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Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소를 포함하는 시드; 및시드 외면에 구비되며, Ⅲ족원소, Ⅴ족원소를 포함하는 성장층;상기 성장층의 외면에 구비되는 쉘층;을 포함하고, 상기 성장층은 상기 III족원소와 상이한 III족원소인 보충원소를 더 포함하는 양자점
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제1항에 있어서, 상기 성장층의 보충원소는 상기 성장층의 보충원소와 상기 성장층의 Ⅲ족원소의 비가 1 : 5 내지 1 : 100이 되는 함량으로 포함되는 것을 특징으로 하는 양자점
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제1항에 있어서, 상기 성장층의 보충원소는 Ga 또는 Al인 것을 특징으로 하는 양자점
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제1항에 있어서,상기 성장층의 두께가 0
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Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소가 합금된 시드를 형성하는 시드형성단계;상기 시드를 형성하면서 Ⅲ족원소-보충원소-Ⅴ족원소 복합용액 또는 III족원소-보충원소-추가금속-V족원소 복합용액을 투입하여 Ⅲ족원소-보충원소-Ⅴ족원소 또는 III족원소-보충원소-활성금속-V족원소 성장층을 형성시키는 성장층형성단계;를 포함하며, 상기 보충원소는 상기 III족원소와 상이한 III족원소인 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 성장층형성단계에서 사용하는 Ⅲ족원소-보충원소-Ⅴ족원소 복합용액은,Ⅲ족원소 전구체 및 용매를 주입하여 교반하는 제a단계,상기 제a단계의 용액을 감압시키면서 α온도로 승온시킨 후 반응시키는 제b단계,상기 제b단계의 용액을 불활성 분위기로 치환한 후 β온도로 감온하는 제c단계, 및상기 제c단계의 용액에 보충원소 전구체 및 Ⅴ족원소 전구체 용액을 주입하여 상기 β온도에서 반응시키는 제d단계를 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 α온도는 100℃내지 150℃인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 β온도는 15 ℃ 내지 25℃인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 성장층형성단계에서 사용하는 Ⅲ족원소-보충원소-추가금속-Ⅴ족원소 복합용액은,Ⅲ족원소 전구체, 용매 및 추가금속 전구체를 주입하여 교반하는 제a단계,상기 제a단계의 용액을 감압시키면서 α온도로 승온시킨 후 반응시키는 제b단계,상기 제b단계의 용액을 불활성 분위기로 치환한 후 β온도로 감온하는 제c단계, 및상기 제c단계의 용액에 보충원소 전구체 및 Ⅴ족원소 전구체 용액을 주입하여 상기 β온도에서 반응시키는 제d단계를 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 α온도는 100℃내지 150℃인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 β온도는 15 ℃ 내지 25℃인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 시드형성단계는 활성금속 나노 클러스터를 포함하는 용액에 Ⅲ족원소 전구체 및 Ⅴ족원소 전구체 용액을 주입하여 활성금속과 Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소가 합금된 시드를 형성하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ―Ⅴ족계 양자점의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 활성금속은 Zn, Mn, Cu, Fe, Ni, Co, Cr, Ti, Zr, Nb, Mo, Ru 및 이들의 조합이 이루는 군에서 적어도 하나가 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 양자점을 포함하는 전자소자
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