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기판 상에 양자점을 포함하는 시편을 준비하는 단계; 상기 시편에 광조사하는 단계;상기 시편의 양자점 위로 탐침증강 나노분광현미경의 탐침을 위치시키는 단계; 및 상기 탐침을 이용하여 수직 방향으로 양자점에 압력을 가하여 밴드갭을 제어하는 단계; 를 포함하는, 탐침증강 나노분광현미경을 이용한, 양자점의 밴드갭 제어 방법
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제1항에 있어서,상기 탐침증강 나노분광현미경은, TEPL(tip-enhanced photoluminescence spectroscopy), TERS(tip-enhanced Raman spectroscopy) 및 TEEL(tip-enhanced electroluminescence) 중 적어도 하나 이상인 것인, 양자점의 밴드갭 제어 방법
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제1항에 있어서,상기 기판 상에 양자점을 포함하는 시편을 준비하는 단계는,금속 기판의 산화물층 상에 양자점을 형성하는 단계를 포함하는 것인, 양자점의 밴드갭 제어 방법
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제1항에 있어서,상기 양자점은, 단일 양자점, 양자점 필름 또는 양자점 시트인 것인, 양자점의 밴드갭 제어 방법
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제3항에 있어서,상기 기판 상에 양자점을 포함하는 시편을 준비하는 단계는,상기 양자점 상에 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인, 양자점의 밴드갭 제어 방법
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제1항에 있어서,상기 탐침(probe)은, 15 nm 이하의 크기의 팁(tip)을 갖는 것인, 양자점의 밴드갭 제어 방법
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제1항에 있어서,상기 탐침은, Au, Ag, Al, Cu, Co, Cr, Pt, Pd, Rh, Ti 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 양자점의 밴드갭 제어 방법
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제1항에 있어서,상기 밴드갭을 제어하는 단계는, 양자점의 밴드갭 제어를 통해 광신호를 제어하는 것인, 양자점의 밴드갭 제어 방법
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제1항에 있어서,상기 광신호는, 광발광(PL), 라만 산란 또는 전계발광인 것인, 양자점의 밴드갭 제어 방법
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제1항에 있어서,상기 탐침증강 나노분광현미경의 탐침을 위치시키는 단계는, 탐침의 수평적 위치에서 탐침을 위치시키는 것인, 양자점의 밴드갭 제어 방법
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기판 상에 양자점을 포함하는 시편을 준비하는 단계; 상기 시편에 광조사하는 단계;상기 시편의 양자점 위로 탐침증강 나노분광현미경의 탐침을 위치시키는 단계;상기 탐침을 이용하여 수직 방향으로 양자점에 압력을 가하여 밴드갭을 제어하는 단계; 및 단일 양자점에서 발산하는 광신호를 플라즈모닉 안테나 효과로 탐침 증강시켜 광신호를 측정하는 단계; 를 포함하는, 탐침증강 나노분광현미경을 이용한, 양자점의 광신호 측정 방법
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제11항에 있어서,상기 단일 양자점의 광신호 측정 방법은, 근거리 장에서 광신호를 증강하고 광신호를 측정하는 것인, 양자점의 광신호 측정 방법
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시편부; 및 탐침증강 나노분광현미경;을 포함하고,상기 시편부는, 금속 기판; 및 상기 기판 상에 형성된 금속 산화물층;을 포함하고, 상기 탐침증강 나노분광현미경은, 탐침을 이용하여 시편의 양자점에 압력을 가하여 밴드갭과 광신호를 제어하고, 광신호를 증강시키는 것인, 양자점 밴드갭 제어 및 광신호 측정을 위한, 시스템
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제13항에 있어서,상기 금속 기판은, Au, Ag, Cu, Al, Pt, Ti, Cr 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 시스템
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제13항에 있어서,상기 탐침증강 나노분광현미경은, TEPL(tip-enhanced photoluminescence spectroscopy), TERS(tip-enhanced Raman spectroscopy) 및 TEEL(tip-enhanced electroluminescence) 중 적어도 하나 이상인 것인, 시스템
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제13항에 있어서,상기 시스템은, 근거리 장에서 광신호를 증강하고 광신호를 측정하는 것인, 시스템
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