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기판;상기 기판 상의 적어도 일부분에 위치된 플라즈모닉 구조체의 금속 안테나;상기 금속 안테나 상의 적어도 일부분에 형성된 단일 양자점을 포함하는 물질층; 및상기 물질층을 향해 배치되고, 광원 증강을 유도하는 플라즈모닉 탐침;을 포함하고,상기 물질층은, 상기 금속 안테나에서 구속위치 에너지에 의한 단일 양자 광원을 방출하고,상기 탐침은, 상기 금속 안테나에서 단일 양자 광원을 증강시키는 것인, 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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제1항에 있어서,상기 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템은, 극저온 내지 50 ℃의 온도에서 단일 양자 광원을 유도하는 것인, 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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제1항에 있어서,상기 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템은, 0 ℃ 내지 40 ℃의 온도에서 단일 양자 광원을 유도하는 것인,단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 탐침은, 탐침증강 나노분광현미경(tip-enhanced nano-spectroscopy)의 탐침인 것인, 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 탐침은, TEPL(tip-enhanced photoluminescence) 또는 TERS(Tip-enhanced Raman spectroscopy)의 탐침인 것인, 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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제1항에 있어서,상기 금속 안테나는 적어도 일부분에 단일 또는 복수개의 갭이 형성된 것인, 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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제6항에 있어서, 상기 갭의 간격은 1 nm 내지 20 nm인 것인, 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 구조체에서 갭을 형성하는 양단은 곡률(radius of curvature)을 갖고, 상기 곡률은, 1nm 이하의 곡률 반경을 갖는 것인, 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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제1항에 있어서,상기 금속 안테나의 두께는, 1nm 내지 100 nm인 것인, 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 구조체는, 나비 넥타이 구조체(bowtie)인 것인, 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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제1항에 있어서,상기 물질층은, 상기 금속 안테나 전체를 덮도록 형성된 것인, 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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제1항에 있어서,상기 물질층은, 단분자층인 것인, 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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제1항에 있어서,상기 물질층은, 상기 금속 안테나의 갭 영역에서 구속위치 에너지에 의한 단일 양자 광원을 방출하고,상기 탐침은, 상기 금속 안테나의 갭 영역에서 단일 양자 광원을 증강시키는 것인, 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템
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플라즈모닉 구조체의 금속 안테나 상에 형성된 단일 양자점을 포함하는 물질층에서 단일 양자 광원을 유도하는 단계; 및 상기 단일 양자 광원을 증강시키는 단계; 를 포함하는, 제1항의 단일 양자 광원 유도 및 조절 시스템을 이용한, 단일 양자 광원의 유도 및 조절 방법
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제15항에 있어서,상기 단일 양자 광원을 유도하는 단계는, 상기 금속 안테나의 갭 영역에서 구속위치 에너지에 의한 상기 물질층의 단일 양자 광원을 방출하는 것인, 단일 양자 광원의 유도 및 조절 방법
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제15항에 있어서, 상기 단일 양자 광원을 증강시키는 단계는, 상기 금속 안테나의 갭 영역에서 플라즈모닉 탐침에 의해 단일 양자 광원을 증강시키는 것인, 단일 양자 광원의 유도 및 조절 방법
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제15항에 있어서,상기 금속 안테나는 상기 플라즈모닉 구조체는, 나비 넥타이 구조체(bowtie)이고, 상기 나비 넥타이 구조체(bowtie)의 중앙은 갭이 형성된 것인, 단일 양자 광원의 유도 및 조절 방법
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제15항에 있어서, 상기 단일 양자 광원을 증강시키는 단계는, 플라즈모닉 탐침의 높이, 각도 및 위치 중 적어도 하나를 조절하여, 단일 광자의 세기 및 에너지를 조절하는 것인, 단일 양자 광원의 유도 및 조절 방법
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제15항에 있어서,상기 단일 양자 광원을 유도하는 단계 및 상기 단일 양자 광원을 증강시키는 단계 중 적어도 하나는, 극저온 내지 50 ℃에서 실시되는 것인, 단일 양자 광원의 유도 및 조절 방법
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