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기판;상기 기판 상에 배치되는 금속산화물 시드층;상기 금속산화물 시드층 상에 배치되는 금속산화물 나노와이어; 및상기 금속산화물 나노와이어 상에 배치되며, 나노파티클(nanoparticle)을 포함하는 다공성 박막층;을 포함하고,상기 다공성 박막층은, 상기 다공성 박막층의 외부에 존재하는 가스입자를 선택적으로 통과시키고, 금속촉매와 금속산화물촉매 중 적어도 하나로 코팅되는 복수의 기공을 포함하고,상기 복수의 기공의 크기는, 상기 다공성 박막층의 외부에 존재하는 유기 실리콘 입자의 크기보다 작은, 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 나노파티클은 상기 다공성 박막층 내에 분산되어 배치되는, 가스센서
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제1항에 있어서,상기 다공성 박막층은 카본복합체를 포함하는, 가스 센서
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제3항에 있어서,상기 카본복합체는 제올라이트(zelolite) 및 실리카 겔(silica gel)을 포함하는, 가스 센서
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제2항에 있어서,상기 나노파티클은 세륨산화물(CeO2)과 망간산화물(MnO2) 중 적어도 하나를 포함하는, 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 금속촉매는 팔라듐(Pd)인, 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 금속산화물촉매는 산화아연(ZnO), 산화구리(CuO), 산화티타늄(TiO2), 산화주석(SnO2), 산화텅스텐(WO3) 및 산화니켈(NiO) 중 적어도 하나인, 가스 센서
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기판 상에 금속산화물 시드층을 형성하는 단계;상기 금속산화물 시드층 상에 금속산화물 나노와이어를 형성하는 단계;상기 금속산화물 나노와이어 상에 나노파티클을 포함하는 다공성 박막층을 형성하는 단계; 및상기 다공성 박막층 상에 금속촉매와 금속산화물촉매 중 적어도 하나를 코팅시키는 단계;를 포함하고, 상기 다공성 박막층은, 상기 다공성 박막층의 외부에 존재하는 가스 입자를 선택적으로 통과시키는 복수의 기공을 포함하고,상기 복수의 기공의 크기는, 상기 다공성 박막층의 외부에 존재하는 유기 실리콘 입자의 크기보다 작은, 가스 센서 제작 방법
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제10항에 있어서,상기 다공성 박막층을 형성하는 단계는, 스퍼터링(sputtering) 공정을 이용하여 상기 다공성 박막층을 형성하는 단계인, 가스 센서 제작 방법
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제10항에 있어서,상기 나노파티클은 세륨산화물을 포함하는, 가스 센서 제작 방법
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제12항에 있어서,상기 다공성 박막층을 형성하는 단계는, 질산세륨[Ce(NO3)3]을 이용하여 상기 다공성 박막층을 형성하는 단계인, 가스 센서 제작 방법
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제10항에 있어서,상기 나노파티클은 망간산화물을 포함하는, 가스 센서 제작 방법
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제14항에 있어서,상기 다공성 박막층을 형성하는 단계는, 질산망간[Mn(NO3)2]을 이용하여 상기 다공성 박막층을 형성하는 단계인, 가스 센서 제작 방법
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제10항에 있어서,상기 다공성 박막층을 형성하는 단계는, 전자빔 증착공정을 이용하여 상기 다공성 박막층을 형성하는 단계인, 가스 센서 제작 방법
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제10항에 있어서,상기 금속촉매를 코팅시키는 단계는, 전자빔 증착공정을 이용하여 상기 금속촉매를 상기 다공성 박막층 상에 코팅시키는 단계인, 가스 센서 제작 방법
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제10항에 있어서,상기 나노파티클은 상기 다공성 박막층 내에 분산되어 배치되는, 가스센서 제작 방법
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제10항에 있어서,상기 다공성 박막층은 카본복합체를 포함하는, 가스 센서 제작 방법
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제19항에 있어서,상기 카본복합체는 제올라이트 및 실리카 겔을 포함하는, 가스 센서 제작 방법
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제10항에 있어서,상기 금속촉매는 팔라듐인, 가스 센서 제작 방법
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제10항에 있어서,상기 금속산화물촉매는 산화아연(ZnO), 산화구리(CuO), 산화티타늄(TiO2), 산화주석(SnO2), 산화텅스텐(WO3) 및 산화니켈(NiO) 중 적어도 하나인, 가스 센서 제작 방법
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