| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
반도체 기판을 준비하는 단계;상기 반도체 기판 상에 금속 산화물 시드층을 형성하는 단계; 금속 산화물의 나노구조체를 성장시키는 단계; 및상기 금속 산화물의 나노구조체 상에 환원된 산화그래핀 코팅층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 환원된 산화그래핀 코팅층은, 상기 금속 산화물의 나노구조체의 표면에 형성된 컨포멀 코팅층을 포함하고,상기 환원된 산화그래핀 코팅층을 형성하는 단계는,금속 기판 상에 쉘락 코팅층을 코팅하는 단계; 상기 금속 기판을 환원 가스 분위기에서 가열하여 환원된 산화그래핀층을 형성하는 단계;상기 환원된 산화그래핀층을 박리하여 환원된 산화그래핀 플레이크를 수집하는 단계; 상기 환원된 산화그래핀 플레이크와 용매를 혼합하여 환원된 산화그래핀 코팅 용액을 제조하는 단계; 및 상기 환원된 산화그래핀 코팅 용액을 상기 금속 산화물의 나노구조체 상에 코팅하는 단계;를 포함하는 것인, 가스 센서의 제조방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 환원된 산화그래핀 코팅 용액은, 상기 환원된 산화그래핀 플레이크 및 탄소수 1 내지 5의 알코올을 포함하는 것인, 가스 센서의 제조방법
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,상기 금속 산화물의 나노구조체 상에 코팅하는 단계는, 분무 코팅, 초음파 분무 코팅, 스핀 코팅 및 딥 코팅 중 적어도 하나를 이용하여 수행되는 것인, 가스 센서의 제조방법
|
| 12 |
12
제8항에 있어서,상기 금속 산화물의 나노구조체 상에 코팅하는 단계는, 상기 환원된 산화그래핀 코팅 용액을 0
|
| 13 |
13
제8항에 있어서,상기 금속 산화물의 나노구조체를 성장시키는 단계는, 50 ℃ 내지 150 ℃ 온도에서 수열처리하여 산화물 시드를 나노구조체로 성장시키는 것인, 가스 센서의 제조방법
|
