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칼코제나이드계 은 화합물 분말과 2종 이상의 용매를 포함하는 공용매를 혼합하여 용액을 형성하는 단계;상기 용액 중 용질을 침전시키는 단계; 및 상기 침전된 용질을 용매에 분산시키고 여과하는 단계; 를 포함하는, 칼코제나이드계 은 화합물 (chalcogenide silver) 전구체 용액의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 칼코제나이드계 은 화합물 중 칼코젠 원소는, S, Se 및 Te로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 칼코제나이드계 은 화합물 전구체 용액의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 칼코제나이드계 은 화합물은, Ag2S, Ag2Se 또는 이 둘인 것인, 칼코제나이드계 은 화합물 전구체 용액의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 2종 이상의 용매를 포함하는 공용매는, 아민계 용매 및 디티올계 용매를 포함하고,상기 아민계 용매 대 상기 디티올계 용매의 비율(부피비)은, 1 : 1 내지 20 : 1인 것인, 칼코제나이드계 은 화합물 전구체 용액의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 아민계 용매는, 에틸렌디아민(ethylenediamine), 디에틸렌트리아민(diethylenetriamine), 트리에틸렌테트라민(triethylenetetramine), 테트라메틸렌디아민(tetramethylenediamine), 1-메틸테트라메틸렌디아민(1-methyltetramethylenediamine) 및 헥사메틸렌테트라아민(hexamethylenetetramine)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하고,상기 디티올계 용매는, 메탄디티올, 에탄디티올(ethanedithiol), 1,2-에탄디티올, 1,1-프로판디티올, 1,2-프로판디티올, 1,3-프로판디티올, 2,2-프로판디티올, 2,3-부탄디티올, 2,5-헥산디티올, 1,6-헥산디티올 및 2,9-데칸디티올로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 칼코제나이드계 은 화합물 전구체 용액의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 공용매를 혼합하여 용액을 형성하는 단계는, 상온 내지 50 ℃ 온도에서 교반하는 것인, 칼코제나이드계 은 화합물 전구체 용액의 제조방법
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칼코제나이드계 은 화합물 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 전구체 용액을 기재 상에 용액 공정으로 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계;및 상기 칼코젠 원소를 포함하는 분위기에서 상기 코팅막을 제1 열처리하는 단계; 를 포함하는, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 방법
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제7항에 있어서,상기 전구체 용액 중 용매는, 0
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제7항에 있어서,상기 용액 공정은, 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 잉크젯 프린팅, 오프셋 프린팅, 그라비아 프린팅, 롤투롤 프린팅 및 스크린 프린팅으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인,칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 방법
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제7항에 있어서,상기 제1 열처리하는 단계는, 열처리 장비 내에 칼코젠 원소 분말을 삽입하고, 상기 코팅막을 200 ℃ 이상의 온도에서 어닐링하는 것인, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 방법
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제7항에 있어서,코팅막을 건조하는 단계; 를 더 포함하고,상기 코팅막을 건조하는 단계는, 상온 이상의 온도에서 진공; 또는 공기, 산소, 불활성 가스 중 1종 이상을 포함하는 분위기에서 건조하는 것인, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 방법
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제11항에 있어서,상기 코팅막을 건조하는 단계는,공기 분위기에서 100 ℃ 이하의 온도에서 건조하는 제1 건조 단계 및 공기 분위기에서 200 ℃ 이상의 온도에서 건조하는 제2 건조 단계를 포함하는 것인,칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 방법
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제7항에 있어서,상기 제1 열처리하는 단계 이후에 제2 열처리하는 단계를 더 포함하고,상기 제2 열처리하는 단계는, 상기 제1 열처리하는 단계 보다 높은 온도에서 어닐링하는 것인, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 방법
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제7항에 있어서,상기 기재는, 유연(flexible) 기판을 포함하고, 상기 유연 기판은, 폴리머, 유리, 직물, 금속, 금속질화물, 금속산화물 및 금속합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인,칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 방법
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제7항에 있어서,상기 기재는, 유연 기판 및 상기 유연 기판 상에 형성된 전극층을 포함하고, 상기 전극층은, 금속, 금속질화물, 금속산화물 및 금속합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하고,상기 금속은, 이리듐(Ir), 몰리브덴(Mo), 레늄(Re), 스칸듐(Sc), 저마늄(Ge), 안티몬(Sb), 백금(Pt), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag), 인듐(In), 주석(Sn), 실리콘(Si), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 가돌륨(Ga), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 징크(Zn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al), 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브데늄(Mo), 탄탈(Ta), 루테늄(Ru) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 방법
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제14항에 있어서,상기 유연 기판은, 폴리이미드(PI, polymide), 폴리아마이드이미드, 아크릴(acryl), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, Polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG), 폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀고분자(COP), 사이클로올레핀코고분자(COC), 디시클로펜타디엔고분자(DCPD), 시클로펜타디엔고분자(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 실리콘수지, 불소수지 및 변성에폭시수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 유연 폴리머 기판인 것인, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 방법
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제1항의 방법을 이용하여, 칼코제나이드계 은 화합물 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 전구체 용액을 기재 상에 용액 공정으로 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계;상기 코팅막을 열처리하는 단계; 및상기 코팅막 상에 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 연성 반도체 소자의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 기재는 유연 기판; 상기 기판 상에 형성된 접착층; 및 상기 접착층 상에 형성된 전극층;을 포함하고,상기 접착층은, 무기 접착층, 유기접착층 및 유-무기 접착층으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 연성 반도체 소자의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 전극층 상에 유연 폴리머층을 형성하는 단계; 및 상기 유연 폴리머층 상에 전극층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것인, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 연성 반도체 소자의 제조방법
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제17항의 방법을 이용하여, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 연성 반도체 소자를 제조하는 단계; 상기 반도체 소자를 팽팽하게 스트레칭된 고무 기재 상에 전사하는 단계; 및상기 고무 기재의 스트레칭을 해제하는 단계; 를 포함하는, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 스트레처블 전자 소자의 제조방법
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제7항의 방법으로 제조된, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 연성 반도체 박막
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제17항의 방법으로 제조되고, 유연 기판; 상기 유연 기판 상에 형성된 전극층; 및 상기 전극층 상에 형성된 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 반도체 박막;을 포함하는, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 연성 반도체 소자
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제20항의 방법으로 제조되고,스트레처블 고무 기판; 및 상기 고무 기판 상에 형성된 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 연성 반도체 소자;를 포함하는, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 스트레처블 전자 소자
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제23항에 있어서,상기 스트레처블 전자 소자는, 저항성 랜덤 액세스 메모리인 것인, 칼코제나이드계 은 화합물을 포함하는 스트레처블 전자 소자
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