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성장층을 가지는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022015692
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 양자점 제조방법은, Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소가 포함된 시드를 형성하는 시드형성단계; 상기 시드형성단계 후 표면산화 억제제를 투입하여 상기 시드의 표면에서 산화를 억제시키는 산화억제단계; 및 상기 산화억제단계 후 Ⅲ족원소, 및 Ⅴ족원소를 포함하는 성장층 또는 Ⅲ족원소, 추가금속, 및 Ⅴ족원소 포를 포함하는 성장층을 상기 시드상에 형성시키는 성장층형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C09K 11/02 (2006.01.01) C09K 11/62 (2006.01.01) C09K 11/88 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01)
CPC C09K 11/02(2013.01) C09K 11/025(2013.01) C09K 11/62(2013.01) C09K 11/883(2013.01) B82Y 20/00(2013.01)
출원번호/일자 1020200130595 (2020.10.08)
출원인 덕산네오룩스 주식회사, 울산과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0047091 (2022.04.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.08)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 덕산네오룩스 주식회사 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 방은별 충남 천안시 서북구
2 이창민 충남 천안시 서북구
3 신종문 충남 천안시 서북구
4 이형동 충남 천안시 서북구
5 박종남 서울특별시 강남구
6 최용훈 부산광역시 해운대구
7 김강용 부산광역시 동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 태웅 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *동***호(양재동,양재역환승주차장)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2020-1068338-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0068578-71
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1059696-58
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1142440-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소가 포함된 시드를 형성하는 시드형성단계; 상기 시드형성단계 후 표면산화 억제제를 투입하여 상기 시드의 표면에서 산화를 억제시키는 산화억제단계; 및상기 산화억제단계 후 Ⅲ족원소, 및 Ⅴ족원소를 포함하는 성장층 또는 Ⅲ족원소, 추가금속, 및 Ⅴ족원소를 포함하는 성장층을 상기 시드상에 형성시키는 성장층형성단계;를 포함하는 양자점의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 산화억제단계에서 투입하는 표면산화 억제제는 장쇄 2차 알코올 및 알킬 아민인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 표면산화 억제제는 1,2-헥산데칸디올 및 1,2-옥탄데칸디올, 트리옥틸아민 중에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 표면산화 억제제는 함량은 상기 시드 형성단계에 사용되는 Ⅲ족원소 전구체 당량 : 표면산화억제제의 몰비가 1:0
5 5
제1항에 있어서,상기 추가금속은 Zn, Mn, Cu, Fe, Ni, Co, Cr, Ti, Zr, Nb, Mo, Ru 및 이들의 조합이 이루는 군에서 적어도 하나 이상이 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 성장층형성단계는, 3-5 복합용액 또는 3-M-5 복합용액을 상기 산화억제단계가 완료된 용액에 주입하여 상기 시드상에서 성장시키는 양자점의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 3-5 복합용액은, Ⅲ족원소 전구체 및 용매를 주입하여 교반하는 제a단계;상기 제a단계의 용액을 감압시키면서 α온도로 승온시킨 후 반응시키는 제b단계;상기 제b단계의 용액을 불활성 분위기로 치환한 후 상기 α온도보다 낮은 β온도로 감온하는 제c단계; 및상기 제c단계의 용액에 Ⅴ족원소 전구체 용액을 주입하여 상기 β온도에서 반응시키는 제d단계를 포함하여 제조되는 양자점의 제조방법
8 8
제6항에 있어서,상기 3-M-5 복합용액은, Ⅲ족원소 전구체, 용매 및 추가금속 전구체를 주입하여 교반하는 제a단계;상기 제a단계의 용액을 감압시키면서 α온도로 승온시킨 후 반응시키는 제b단계;상기 제b단계의 용액을 불활성 분위기로 치환한 후 상기 α온도보다 낮은 β온도로 감온하는 제c단계; 및상기 제c단계의 용액에 Ⅴ족원소 전구체 용액을 주입하여 상기 β온도에서 반응시키는 제d단계를 포함하여 제조되는 양자점의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소가 포함된 시드는 추가금속을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 시드형성단계는 Ⅲ족원소 전구체 용액을 주입한 후 감압하면서 A온도까지 5분 내지 20분간 승온시킨 후 50분 내지 100분간 반응시키는 제1-1 단계; 및 불활성 분위기에서 상기 제1-1단계의 용액을 A온도까지 수초 내지 1시간동안 승온시키고, Ⅴ족원소 전구체용액을 주입하는 제1-2단계를 포함하는 양자점의 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 시드형성단계는 Ⅲ족원소 전구체 용액과 추가금속 전구체를 주입한 후 감압하면서 A온도까지 5분 내지 20분간 승온시킨 후 50분 내지 100분간 반응시키는 제1-3단계; 및 불활성 분위기에서 제1-3단계의 용액을 B온도까지 수초 내지 1시간동안 승온시키고, Ⅴ족원소 전구체용액을 주입하는 제1-4단계를 포함하는 양자점의 제조방법
12 12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 제조 방법으로 제조된 양자점
13 13
제12항의 양자점을 포함하는 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.