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나노 트렌치 스위치로서,유연 기판; 및상기 유연 기판 상에 형성된 나노 트렌치;를 포함하고,상기 나노 트렌치의 상부 폭은, 상기 유연 기판을 구부림에 따라 가변적으로 제어 가능한 것이고,상기 나노 트렌치는, Au, Ag, Cu, Al, Cr 및 Ti로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속, ITO, Si, Ge, GaAs, VO2 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이고,상기 나노 트렌치 스위치는, 상기 나노 트렌치의 상부 폭의 변화에 따라 터널링 효과에 따른 통전이 가능한 것이고,상기 나노 트렌치 스위치는, 마이크로웨이브/테라파 스위치, 마이크로웨이브 차폐제, 전자빔 원, 메타렌즈, 페이즈 어레이, 자율주행 자동차 빔 스티어링, 저항 메모리, 멤스/넴스, 구조 역학적 기억소자, 저항 메모리 소자, 양자 저항 기반 소자, 물질 특성 관측 플랫폼, 광화학 분석 플랫폼, 초미세 먼지 및 바이러스 검출기, 나노바이오센서, 분자전자공학 플랫폼, 나노와이어 제작 플랫폼 및 단일원자체인 제작 플랫폼으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 이용되는 것이고,상기 나노 트렌치의 상부 폭은, 0
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제1항에 있어서,상기 유연 기판은, PET, PI 및 스테인리스 스틸 테이프로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,나노 트렌치 스위치
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제1항에 있어서,상기 나노 트렌치의 상부 폭은, 상기 유연 기판을 구부림의 방향과 정도에 따라 1 pm 내지 1 ㎛의 간격으로 제어 가능한 것인,나노 트렌치 스위치
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제1항에 있어서,상기 유연 기판의 구부림에 따른 상기 나노 트렌치의 상부 폭 변화율은, 상기 유연 기판의 구부림에 따른 상기 나노 트렌치의 하부 폭 변화율의 1
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제1항에 있어서,상기 나노 트렌치는, 높이가 10 ㎚ 내지 10 ㎛인 것인,나노 트렌치 스위치
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제1항에 있어서,상기 나노 트렌치는, 하나 또는 복수 개로 형성되는 것인,나노 트렌치 스위치
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제1항에 있어서,상기 나노 트렌치는, 복수 개로 형성되는 것이고,상기 나노 트렌치 간의 간격은, 10 ㎚ 내지 1 ㎝인 것인,나노 트렌치 스위치
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나노 트렌치 스위치의 제조방법으로서,유연 기판을 준비하는 단계;상기 유연 기판 상에 전도성 물질을 패터닝하는 단계;금속 산화물 스페이서를 원자층 증착하는 단계; 및상기 금속 산화물 스페이서를 에칭하는 단계;를 포함하고,상기 나노 트렌치 스위치는,유연 기판 및상기 유연 기판 상에 형성된 나노 트렌치를 포함하고,상기 나노 트렌치의 상부 폭은, 상기 유연 기판을 구부림에 따라 가변적으로 제어 가능한 것이고,상기 나노 트렌치는, Au, Ag, Cu, Al, Cr 및 Ti로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속, ITO, Si, Ge, GaAs, VO2 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이고,상기 나노 트렌치 스위치는, 상기 나노 트렌치의 상부 폭의 변화에 따라 터널링 효과에 따른 통전이 가능한 것이고,상기 나노 트렌치 스위치는, 마이크로웨이브/테라파 스위치, 마이크로웨이브 차폐제, 전자빔 원, 메타렌즈, 페이즈 어레이, 자율주행 자동차 빔 스티어링, 저항 메모리, 멤스/넴스, 구조 역학적 기억소자, 저항 메모리 소자, 양자 저항 기반 소자, 물질 특성 관측 플랫폼, 광화학 분석 플랫폼, 초미세 먼지 및 바이러스 검출기, 나노바이오센서, 분자전자공학 플랫폼, 나노와이어 제작 플랫폼 및 단일원자체인 제작 플랫폼으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 이용되는 것이고,상기 나노 트렌치의 상부 폭은, 0
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제12항에 있어서,상기 금속 산화물 스페이서는, 알루미나, 산화하프늄 및 산화스트론튬으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,나노 트렌치 스위치의 제조방법
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