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이산화티탄(TiO2)을 풀러렌 화합물로 표면 처리하는 단계; 및암조건(dark condition)에서, 상기 풀러렌 화합물로 표면 처리된 TiO2에 물을 제공하여 하이드록실 라디칼을 제조하는 단계;를 포함하는 하이드록실 라디칼을 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 풀러렌 화합물은 TiO2의 표면에 불연속적인 코팅막 형태로 함유되며, 상기 코팅막은 분자 단층(monolayer, ML)인 하이드록실 라디칼을 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 풀러렌 화합물의 커버리지(coverage)는 TiO2 전체 표면적을 기준으로 하여 1 내지 20 %ML인 하이드록실 라디칼을 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 TiO2을 풀러렌 화합물으로 표면 처리하는 단계가, 풀러렌 화합물 및 용매의 혼합물에 TiO2을 부가하고 이를 30 내지 90℃에서 혼합한 다음, 이를 90 내지 130℃에서 열처리하는 하이드록실 라디칼을 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 TiO2을 풀러렌 화합물으로 표면 처리하는 단계에서 TiO2과 풀러렌 화합물의 혼합중량비를 10:0
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제1항에 있어서, 상기 TiO2을 풀러렌 화합물으로 표면 처리하는 단계가, TiO2의 표면에 풀러렌 화합물을 250 내지 600℃에서 증착하여 하이드록실 라디칼을 제조하는 방법
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제6항에 있어서, 상기 TiO2의 표면에 풀러렌 화합물을 증착하는 단계가 5분 내지 3시간 동안 수행되는 하이드록실 라디칼을 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 풀러렌 화합물은 C20, C60, C70, C72, C74 C76, C78, C80, C82, C84, C86, C88, C90, C94, C96 또는 그 조합물인 하이드록실 라디칼을 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 풀러렌 화합물로 표면 처리된 TiO2의 기판에서 정공의 농도가 1 Х 1012 /cm3 내지 1 Х 1013 /cm3인 하이드록실 라디칼을 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 풀러렌 화합물로 표면 처리된 TiO2에 물을 제공하여 물에 노출하는 시간이 5 내지 60초인 하이드록실 라디칼을 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 물의 함량이 풀러렌 화합물로 표면 처리된 TiO2 100 중량부를 기준으로 하여 30 내지 500 중량부인 하이드록실 라디칼을 제조하는 방법
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 하이드록실 라디칼을 제조하는 방법에 따라 제조된 하이드록실 라디칼을 이용하여 오염수를 정화하는 오염수의 정화방법
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제12항에 있어서, 상기 오염수가 심층수, 폐수, 지하수, 농업배수, 상하수도, 식품 가공수, 염색수 또는 하수인 오염수의 정화방법
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