
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7
제1항에 있어서,상기 무기물은, SiO2, Al2O3, TiO2, BaTiO3, Li2O, LiF, LiOH, Li3N, BaO, Na2O, Li2CO3, CaCO3, LiAlO2, SrTiO3, SnO2, CeO2, MgO, NiO, CaO, ZnO, ZrO2 및 SiC로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것인,리튬 금속 전지용 음극
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8
제1항에 있어서,상기 중간층은, 상기 금속 물질 100 중량부에 때하여, 상기 고분자 물질을 0
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9
제1항에 있어서,상기 상부층은, 상기 고분자 물질 100 중량부에 대하여, 상기 무기물을 1 중량부 내지 100 중량부로 포함하는 것인,리튬 금속 전지용 음극
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10
제1항에 있어서,상기 중간층의 두께는, 1 ㎛ 내지 30 ㎛인 것인,리튬 금속 전지용 음극
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11
삭제
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금속 물질이 함유된 금속 용액을 감압 여과하여 하부층을 형성하는 단계;상기 금속 용액 및 고분자 물질이 분산된 고분자 분산액을 혼합하여 중간층 조성물을 제조하는 단계;상기 하부층 상에, 상기 중간층 조성물을 감압 여과하여 중간층을 형성하는 단계; 및상기 고분자 분산액 및 무기물을 혼합하여 상부층 조성물을 제조하는 단계;상기 중간층 상에, 상기 상부층 조성물을 감압 여과하여 상부층을 형성하는 단계; 및상기 하부층, 상기 중간층 및 상기 상부층 순으로, 리튬 이온을 증착시키는 단계;를 포함하고,상기 고분자 물질은, 전자 전도도를 갖지 않는 고분자 물질이고,상기 하부층, 상기 중간층 및 상기 상부층은, 다공성 구조를 포함하는 것이고,상기 하부층, 상기 중간층 및 상기 상부층 순으로, 전자 전도도가 점차 감소하는 것인,리튬 금속 전지용 음극의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 상부층을 형성하는 단계; 이후에, 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것인,리튬 금속 전지용 음극의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 열처리는, 100 ℃ 내지 500 ℃의 온도에서 1 시간 내지 5시간 동안 진행되는 것인,리튬 금속 전지용 음극의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 금속 용액의 농도는, 1 mg/ml 내지 10 mg/ml인 것인리튬 금속 전지용 음극의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 중간층 조성물 중, 상기 금속 용액 및 상기 고분자 분산액의 중량비는 10 : 1 내지 30 : 1인 것인,리튬 금속 전지용 음극의 제조방법
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제1항의 리튬 금속 전지용 음극 또는 제12항의 제조방법에 의해 제조된 리튬 금속 전지용 음극을 포함하는,리튬 이차 전지
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