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양자 광원

  • 기술번호 : KST2022015544
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 실시예에 의한 양자 광원은 반도체 베이스(base)와, 반도체 베이스를 관통하고 중심으로부터 이격된 복수의 홀(hole)들을 포함하는 하나 이상의 홀 그룹들을 포함하고, 동일한 홀 그룹에 포함된 복수의 홀들은 중심으로부터 동일한 거리만큼 이격된다.
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01) H01L 33/30 (2010.01.01) H01L 27/15 (2006.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/0062(2013.01) H01L 33/0083(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/30(2013.01) H01L 27/156(2013.01)
출원번호/일자 1020200003351 (2020.01.09)
출원인 울산과학기술원
등록번호/일자 10-2299787-0000 (2021.09.02)
공개번호/일자 10-2021-0090038 (2021.07.19) 문서열기
공고번호/일자 (20210908) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.01.09)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김제형 울산광역시 울주군
2 전웅배 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한)아이시스 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로**길**, **층, **층(코아렌빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-0026805-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0032092-17
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0148266-17
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0460645-13
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2021-0460644-67
9 등록결정서
Decision to grant		 2021.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0652493-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 베이스(base);상기 반도체 베이스를 관통하고 중심으로부터 이격된 복수의 홀(hole)들을 포함하는 하나 이상의 홀 그룹들을 포함하고,동일한 상기 홀 그룹에 포함된 상기 복수의 홀들은 상기 중심으로부터 동일한 거리만큼 이격되고, 동일한 상기 홀 그룹에 포함된 상기 복수의 홀들은 서로 동일한 거리만큼 이격된 양자 광원
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체 베이스(base)는 III-V 반도체 및 II-VI 반도체, 다이아몬드, SiC 중 어느 하나를 포함하는 양자 광원
3 3
제2항에 있어서, 상기 III-V 반도체는 InP, GaAs, GaN 중 어느 하나이고, 상기 II-VI 반도체는 ZnO, CdSe 중 어느 하나인 양자 광원
4 4
제1항에 있어서, 상기 반도체 베이스(base)는 양자점, 고체 점 결함(defect center structure), 도핑 이온 및 이차원 물질 중 어느 하나를 포함하는 양자 광원
5 5
제4항에 있어서, 상기 양자점은 III-V 반도체 양자점이고, 상기 도핑 이온은 어븀(Er) 이온 이며, 상기 이차원 물질은 텅스텐다이셀레나이드(WSe2) 및 육방정 질화 불소(hBN, hexagonal boron nitride) 중 어느 하나인 양자 광원
6 6
제1항에 있어서, 상기 동일한 홀 그룹에 포함된 복수의 홀들의 반지름은 서로 동일한 양자 광원
7 7
제1항에 있어서, 서로 다른 상기 홀 그룹에 포함된 복수의 홀들의 반지름은 서로 상이한 양자 광원
8 8
제1항에 있어서, 상기 복수의 홀 그룹에 포함된 상기 홀들의 반지름은 상기 중심으로부터 이격된 거리가 증가할수록 감소하는 양자 광원
9 9
제1항에 있어서, 상기 양자 광원은 레이어와 하나 이상의 브릿지(bridge)로 연결된 양자 광원
10 10
제1항에 있어서, 상기 양자 광원은, 상기 양자 광원의 제1 면에 연결된 제1 전극과,상기 양자 광원의 상기 제1 면의 방향과 반대 방향인 제2 면과 연결된 제2 전극을 포함하며,상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 제공되는 에너지에 의하여 단일 또는 얽힘 광자를 제공하는 양자 광원
11 11
제1항에 있어서, 상기 양자 광원은, 레이저가 조사되어 제공되는 에너지에 의하여 단일 또는 얽힘 광자를 제공하는 양자 광원
12 12
제1항에 있어서, 상기 양자 광원은, 상기 중심과 상기 홀 그룹 사이의 이격 거리, 상기 홀 그룹들 사이의 이격거리 및 홀 그룹에 속한 홀들의 반지름 중 어느 하나 이상에 따라 제공하는 파장이 제어되는 양자 광원
13 13
반도체 레이어;반도체 베이스(base)와, 상기 반도체 베이스를 관통하고 중심으로부터 이격된 복수의 홀(hole)들을 포함하는 하나 이상의 홀 그룹들을 포함하고, 동일한 상기 홀 그룹에 포함된 상기 복수의 홀들은 상기 중심으로부터 동일한 거리만큼 이격되고, 동일한 상기 홀 그룹에 포함된 상기 복수의 홀들은 서로 동일한 거리만큼 이격된 단위 양자 광원 및상기 단위 양자 광원과 상기 반도체 레이어를 연결하는 브릿지를 포함하며,복수의 상기 단위 양자 광원들이 어레이로 배치된 양자 광원 어레이
14 14
제13항에 있어서, 상기 반도체 베이스(base) 및 상기 반도체 레이어(layer)는 III-V 반도체 및 II-VI 반도체 중 어느 하나를 포함하는 양자 광원 어레이
15 15
제14항에 있어서, 상기 III-V 반도체는 InP,GaAs, GaN 중 어느 하나 이고, 상기 II-VI 반도체는 ZnO, CdSe 중 어느 하나인 양자 광원 어레이
16 16
제13항에 있어서, 상기 반도체 베이스는 양자점, 고체 점 결함(defect center structure), 도핑 이온 및 이차원 물질 중 어느 하나를 포함하는 양자 광원 어레이
17 17
제16항에 있어서, 상기 양자점은 III-V 반도체 양자점이고, 상기 도핑 이온은 어븀(Er) 이온 이며, 상기 이차원 물질은 텅스텐다이셀레나이드(WSe2) 및 육방정 질화 불소(hBN, hexagonal boron nitride) 중 어느 하나인 양자 광원 어레이
18 18
제13항에 있어서, 상기 동일한 홀 그룹에 포함된 복수의 홀들의 반지름은 서로 동일한 양자 광원 어레이
19 19
제13항에 있어서, 서로 다른 상기 홀 그룹에 포함된 복수의 홀들의 반지름은 서로 상이한 양자 광원 어레이
20 20
제13항에 있어서, 상기 복수의 홀 그룹에 포함된 상기 홀들의 반지름은 상기 중심으로부터 이격된 거리가 증가할수록 감소하는 양자 광원 어레이
21 21
제13항에 있어서, 상기 단위 양자 광원은, 상기 단위 양자 광원의 제1 면에 연결된 제1 전극과,상기 단위 양자 광원의 상기 제1 면의 방향의 제2 면과 연결된 제2 전극을 포함하며,상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 제공되는 에너지에 의하여 단일 또는 얽힘 광자를 제공하는 양자 광원 어레이
22 22
제13항에 있어서, 상기 양자 광원 어레이는, 레이저가 조사되어 제공되는 에너지에 의하여 단일 또는 얽힘 광자를 제공하는 양자 광원 어레이
23 23
제13항에 있어서, 상기 단위 양자 광원은, 상기 중심과 상기 홀 그룹 사이의 이격 거리, 상기 홀 그룹들 사이의 이격거리 및 홀 그룹에 속한 홀들의 반지름 중 어느 하나 이상에 따라 제공하는 파장이 제어되는 양자 광원 어레이
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 울산과학기술원 신진연구사업 이차원 원자층 기반의 고효율 양자광원 개발 및 양자 상호작용 연구
2 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원(KIST) IT·SW융합산업원천기술개발 양자센서의 고신뢰도 동작을 위한 양자광원 기술 개발