| 1 |
1
투명전극 기판; 및상기 투명전극 기판 상에 형성되고, 복수개의 로드(rod) 형상의 헤마타이트(hematite)를 포함하는 헤마타이트층;을 포함하고,상기 헤마타이트가 티타늄(Ti) 및 실리콘(Si)으로 도핑되어 있고, 20 nm 내지 280 nm의 평균 길이와 10 nm 내지 100 nm의 평균 직경을 가지며, 상기 실리콘 도핑량이 상기 헤마타이트 표면에서 0
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 헤마타이트가 로드 형상의 표면을 둘러싸는 쉘 형태의 조촉매층을 더 포함하는, 포토에노드
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 조촉매가 NiFeOx(이때, x는 1 내지 4임), FeOOH 및 Co-Pi(cobalt-phosphate water oxidation catalyst)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 포토에노드
|
| 4 |
4
제 2 항에 있어서,상기 조촉매층의 평균 두께가 5 nm 이하인, 포토에노드
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 티타늄의 도핑량은 상기 헤마타이트 표면에서 0
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 투명전극 기판이 FTO(fluorine tin oxide), ZnO(zinc oxide), ITO(indium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZO(indium zinc oxide) 및 IGZO(indium gallium zinc oxide)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 포토에노드
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 포토에노드가 1
|
| 8 |
8
(1) 철(Fe) 공급원 및 티타늄(Ti) 공급원을 1:0
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서,상기 철 공급원이 염화철(FeCl3), 불화철(FeF2), 황화철(FeSO4), 철아세테이트(Fe(CO2CH3)2), 질화철(Fe(NO3)3), 및 이들의 수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 포토에노드의 제조 방법
|
| 11 |
11
제 8 항에 있어서,상기 티타늄 공급원이 염화티타늄(TiCl3), 이산화티타늄(TiO2), 수소화티타늄(TiH2), 사염화티타늄(TiCl4), 질화티타늄(TiN), 및 티타늄이소프로폭사이드(C12H28O4Ti)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 포토에노드의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 8 항에 있어서,상기 1차 열처리가 30℃ 내지 120℃에서 1시간 내지 7시간 동안 수행되고,상기 2차 열처리가 750℃ 내지 850℃에서 10분 내지 30분 동안 수행되는, 포토에노드의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 8 항에 있어서,상기 실리콘(Si)-함유 용액이 SiO2, 아미노프로필트리메톡시실란(aminopropyltrimethoxysilane, APTMS), N-sec-부틸(트리메틸실릴)아민(N-sec-butyl(trimethylsilyl)amine, C7H19NSi) 및 클로로펜타메틸디실란(chloropentamethyldisilane, (CH3)3SiSi(CH3)2Cl)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 포토에노드의 제조 방법
|
| 14 |
14
제 8 항에 있어서,상기 방법이 상기 단계 (3)에서 얻은 헤마타이트의 표면을 둘러싸는 쉘 형태의 조촉매층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 포토에노드의 제조 방법
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 조촉매층을 형성하는 단계가 조촉매-함유 용액을 상기 Ti:Si-Fe2O3의 표면에 드롭-캐스팅(drop-casting)한 후 50℃ 내지 120℃에서 0
|
| 16 |
16
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 포토에노드를 포함하는 물분해 장치
|
