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그래핀 양자점(quantum dot);도파민(dopamine); 및금속 산화물 나노 입자를 포함하는 나노 입자 복합체
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제1항에 있어서,상기 도파민은 상기 그래핀 양자점 표면에 결합되는, 나노 입자 복합체
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제2항에 있어서,상기 도파민은 하기 화학식 1로 표시되고, 하기 화학식 1 중 "-NH2" 모이어티가 상기 그래핀 양자점 표면에 결합되는, 나노 입자 복합체:003c#화학식 1003e#
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제1항에 있어서,상기 그래핀 양자점은 상기 금속 산화물 나노 입자 표면에 부착되는, 나노 입자 복합체
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제1항에 있어서,상기 그래핀 양자점 중 상기 도파민이 결합되는 부위가 아닌 부위가 상기 금속 산화물 나노 입자 표면에 부착되는, 나노 입자 복합체
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제1항에 있어서,상기 그래핀 양자점은 평균 입경(D50) 범위가 1 내지 5 nm인, 나노 입자 복합체
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제1항에 있어서,상기 그래핀 양자점은 밴드 갭(band gap)이 2
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제1항에 있어서,상기 그래핀 양자점은 상기 도파민 및 금속 산화물 나노 입자 외에 다른 도핑 물질로 도핑된, 나노 입자 복합체
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제8항에 있어서,상기 도핑 물질은 황(S), 붕소(B), 및 질소(N) 중 하나 이상의 원소를 포함하는, 나노 입자 복합체
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 나노 입자는 Ag, Ni, Si, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Sn, In, Pt, Au, 및 Mg 중 선택된 하나 이상의 산화물인, 나노 입자 복합체
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 나노 입자는 평균 입경(D50) 범위가 1 내지 5 nm인, 나노 입자 복합체
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 나노 입자 복합체를 포함하는, 가스 센서
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제12항에 있어서,상기 가스 센서는 산화 질소(NOx (0003c#x≤2)) 기체를 감지하는, 가스 센서
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 나노 입자 복합체를 제조하는 방법으로,(A) 그래핀 양자점과 도파민을 산(acid) 하에서 반응시켜, 도파민이 코팅된 그래핀 양자점을 합성하는 과정; 및(B) 상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점 및 금속 산화물 나노 입자를 혼합하여, 나노 입자 복합체를 제조하는 과정;을 포함하는, 나노 입자 복합체의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점은 수열 합성(hydrothermal synthesis) 방법에 의해 합성되는, 나노 입자 복합체의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 금속 산화물 나노 입자는 가열 합성(heat up synthesis) 방법에 의해 합성되는, 나노 입자 복합체의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점 및 금속 산화물 나노 입자는 CHCl3 용매 하에서 혼합되는, 나노 입자 복합체의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점 및 금속 산화물 나노 입자를 혼합한 후, 혼합물을 스핀 코팅하는 과정을 더 수행하는, 나노 입자 복합체의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 스핀 코팅 이후, 상기 혼합물을 열처리하는 과정을 더 수행하는, 나노 입자 복합체의 제조 방법
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