1 |
1
Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소가 포함된 시드를 형성하는 시드형성단계; 상기 시드형성단계 후 표면산화 억제제를 투입하여 상기 시드의 표면에서 산화를 억제시키는 산화억제단계; 및상기 산화억제단계 후 Ⅲ족원소, 및 Ⅴ족원소를 포함하는 성장층 또는 Ⅲ족원소, 추가금속, 및 Ⅴ족원소를 포함하는 성장층을 상기 시드상에 형성시키는 성장층형성단계;를 포함하는 양자점의 제조방법
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 산화억제단계에서 투입하는 표면산화 억제제는 장쇄 2차 알코올 및 알킬 아민인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 표면산화 억제제는 1,2-헥산데칸디올 및 1,2-옥탄데칸디올, 트리옥틸아민 중에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
|
4 |
4
제1항에 있어서,상기 표면산화 억제제는 함량은 상기 시드 형성단계에 사용되는 Ⅲ족원소 전구체 당량 : 표면산화억제제의 몰비가 1:0
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 추가금속은 Zn, Mn, Cu, Fe, Ni, Co, Cr, Ti, Zr, Nb, Mo, Ru 및 이들의 조합이 이루는 군에서 적어도 하나 이상이 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 성장층형성단계는, 3-5 복합용액 또는 3-M-5 복합용액을 상기 산화억제단계가 완료된 용액에 주입하여 상기 시드상에서 성장시키는 양자점의 제조방법
|
7 |
7
제6항에 있어서,상기 3-5 복합용액은, Ⅲ족원소 전구체 및 용매를 주입하여 교반하는 제a단계;상기 제a단계의 용액을 감압시키면서 α온도로 승온시킨 후 반응시키는 제b단계;상기 제b단계의 용액을 불활성 분위기로 치환한 후 상기 α온도보다 낮은 β온도로 감온하는 제c단계; 및상기 제c단계의 용액에 Ⅴ족원소 전구체 용액을 주입하여 상기 β온도에서 반응시키는 제d단계를 포함하여 제조되는 양자점의 제조방법
|
8 |
8
제6항에 있어서,상기 3-M-5 복합용액은, Ⅲ족원소 전구체, 용매 및 추가금속 전구체를 주입하여 교반하는 제a단계;상기 제a단계의 용액을 감압시키면서 α온도로 승온시킨 후 반응시키는 제b단계;상기 제b단계의 용액을 불활성 분위기로 치환한 후 상기 α온도보다 낮은 β온도로 감온하는 제c단계; 및상기 제c단계의 용액에 Ⅴ족원소 전구체 용액을 주입하여 상기 β온도에서 반응시키는 제d단계를 포함하여 제조되는 양자점의 제조방법
|
9 |
9
제1항에 있어서,상기 Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소가 포함된 시드는 추가금속을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
|
10 |
10
제1항에 있어서, 상기 시드형성단계는 Ⅲ족원소 전구체 용액을 주입한 후 감압하면서 A온도까지 5분 내지 20분간 승온시킨 후 50분 내지 100분간 반응시키는 제1-1 단계; 및 불활성 분위기에서 상기 제1-1단계의 용액을 A온도까지 수초 내지 1시간동안 승온시키고, Ⅴ족원소 전구체용액을 주입하는 제1-2단계를 포함하는 양자점의 제조방법
|
11 |
11
제9항에 있어서, 상기 시드형성단계는 Ⅲ족원소 전구체 용액과 추가금속 전구체를 주입한 후 감압하면서 A온도까지 5분 내지 20분간 승온시킨 후 50분 내지 100분간 반응시키는 제1-3단계; 및 불활성 분위기에서 제1-3단계의 용액을 B온도까지 수초 내지 1시간동안 승온시키고, Ⅴ족원소 전구체용액을 주입하는 제1-4단계를 포함하는 양자점의 제조방법
|
12 |
12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 제조 방법으로 제조된 양자점
|
13 |
13
제12항의 양자점을 포함하는 전자소자
|