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하기 화학식 3으로서 표시되며, 전기 전도성을 갖는, 질화 붕소: [화학식 3]상기 화학식 3에서, 상기 n, m1 및 m3는 각각 독립적으로 5 내지 1,000,000의 정수이고, 상기 m2 및 m4는 각각 독립적으로 2 내지 1,000,000의 정수이다
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제 4 항에 있어서, 상기 질화 붕소는 단원자의 두께를 갖는 것인, 질화 붕소
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제 4 항에 있어서, 상기 질화 붕소는 단일 층인 것인, 질화 붕소
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하기 화학식 3으로서 표시되는 질화 붕소로 형성되는 제 1층; 및 상기 제 1층의 상부 또는 하부에 형성되며, 육방정계 질화 붕소로 구성되는 제 2층;을 포함하는, 다층 구조체:[화학식 3] 상기 화학식 3에서, 상기 n, m1 및 m3는 각각 독립적으로 5 내지 1,000,000의 정수이고, 상기 m2 및 m4는 각각 독립적으로 2 내지 1,000,000의 정수이다
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제 7 항에 있어서, 상기 제 2층과 동일한 구성의 제 3층;을 더 포함하며, 상기 제 3층은, 상기 제 1층을 사이에 두고 상기 제 2층과 반대의 층에 위치하는 것인, 다층 구조체
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제 8 항에 있어서, 상기 제 2층과 동일한 구성의 제 4층 내지 제 10층을 더 포함하며, 상기 제 4층 내지 제 10층은 각각 독립적으로 상기 제 1층의 상부 또는 하부에 위치하는 것인, 다층 구조체
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하기 화학식 3으로서 표시되는 질화 붕소로 형성되는 제 1층; 및 상기 제 1층의 상부 또는 하부에 형성되며, 전도성 이차원 구조체로 구성되는 제 2층;을 포함하는, 다층 구조체:[화학식 3]상기 화학식 3에서, 상기 n, m1 및 m3는 각각 독립적으로 5 내지 1,000,000의 정수이고, 상기 m2 및 m4는 각각 독립적으로 2 내지 1,000,000의 정수이다
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제 10 항에 있어서, 상기 제 2층과 동일한 구성의 제 3층;을 더 포함하며, 상기 제 3층은, 상기 제 1층을 사이에 두고 상기 제 2층과 반대의 층에 위치하는 것인, 다층 구조체
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제 11 항에 있어서, 상기 제 2층과 동일한 구성의 제 4층 내지 제 10층을 더 포함하며, 상기 제 4층 내지 제 10층은 각각 독립적으로 상기 제 1층의 상부 또는 하부에 위치하는 것인, 다층 구조체
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구리 기판 상에 제 1 열처리를 하는 단계; 상기 제 1 열처리가 된 상기 구리 기판 상에 질소 공급원 및 붕소 공급원을 공급하면서 제 2 열처리를 하여 상기 구리 기판 상에 질화 붕소를 형성하는 단계; 및 상기 질화 붕소에 전자를 주입하는 단계;를 포함하며, 하기 화학식 3으로서 표시되는 질화 붕소를 제조하는, 질화 붕소의 제조 방법:[화학식 3]상기 화학식 3에서, 상기 n, m1 및 m3는 각각 독립적으로 5 내지 1,000,000의 정수이고, 상기 m2 및 m4는 각각 독립적으로 2 내지 1,000,000의 정수이다
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제 15 항에 있어서, 상기 질소 공급원은 암모니아, 질소 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 질화 붕소의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 붕소 공급원은 BH3, BF3, BCl3, B2H6, (CH3CH2)3B, (CH3)3B 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 질화 붕소의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 질소와 붕소 공급원은 암모니아보레인(H3NBH3), 보라진(B3H6N3), (BH)3(NH)3 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 질화 붕소의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 제 1 열처리는 800℃ 내지 1,500℃의 온도 하에서 이루어지는 것인, 질화 붕소의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 제 2 열처리는 50℃ 내지 200℃의 온도 하에서 이루어지는 것인, 질화 붕소의 제조 방법
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하기 화학식 3으로서 표시되는, 질화 붕소를 포함하는, 소자:[화학식 3]상기 화학식 3에서, 상기 n, m1 및 m3는 각각 독립적으로 5 내지 1,000,000의 정수이고, 상기 m2 및 m4는 각각 독립적으로 2 내지 1,000,000의 정수이다
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하기 화학식 3으로서 표시되는 질화 붕소 층 및 육방정계 질화 붕소 층을 포함하는 다층 구조체를 포함하는, 소자:[화학식 3] 상기 화학식 3에서, 상기 n, m1 및 m3는 각각 독립적으로 5 내지 1,000,000의 정수이고, 상기 m2 및 m4는 각각 독립적으로 2 내지 1,000,000의 정수이다
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하기 화학식 3으로서 표시되는 질화 붕소 층 및 전도성 이차원 구조체 층을 포함하는 다층 구조체를 포함하는, 소자:[화학식 3]상기 화학식 3에서, 상기 n, m1 및 m3는 각각 독립적으로 5 내지 1,000,000의 정수이고, 상기 m2 및 m4는 각각 독립적으로 2 내지 1,000,000의 정수이다
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