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터널 전계효과트랜지스터 및 이를 포함하는 삼진 인버터

  • 기술번호 : KST2022015533
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 터널 전계효과트랜지스터는 정전류 형성층, 정전류 형성층 상에 제공되는 소스 영역 및 드레인 영역, 소스 영역 및 드레인 영역 사이에 제공되는 채널층, 채널층 상에 제공되는 게이트 전극, 및 게이트 전극과 채널층 사이에 제공되는 게이트 절연막을 포함하되, 소스 영역 및 드레인 영역은 각각 서로 다른 도전형들을 갖고, 정전류 형성층은 드레인 영역과 정전류 형성층 사이에 정전류를 형성한다.
Int. CL H01L 21/8238 (2006.01.01)
CPC H01L 21/823807(2013.01) H01L 21/823814(2013.01)
출원번호/일자 1020200087153 (2020.07.14)
출원인 울산과학기술원
등록번호/일자 10-2336607-0000 (2021.12.02)
공개번호/일자 10-2021-0086434 (2021.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20211209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190178519   |   2019.12.30
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.07.14)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경록 울산광역시 울주군
2 장지원 울산광역시 울주군
3 정재원 울산광역시 울주군
4 최영은 울산광역시 울주군
5 김우석 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0733524-88
2 [출원서 등 보완]보정서
2020.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0826826-19
3 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2020.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0826825-74
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0608167-63
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2021-1141824-64
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1141825-10
8 등록결정서
Decision to grant
2021.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0919328-23
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
정전류 형성층;상기 정전류 형성층 상에 제공되는 소스 영역 및 드레인 영역;상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이에 제공되는 채널층; 상기 채널층 상에 제공되는 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 상기 채널층 사이에 제공되는 게이트 절연막;을 포함하되,상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 각각 서로 다른 도전형들을 갖고, 상기 정전류 형성층은 상기 드레인 영역과 상기 정전류 형성층 사이에 정전류를 형성하는 터널 전계효과트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 정전류는 상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압으로부터 독립적인 터널 전계효과트랜지스터
3 3
제 1 항에 있어서,상기 정전류 형성층 및 상기 소스 영역은 제1 도전형을 갖고,상기 드레인 전극은 제2 도전형을 갖는 터널 전계효과트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서,상기 정전류 형성층의 도핑 농도는 상기 채널층의 도핑 농도보다 높은 터널 전계효과트랜지스터
5 5
제 4 항에 있어서,상기 정전류 형성층의 도핑 농도는 3 X 1018 cm-3 이상인 터널 전계효과트랜지스터
6 6
제 1 항에 있어서,상기 드레인 영역과 상기 정전류 형성층 사이에 전기장이 형성되고,상기 전기장의 세기는 106 V/cm 이상인 터널 전계효과트랜지스터
7 7
제 1 항에 있어서,상기 정전류 형성층은 상기 드레인 영역에 인접하게 배치되어, 상기 드레인 영역에 전기적으로 연결되는 터널 전계효과트랜지스터
8 8
제 7 항에 있어서,상기 정전류 형성층은 상기 소스 영역에 인접한 영역으로 연장하는 터널 전계효과트랜지스터
9 9
제1 방향으로 연장하는 핀 구조체;상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 게이트 전극; 및상기 핀 구조체와 상기 게이트 전극 사이에 제공되는 게이트 절연막;을 포함하되,상기 핀 구조체는, 상기 핀 구조체의 하부에 제공되는 정전류 형성층, 및 상기 정전류 형성층 상에 제공되는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하고,상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 각각 서로 다른 도전형들을 갖고, 상기 정전류 형성층은 상기 드레인 영역과 상기 정전류 형성층 사이에 정전류를 형성하는 터널 전계효과트랜지스터
10 10
제 9 항에 있어서,상기 핀 구조체는 상기 제2 방향을 따라 상기 게이트 전극과 중첩하는 터널 전계효과트랜지스터
11 11
제 9 항에 있어서,상기 정전류는 상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압으로부터 독립적인 터널 전계효과트랜지스터
12 12
제 9 항에 있어서,상기 정전류 형성층 및 상기 소스 영역은 제1 도전형을 갖고,상기 드레인 전극은 제2 도전형을 갖는 터널 전계효과트랜지스터
13 13
제 9 항에 있어서,상기 핀 구조체는, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이에 제공되는 채널층을 더 포함하되,상기 정전류 형성층의 도핑 농도는 상기 채널층의 도핑 농도보다 높은 터널 전계효과트랜지스터
14 14
제 13 항에 있어서,상기 정전류 형성층의 도핑 농도는 3 X 1018 cm-3 이상인 터널 전계효과트랜지스터
15 15
제 9 항에 있어서,상기 드레인 영역과 상기 정전류 형성층 사이에 전기장이 형성되고,상기 전기장의 세기는 106 V/cm 이상인 터널 전계효과트랜지스터
16 16
제 9 항에 있어서,상기 정전류 형성층은 상기 드레인 영역에 인접하게 배치되어, 상기 드레인 영역에 전기적으로 연결되는 터널 전계효과트랜지스터
17 17
제 16 항에 있어서,상기 정전류 형성층은 상기 제1 방향으로 연장되어, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 교차하는 제3 방향을 따라 중첩하는 터널 전계효과트랜지스터
18 18
제1 웰 영역 및 제2 웰 영역, 상기 제1 웰 영역 및 상기 제2 웰 영역 상에 각각 제공되는 제1 정전류 형성층 및 제2 정전류 형성층, 상기 제1 정전류 형성층 상에 제공되는 제1 소스 영역, 제1 채널층, 및 제1 드레인 영역, 상기 제2 정전류 형성층 상에 제공되는 제2 소스 영역, 제2 채널층, 및 제2 드레인 영역, 상기 제1 채널층 및 상기 제2 채널층 상에 각각 제공되는 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극;을 포함하되,상기 제1 소스 영역 및 상기 제1 드레인 영역은 각각 서로 다른 도전형들을 갖고, 상기 제2 소스 영역 및 상기 제2 드레인 영역은 각각 서로 다른 도전형들을 가지며, 상기 제1 정전류 형성층은 상기 제1 드레인 영역과 상기 제1 정전류 형성층 사이에 제1 정전류를 형성하고, 상기 제2 정전류 형성층은 상기 제2 드레인 영역과 상기 제2 정전류 형성층 사이에 제2 정전류를 형성하는 삼진 인버터
19 19
제 18 항에 있어서,상기 제1 정전류 및 제2 정전류는 각각 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압들로부터 독립적인 삼진 인버터
20 20
제 18 항에 있어서,상기 제1 정전류 형성층 및 상기 제1 소스 영역은 제1 도전형을 갖고,상기 제1 드레인 전극은 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지며,상기 제2 정전류 형성층 및 상기 제2 소스 영역은 상기 제2 도전형을 갖고,상기 제2 드레인 전극은 상기 제1 도전형을 갖는 삼진 인버터
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패밀리정보가 없습니다
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