| 요약 |
본 발명은 금속층이 형성된 공중 부유형 탄소 나노와이어를 이용한 3ω방법 기반 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, (a) 실리콘 기판 상면에 절연층을 형성하는 단계, (b) 절연층에 제 1 포토레지스트를 코팅하는 단계, (c) 상기 제1 포토레지스트가 코팅된 상면에 포토마스크와 1차 UV 노광을 통해 절연층 및 실리콘 식각이 필요한 영역의 상기 제1의 포토레지스트를 노광하는 단계, (d) 상기 제 1 포토레지스트 중 노광된 부분을 제거하여 처마 구조 형성을 위한 구조를 현상하는 단계, (e) 상기 식각이 필요한 위치에 상기 제1 포토레지스트가 제거된 상태에서 상기 절연층을 식각하는 단계, (f) 상기 절연층이 식각된 기판에 등방성 식각을 통해 처마 구조를 형성하는 단계, (g) 상기 (d)단계에서 제거되지 않은 제2 포토레지스트를 제거하여 처마 구조가 형성된 기판을 제작하는 단계, (h) 상기 처마구조가 형성된 절연층에 제2 포토레지스트를 코팅하는 단계, (i) 상기 제2 포토레지스트가 코팅된 상면에 포토마스크와 2차 UV 노광 및 3차 UV 노광을 통해 공중 부유형 와이어와 상기 공중 부유형 와이어를 지탱하는 전극 기둥부를 형성하는 단계, (j) 상기 공중 부유형 와이어와 상기 전극 기둥부를 현상하는 단계, (k) 상기 공중 부유형 와이어와 상기 전극 기둥부를 열분해하여 공중 부유형 탄소와이어와 탄소 전극으로 변형하는 단계, (l) 공중 부유형 탄소와이어와 탄소 전극에 제3 포토레지스트를 코팅하는 단계, (m) 상기 제3 포토레지스트가 코팅된 상면에 포토마스크와 4차 UV 노광을 통해 금속층의 증착이 필요한 위치의 상기 제3 포토레지스트를 노광하는 단계, (n) 상기 제3 포토레지스트 중 노광되지 않은 부분을 제거하여 상기 금속층의 증착을 위한 구조를 현상하는 단계, (o) 상기 금속층의 증착이 필요한 위치에 상기 제3 포토레지스트가 제거된 상태에서 금속층을 증착하는 단계, (p) 상기 (n)단계에서 제거되지 않은 제3 포토레지스트를 제거하여 전극 영역을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같이 본 발명에 따르면, 공중부유형 탄소 나노와이어 위에 증착된 금속층에 교류를 인가하여 발생한 열과 주변 가스로의 열손실에 의해 결정되는 탄소와이어 위에 증착된 금속층의 온도 변화에 따른 탄소와이어의 저항 변화를 측정하여 외부 가스의 농도를 측정할 수 있으며, 가스 측정 감도를 증가시킬 수 있다.
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