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Ⅲ족원소 전구체 용액과 추가금속 전구체를 주입하는 제1-1단계, 제1-1단계의 용액을 감압하면서 A온도로 가열하는 제1-2단계, 및 불활성 분위기에서 상기 제1-2단계의 용액을 상기 A온도보다 높은 B온도까지 승온시키고, Ⅴ족원소 전구체용액을 주입하는 제1-3단계를 가지는 시드형성단계(제1단계)를 포함하는 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 A온도는 110℃ 내지 200℃ 인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 A온도는 150℃ 내지 200℃인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 추가금속은 Zn, Mn, Cu, Fe, Ni, Co, Cr, Ti, Zr, Nb, Mo, Ru 및 이들의 조합이 이루는 군에서 적어도 하나 이상이 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 추가금속 전구체는 추가금속 예비전구체와 카르복실산을 혼합하여 감압시켜 형성한 것을 특징으로 하는 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 추가금속 예비전구체와 카르복실산의 몰비가 1:1 내지 1:3인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 추가금속 전구체는 추가금속-카르복실레이트 또는 활성 나노 클러스터를 포함하는 양자점의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 활성 나노 클러스터의 제조는 추가금속 예비전구체와 카르복실산을 혼합하여 감압시켜 형성한 혼합용액을 25℃ 내지 200℃ 범위 내로 승온한 뒤 혼합용액을 1차 반응시키는 단계; 및 상기 1차반응 후의 혼합용액을 상기 온도보다 높은 200℃ 내지 500℃ 범위 내로 승온한 뒤 혼합용액을 2차 반응시키는 단계;를 포함하는 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 B온도는 200 내지 400 ℃ 범위 내인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 시드는 Al, Ti, Mg, Na, Li 및 Cu로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 보충원소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 시드를 감싸는 하나 이상의 쉘을 형성하는 쉘형성단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 제조 방법으로 제조된 양자점
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제12항의 양자점을 포함하는 전자소자
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